高俊华
- 作品数：28 被引量：57H指数：5
- 供职机构：北京邮电大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究被引量：1
- 1997年
- 本文报道了AlxGa1-xAs／GaAs多层异质外延材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400～500℃与水汽（携带气体为N2）发生化学反应的氧化特性．其氧化反应是沿着AlxGa1-xAs层从其刻蚀出的台面边界开始横向进行的．AlxGa1-xAs层的氧化速度与AlxGa1-xAs中x值、层厚、水汽通量、氧化温度等4个因素有关；根据不同温度下AlAS层氧化反应速度常数，计算出了一定厚度AlAs层与水汽发生化学反应的活化能．
- 康学军林世鸣高俊华廖奇为朱家廉王红杰张春晖王启明
- SiGe/Si HBT的材料生长和器件研制
- 介绍了SiGe/Si HBT材料的UHV/CVD生长工艺,并用电化学C-V和二次离子质谱分别研究了SiGe/Si HBT材料的载流子分布和组分分布,测试结果表明实现了对掺杂的严格控制,有效抑制了杂质的扩散,所生长的材料达...
- 成步文左玉华毛容伟李传波黄昌俊张建国高俊华余金中王启明
- 关键词：SIGE/SI
- 文献传递
- 具有90nm调谐范围的1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器(英文)被引量：1
- 2003年
- 利用表面微机械技术 ,成功制作了 1.3μm Si基 MOEMS可调谐光滤波器 .原型器件在 5 0 V的调谐电压下 ,调谐范围为 90 nm.该技术可以用于制作 1.3μm Si基可调谐光探测器 .
- 左玉华黄昌俊成步文蔡晓毛容伟李传波罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华朱家廉王良臣余金中王启明
- 关键词：MOEMS可调谐滤波器
- 利用光子晶体提高InP基LED出光效率被引量：2
- 2006年
- 应用FDTD方法计算了二维无限大光子晶体的能带结构,并制备出了InP基二维平板结构的光子晶体器件.在制备过程中尝试了仅用PMMA做掩模以及PMMA和SiO2做掩模两种方法.结果表明,不使用SiO2做掩模的情况下,由于PMMA胶选择性较差,在刻蚀过程中难以保证图形的准确转移.而增加SiO2掩模后,获得了图形质量良好的光子晶体结构.成功实现了利用光子晶体结构增强LED的出光效率,与未制作光子晶体结构的LED相比,光子晶体结构LED的出光效率可在原来基础上提高1倍以上.并且随着晶格常数的增加,出光效率进一步提高.
- 杜伟许兴胜孙增辉鲁琳高俊华赵致民王春霞陈弘达
- 关键词：光子晶体电子束曝光反应离子束刻蚀
- 室温连续工作的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器列阵被引量：1
- 1996年
- 报导了由选择氧化法研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡｓ经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于ｌｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并由此器件制成了２×３二维列阵。
- 林世鸣康学军高俊华高洪海王启明王红杰王立轩张春晖
- 关键词：垂直腔面发射激光器氧化法砷化镓ALGAAS
- InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器
- 1996年
- 报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器．采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室温脉冲工作，最低阈值电流达２０ｍＡ，激射波长为９１５ｎｍ。
- 刘颖杜国同姜秀英刘素平张晓波赵永生高鼎三林世呜高洪海高俊华王洪杰康学军
- 关键词：INGAAS面发射激光器
- 155μm非晶硅热光F-P腔可调谐滤波器(英文)
- 2003年
- 介绍了一种Si基热光Fabry Perot (F P)腔可调谐滤波器 .F P腔由电子束蒸发的非晶硅构成 .利用非晶硅的热光效应 ,通过对Si腔加热 ,改变F P腔的折射率 ,从而引起透射峰位的红移 .该原型器件调谐范围为 1 2nm ,透射峰的FWHM (峰值半高宽 )为 9nm ,加热效率约为 0 1K/mW .精确控制DBR(分布式Bragg反射镜 )生长获得高反射率镜面是减小带宽的有效途径 ;通过改进加热器所处位置及增强散热能力 。
- 左玉华蔡晓毛容伟黄昌俊成步文李传波罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华王良臣余金中王启明
- 关键词：热光效应FABRY-PEROT可调谐滤波器非晶硅
- GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究被引量：5
- 2001年
- 采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga As刻蚀的刻蚀速率可达 40 0 nm/m in,Al As的刻蚀速率可达 35 0 nm/min,DBR的刻蚀速率可达 340 nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌 ,同时能够形成陡直的侧墙 ,侧墙的角度可达 85°.
- 刘文楷林世鸣武术朱家廉高俊华渠波陆建祖廖奇为邓晖陈弘达
- 关键词：反应离子刻蚀刻蚀速率DBR砷化铝
- GaAs反应离子刻蚀纵横比的研究
- 刘文楷朱家廉高俊华陆建组林世鸣
- 关键词：离子刻蚀
- 文献传递
- HF/CrO_3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备被引量：2
- 2002年
- 利用动态掩膜腐蚀技术 ,研究了 HF/ Cr O3腐蚀液对各种不同组分的 Alx Ga1 - x As(x =0 .3,0 .5 ,0 .6 5 )的腐蚀速率及腐蚀表面形貌 .随着 HF(48wt% ) / Cr O3(33wt% )的体积比由 0 .0 1变化到 0 .138,相应的腐蚀液对 Al0 .8-Ga0 .2 As/ Al0 .3Ga0 .7As的选择性由 179降到 8.6 ;通过调节腐蚀液的选择性 ,在 Al0 .3Ga0 .7As外延层上制备出了倾角从 0 .32°到 6 .6 1°的各种斜面 .当 HF(48wt% ) / Cr O3(33wt% )的体积比为 0 .0 2 8时 ,Al组分分别为 0 .3、0 .5和 0 .6 5时 ,相应的腐蚀表面的均方根粗糙度为 1.8、9.1和 19.3nm.另外 。
- 黄辉黄永清任晓敏高俊华罗丽萍马骁宇
- 关键词：选择性湿法刻蚀
