崔嵩
- 作品数：26 被引量：30H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第43研究所更多>>
- 发文基金：国家大学生创新性实验计划安徽省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程一般工业技术电气工程更多>>
- MEMS封装用氮化铝共烧基板研究
- 2002年
- 研究了 MEMS封装用 Al N共烧基板中 ,浆料对基板平整度和电性能的影响。共烧基板浆料以 W为导电材料 ,Si O2 为添加剂配制而成 ,结果表明 Si O2 的质量分数在 0 .45 %时 ,Al N多层布线共烧基板的导带方阻达到 10 mΩ /□ ,基板的翘曲度小于 5 0μm/ 5 0 mm。
- 胡永达蒋明杨邦朝崔嵩
- 关键词：MEMS氮化铝
- 新型功率混合集成电路材料——氮化铝
- 2000年
- 1 前言长期以来,绝大多数功率混合集成电路的陶瓷封装材料一直沿用Al2O3,和BeO陶瓷,但由于性能、环保、成本等因素,已不能完全适合功率电子器件发展的需要,因此,一种综合性能优越的新型电子陶瓷—A1N陶瓷,无疑将成为传统Al2O3和BeO封装和基板的替代材料。 AIN是—种纤锌矿结构的Ⅲ—Ⅴ族合成化合物,于19世纪60年代被发现。尽管单晶AIN理论热导率达到320W/mK,单晶或多晶AIN因为晶格中隙入氧和金属杂质而使热导率降低很多。
- 毛寒松王传声崔嵩
- 关键词：氮化铝功率混合集成电路半导体材料
- AIN三维MCM技术研究
- 三维多芯片组件(3D MCM)是在2D MCM技术基础上发展起来的高级多芯片组件, 可以进一步提高组件的组装密度,实现更小的体积和更多的功能:同时,为了改善3D MCM的散热性,提高可靠性,采用高导热率、热膨胀系数与Si...
- 张浩崔嵩刘俊永
- 文献传递
- 不同相结构和微观结构对氮化铝陶瓷性能的影响
- 2019年
- 本文重点研究了氮化铝陶瓷的相结构和微观结构对其性能的影响,分析了氮化铝陶瓷的热导率、抗折强度、体积密度之间的关系,结果表明随着陶瓷热导率的提高,陶瓷的抗折强度和体积密度呈现下降的趋势,体积密度接近理论密度。同时对不同热导率的氮化铝陶瓷样品,进行了X射线衍射(XRD)和扫描电镜测试分析,从XRD可以推断出随着热导率的变化,氮化铝陶瓷第二相的转化或者转变过程。利用图像分析软件Image-ProPlus进行电镜图片的第二相统计学分析,数据表明陶瓷的热导率与第二相含量之间存在一定的相关性。当陶瓷的热导率达到253W/m·K时,XRD仅能检测到氮化铝主相存在,微观统计可知第二相的含量仅为0.08%,并且第二相分布于三相晶界交汇处。
- 党军杰胡竹松郭军田晨光孙登琼张浩崔嵩
- 关键词：氮化铝热导率X射线衍射
- 氮化铝共烧多层基板平整性的研究
- 2003年
- 对影响AlN共烧多层基板平整性的几个因素进行了研究,取得了一定的成果。
- 张浩崔嵩
- 关键词：AIN
- 新型功率混合集成电路材料——氮化铝(AlN)被引量：7
- 2001年
- 本文主要介绍了AlN的成瓷工艺 ,金属化方法、特性及在新型电子元器件中的应用示例 ,AlN在功率电子领域有望取代BeO ,成为本世纪大量应用的主导电子材料。
- 毛寒松王传声崔嵩
- 关键词：功率混合集成电路氮化铝封装材料
- AlN三维MCM技术研究
- 本研究通过将3DMCM与2DMCM技术的优点结合起来,成功地制作出了AlN3DMCM样品,并对其应用进行了初步探讨,取得了一定的成果.
- 张浩崔嵩刘俊永
- 关键词：集成电路芯片组装电路封装
- 文献传递
- 氮化铝陶瓷材料
- 1999年
- 本文介绍了AIN陶瓷基片生产的关键技术，国内外AIN陶瓷封装概况。探讨了AIN陶瓷封装发展的趋势。
- 黄岸兵崔嵩
- 关键词：AIN生产技术陶瓷封装
- 设置ⅡS的安全特性
- 1999年
- 在Internet上任何网络系统都不可能有百分之百的安全。每天,Internet上都会有关于安全缺陷的信息发布。由于除了网络系统管理员外,黑客们也能同时掌握这些最新的信息,因而网络系统管理人员需要打一场持久战,才能对付黑客们用最新的招数发动的攻击。
- 邵元和付工崔嵩
- 关键词：安全特性网络系统管理信息发布黑客访问数据库数据库访问
- 氮化铝陶瓷直接覆铜技术被引量：1
- 1999年
- 研制出一种直接覆铜ＡｌＮ基板。先将ＡｌＮ 陶瓷基板作表面氧化处理， 然后在１ ０６３～１ ０７０℃下， 氮气氛中煅烧， 使铜箔直接焊敷在ＡｌＮ基板上。铜箔的剥离强度可达到８５３．２ Ｐａ， 厚度为０．１～０．５ ｍ ｍ ， 最大基板面积可达５０ ｍ ｍ ×５０ ｍ
- 黄岸兵崔嵩张浩
- 关键词：氮化铝陶瓷过渡层表面处理
