吴荣汉
- 作品数：123 被引量：188H指数：6
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 倒装焊SEED灵巧象素的多量子阱结构
- 陈弘达陈志标张益杜云吴荣汉
- 关键词：倒装焊SEED量子阱结构
- 气态束源炉瞬态开关控制真空装置
- 一种气源炉瞬态开关控制真空装置，包括：一不锈钢超高真空腔体；一气动阀，与不锈钢超高真空腔体的一端连接；一气态束源炉，安装在不锈钢超高真空腔体内；一气动阀门，与不锈钢超高真空腔体的中段连接；一真空泵，与气动阀门的另一端连接...
- 牛智川倪海桥徐晓华徐应强张纬韩勤吴荣汉
- 文献传递
- GaAs／GaAlAs多量子阱CCTS结构双稳态激光器的实验研究
- 1995年
- 本文报道了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阱（ＭＱＷ）双区共腔（ＣＣＴＳ）结构的双稳态激光器．该器件利用多次离子注入形成电隔离很好的双电极结构，吸收区上加上一定反偏电压时得到了双稳特性，观察到了器件工作于双稳态时对光谱边模的显著抑制．
- 熊飞克高文智吴荣汉王启明
- 关键词：多量子阱砷化镓镓铝砷
- 高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法
- 一种高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构，其中包括：一过渡层，在衬底表面形成完整晶体表面；一第一势垒层，形成对载流子的能量势垒，该第一势垒层制作在过渡层上面；一量子阱层，起到将发光载流子限制在该层内的作用，该量子阱层制作在势垒...
- 牛智川徐晓华倪海桥徐应强韩勤吴荣汉
- 文献传递
- 高速CCTS光双稳激光器的研究
- 1996年
- 从速率方程出发对双区共腔（ｃｏｍｍｏｎ－ｃａｖｉｔｙｔｗｏｓｅｃｔｉｏｎ简称ＣＣＴＳ）光双稳激光器进行了精确的理论分析与计算，并对其稳态特性进行了实验研究和测试，得出了定量和定性的分析结果，同时还首次发现当激光输出高态时又出现了一次光双稳和开关效应。经研究确认是量子阱探测器的自电光效应。并提出一种可集成双逻辑功能显示的新型网络模型器件。
- 李长英忽满利王胜远韩雁勤徐大纶程昭吴荣汉张权生
- 关键词：双稳态激光器
- 1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器被引量：6
- 2006年
- 利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55μm谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究·无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10-12A;光电流谱峰值波长1563nm;响应谱线半宽4nm,具有良好的波长选择性·
- 韩勤彭红玲杜云倪海桥赵欢牛智川吴荣汉
- 关键词：探测器LT-GAAS
- 砷化镓超晶格量子阱反射式光调制器
- 1997年
- 半导体砷化镓超晶格量子阱反射式光调制器是八十年代后期发展起来的一种新颖的光电混合型光逻辑开关器件。它利用超晶格量子阱二维自由激子吸收在外电场作用下的非线性变化,通过多量子阱电吸收及电色散效应,对光强进行调制,从而实现光调制开关功能。 1.研究内容和成果 (1)采用递推法及光学传输矩阵法,分析了调制器大周期多层DBR量子阱pin结构二维激子电吸收、电色散以及DBR和非对称腔在确定器件参数(工作电压、对比度、插入损耗、常通及常关型工作模式)的作用及兼容性。分析表明:超晶格量子阱能级的电场光调制作用具有很大的灵活性与可控性。
- 吴荣汉
- 关键词：砷化镓光调制器超晶格量子阱
- 三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化
- 1998年
- 本文首次报道了在腐蚀图形的（３１１）Ａ衬底上，一种新型三角形点结构的ＭＢＥ生长及其量子阱限制能量的横向变化研究．原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形之间的平面区域，ＭＢＥ选择性生长形成了均匀的三角形收缩结构，其尖角沿［２３３］方向，收缩面由对称的｛１１１｝Ａ面构成．低温阴极荧光谱和图象测试研究结果表明：这种点状外延结构存在三个分离的荧光发射区域，分别对应于三个不同的激发光波长．说明这种点结构中量子阱层厚度的变化引入了量子阱限制能量的横向变化．低温微区光致发光谱测试得到高度可分辨的三个发光峰，结果说明在围绕点状结构顶部区域形成了１３ｍｅＶ横向势垒，且具有较高的辐射复合发光效率．
- 牛智川周增圻韩勤吴荣汉R.NotzelU.JahnM.RamsteinerK.H.Ploog
- 关键词：MBE生长
- Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响
- 2005年
- 由于生长InN所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.通过研究Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RFMBE生长InN外延膜表面形貌的影响,发现Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对InN外延膜表面In滴的量有重要影响.通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ比和生长温度,得到了表面平整光亮、无In滴的InN外延膜.
- 肖红领王晓亮韩勤王军喜张南红徐应强刘宏新曾一平李晋闽吴荣汉
- 关键词：INNRF-MBEXRD
- GaAs／GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件被引量：2
- 1995年
- 采用分子束外延技术生长含有大周期数的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阶（ＭＱＷ）及分布布喇格反射器（ＤＢＲ）的ＰＩＮ结构器件。研究了量子限制斯塔克效应（ＱＣＳＥ），分布布喇格反射及非对称腔模（ＡＳＦＰ）效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响。给出我们研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果。对于常通型及常闭型调制器，其两态衬比度可达１０ｄＢ。所研制的ＳＥＥＤ器件，其导通光能耗低于１０ｆＪ／（μｍ）￣２，实现其光学双稳态及Ｒ－Ｓ光触发器工作。
- 吴荣汉高文智赵军段海龙林世鸣钟战天黄永箴王启明
- 关键词：多量子阱光调制器SEED砷化镓
