林世鸣
- 作品数：48 被引量：79H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaAs反应离子刻蚀纵横比的研究
- 刘文楷朱家廉高俊华陆建组林世鸣
- 关键词：离子刻蚀
- 文献传递
- GaAs VCSEL/MISS混合集成光子“或”门
- 报道了GaAs VCSEL/MISS混合集成光子“或”门的制备及其特性。制备GaAsMISS光电开关工艺中，将MBE生长的超薄AlAS层氧化为AxOy层，并将AxOy用作MISS器件的超薄半绝缘层，这一方法解决了制备M...
- 林世鸣康学军
- 关键词：半导体激光器光子开关
- 垂直腔面发射微腔激光器的研究进展
- 体垂直腔面发射激光器（VCSEL）与传统的边发射半导体激光器相比，它具有发散角小、单纵模工作、非常低的阈值等优点，尤其适于二维面阵集成和与其它光电子器件集成。在光信息处理、光互连、光计算、光存储等方面都有广泛的应用前景，...
- 康学军林世鸣王启明
- 关键词：半导体激光器光子
- 确定VCSEL电势及载流子自洽分布算法的研究被引量：4
- 2003年
- 分别使用准Fermi能级和pn结模型决定VCSEL的有源层压降 ,建立了两种自洽确定VCSEL中电势及载流子分布的方法 .针对电极电压变化和氧化层限制孔径变化的两种情况 ,在阈值附近对器件中的结电压分布、载流子浓度分布和注入有源层电流密度分布进行了计算 ;针对两者所得结果的差异进行了简要的分析 ,指出了二者的特点及适用范围 .
- 赵鼎林世鸣
- 关键词：VCSEL
- 微斑光电流谱和光反射谱的自动测量系统
- 2000年
- 叙述了为测量半导体光电器件的光电流谱和光反射谱所构成的自动测量系统及其数据处理方法。
- 张培宁张世林郭维廉林世鸣陈弘达
- 关键词：光电流谱自动测量系统
- GaAs量子阱半导体微腔中腔极化激元的动态行为(英文)被引量：3
- 2005年
- GaAs量子阱半导体微腔中, 光子同时与重空穴激子、轻空穴激子耦合形成腔极化激元 本文采用三谐振子耦合模型,计算了腔极化激元的三支的色散关系、线宽、有效质量及其群速度;结果表明,由于腔极化激元的三支中光子、重空穴激子、轻空穴激子所占的权重随着平面波矢(或入射角度)变化,腔极化激元三支的线宽、有效质量及其群速度呈现出不同的动态行为。
- 刘文楷安艳伟林世鸣张存善张常年
- 关键词：光子激子半导体微腔
- 衍射光学元件与垂直腔面发射激光器集成系统可行性研究
- 张静娟霍俊岭廖睿林世鸣
- 关键词：衍射光学元件量子阱激光器
- GaAs／GaAlAs低阈值垂直腔面发射激光器被引量：4
- 1994年
- 通过对增益波导型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ垂直腔面发射激光器的材料生长和工艺制作的研究，实现了在室温下的脉冲激射。其激射阈值电流低达１０ｍＡ，输出光功率不低于０．３ｍｗ，有的可达０．７ｍｗ以上，器件单横模、单纵模工作，线宽小于４人。
- 林世鸣吴荣汉黄永箴潘钟高洪海王启明段海龙高文智罗丽萍王立轩
- 关键词：垂直腔面发射激光器分子束外延
- 低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器被引量：4
- 1992年
- 一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵模激射.数字光放大增益G≥30dB.导通时间τ_(on)<100ps,关断时间τ_(on)<1ns.
- 张权生吴荣汉林世鸣高洪海高文智吕卉韩勤段海龙杜云芦秀玲
- 关键词：双稳激光器INGAASP/INP
- 外加电场下垂直腔面发射激光器的偏振转换电流(英文)
- 2001年
- 电光效应双折射可以控制垂直腔面发射激光器的偏振特性。本文计算了作用在垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的上面的分布喇格反射镜 (DBR)上的外加电场产生的双折射 ,并在此基础上通过对自旋反转模型 (SFM)的修正 。
- 刘文楷林世鸣武术程澎张存善
- 关键词：电场垂直腔面发射激光器
