黄岸兵
- 作品数：13 被引量：19H指数：2
- 供职机构：信息产业部更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 氮化铝陶瓷的制造及应用被引量：4
- 1992年
- 一、前言微电子学的发展趋势是器件多功能化、小型化。器件的复杂性将导致芯片尺寸增大和集成度提高,亦使芯片的功率耗散增加,片子的散热便成为关键问题之一。通过基片散热是一种有效途径。AlN陶瓷由于具有热导率高、热膨胀系数与硅接近、电性能优良、机械性能好、无毒等特性,被认为是最理想的基片材料,因此备受关注。
- 崔嵩黄岸兵贺相传
- 关键词：氮化铝陶瓷粉末
- 氮化铝陶瓷材料
- 1999年
- 本文介绍了AIN陶瓷基片生产的关键技术，国内外AIN陶瓷封装概况。探讨了AIN陶瓷封装发展的趋势。
- 黄岸兵崔嵩
- 关键词：AIN生产技术陶瓷封装
- 氮化铝陶瓷直接覆铜技术被引量：1
- 1999年
- 研制出一种直接覆铜ＡｌＮ基板。先将ＡｌＮ 陶瓷基板作表面氧化处理， 然后在１ ０６３～１ ０７０℃下， 氮气氛中煅烧， 使铜箔直接焊敷在ＡｌＮ基板上。铜箔的剥离强度可达到８５３．２ Ｐａ， 厚度为０．１～０．５ ｍ ｍ ， 最大基板面积可达５０ ｍ ｍ ×５０ ｍ
- 黄岸兵崔嵩张浩
- 关键词：氮化铝陶瓷过渡层表面处理
- MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究被引量：12
- 2003年
- 通过实验优化AlN(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧W(钨)导体浆料性能及AlN多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对AlN多层基板的界面进行了扫描电镜分析。采用AlN流延生瓷片与W高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的AlN多层陶瓷基板,其热导率为190 W/(m·K),线膨胀系数为4.6106℃1(RT^400℃),布线层数9层,W导体方阻为9.8 m,翘曲度为0.01 mm/50 mm,完全满足高功率MCM的使用要求。
- 崔嵩黄岸兵张浩
- 关键词：氮化铝多层基板
- MCM用氮化铝(AIN)共烧多层陶瓷基板的研究
- 多芯片组件(MCM)作为一种新技术正在迅速发展,随着组装密度的不断提高,IC集成度的提高,MCM的功率密度越来越大.为了改善器件的散热,提高可靠性,要求功率MCM所用的多层基板应具有高的异热性.本研究采用AIN流延生瓷片...
- 崔嵩黄岸兵张浩
- 关键词：氮化铝多层基板多芯片组件多层布线技术陶瓷基板
- 文献传递
- AIN陶瓷基片应用的局限性被引量：1
- 1991年
- AlN陶瓷作为电子部件一种新型的导热基片,受到世界各国的重视。日、美等国在氮化铝应用市场上一直占主导和领先地位。AlN基片的热导率比Al_2O_3高约10倍,其热胀系数与硅相近,电气绝缘能力强。
- 王传声黄岸兵
- 关键词：AIN陶瓷陶瓷
- 消除AlN陶瓷基片色斑
- 1998年
- ＡｌＮ基片的色斑会影响外观，引起用户对基片性能的疑虑。通过ＸＰＳ、热力学分析等方法，证实了碳的金属化合物是造成氮化铝陶瓷色斑的根源；采取控制氮化铝粉质量、改进排胶和烧结工艺、疏通气路等措施，可消除色斑。
- 黄岸兵崔嵩
- 关键词：氮化铝色斑生产工艺碳化物
- 功率电路基片首推氮化铝陶瓷被引量：1
- 2000年
- 随着民用、军用电子设备或系统的功能越来越全,自动化程度也日益提高,因此必须有功能完整、高可靠性、体积小、重量轻、高效率、高功率密度、开关速度快、抗干扰能力强的相应的电子线路系统满足其需要。功率电子器件的设计最主要包括电参数设计、结构设计和热耗散设计三部分。在半导体芯片数愈来愈多,布线和封装密度愈来愈高的功率电路中。
- 黄岸兵崔嵩张浩
- 关键词：功率电路氧化铝陶瓷基片
