康学军
- 作品数：11 被引量：16H指数：3
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- 缀饰激子在半导体微腔中的辐射
- 2000年
- 本文建立了半导体微腔的缀饰激子模型。在 VCSEL 器件量子阱中的激子首先通过内电磁场与腔耦合 ,形成缀饰态。而后作为多粒子过程 ,缀饰激子与腔内真空场耦合产生辐射。通过 QED方法 ,我们得到偶极子辐射密度方程和系统能量衰变方程。从方程解的讨论中 ,我们得到超辐射和偶极子微腔方向效应的结果 ,同时预言了当内场耦合足够强时 ,缀饰激子可以直接辐射到一个很窄的激光模中。
- 刘世安林世鸣康学军张光斌程澎王启明
- 关键词：半导体微腔超辐射
- 多量子阱RCE光探测器的响应及调谐特性的实验研究
- 2000年
- 报道了在国内首次研制成功的 Ga As/ A1Ga As材料系的多量子阱结构的谐振腔增强型(RCE)光探测器。实验测得器件的响应具有明显的波长选择特性 ,其峰值响应波长位于 84 3nm附近 ,半峰值宽度 6 .96 nm,并初步观察到了器件的电调谐特性。经进一步优化改进 ,该器件有望成为窄线宽、可调谐的新型解复用型光探测器。
- 刘立义刘凯黄辉黄永清任晓敏马骁宇康学军
- 关键词：光探测器多量子阱RCE可调谐波分复用
- 垂直腔面发射激光器与MISS光电开关集成
- 垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)与传统的边发射半导体激光器相比,它具有发射角小、单纵模工作、非常低的阈值等优点,尤其它适于二维面阵集成和与其它光电子器件集成.在光信息处理、光互连、光计算等方面都有广泛的应用前景.V...
- 康学军
- 关键词：垂直腔面发射半导体激光器集成器光电开关
- Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究被引量：1
- 1997年
- 本文报道了AlxGa1-xAs／GaAs多层异质外延材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400～500℃与水汽（携带气体为N2）发生化学反应的氧化特性．其氧化反应是沿着AlxGa1-xAs层从其刻蚀出的台面边界开始横向进行的．AlxGa1-xAs层的氧化速度与AlxGa1-xAs中x值、层厚、水汽通量、氧化温度等4个因素有关；根据不同温度下AlAS层氧化反应速度常数，计算出了一定厚度AlAs层与水汽发生化学反应的活化能．
- 康学军林世鸣高俊华廖奇为朱家廉王红杰张春晖王启明
- Zn扩散工艺在降低VCSELp型DBR串联电阻中的应用被引量：2
- 1996年
- 垂直腔面发射激光器Ｐ型λ／４分布布喇格反射镜由于在ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ材料λ／４堆积层界面处存在大的势垒差，使得ｐ型ＤＢＲ串联电阻很大。文章报道一种利用Ｚｎ扩散工艺，使ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓλ／４堆积层Ａｌ，Ｇａ互扩散，形成ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ混熔层或在界面处形成Ａｌ，Ｇａ组分渐变的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ缓变层，从而降低ｐ型ＤＢＲ串联电阻的方法。利用这种方法。
- 高洪海高俊华林世鸣康学军王红杰王立轩
- 关键词：半导体器件
- 室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器被引量：3
- 1995年
- 本文报道了室温连续激射的ＧａＡｓ／ＧａＡＩＡＳ新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果．该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的，这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的．对于直径１５μｍ的钨丝，器件的最低阈值电流为１７ｍＡ，最大光输出功率达４ｍＷ，微分量子效率高达６５％．
- 刘颖杜国同姜秀英刘素平张晓波赵永生高鼎三林世鸣康学军高洪海高俊华王红杰
- 关键词：半导体激光器砷化镓GAALAS激光器
- 由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器被引量：5
- 1996年
- 本文报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射半导体激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡＳ经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于１ｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并制成了２×３列阵器件。
- 康学军林世鸣高俊华高洪海王启明王红杰王立轩张春晖
- 关键词：VCSELS激光器砷化镓ALGAAS
- GaAs VCSEL/MISS混合集成光子开关被引量：1
- 1997年
- 报道了MBE生长的GaAs材料VCSEL与MISS混合集成构成的光子开关。将MBE生长的超薄AIAs层氧化为AxOy层用作MISS器件的超薄半绝缘层，从而解决了该半绝缘层厚度的精密控制以及与VCSEL工艺相容的问题。该集成器件除光子开关功能外，还能实现光放大功能，并可用于自由空间光互连。
- 康学军林世鸣廖奇为高俊华王红杰朱家廉张春晖王启明
- 关键词：半导体激光器光子开关
- 室温连续工作的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器列阵被引量：1
- 1996年
- 报导了由选择氧化法研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡｓ经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于ｌｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并由此器件制成了２×３二维列阵。
- 林世鸣康学军高俊华高洪海王启明王红杰王立轩张春晖
- 关键词：垂直腔面发射激光器氧化法砷化镓ALGAAS
- InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器
- 1996年
- 报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器．采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室温脉冲工作，最低阈值电流达２０ｍＡ，激射波长为９１５ｎｍ。
- 刘颖杜国同姜秀英刘素平张晓波赵永生高鼎三林世呜高洪海高俊华王洪杰康学军
- 关键词：INGAAS面发射激光器
