罗丽萍
- 作品数：30 被引量：40H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- Si基长波长GeSiHPT探测器的研制
- 2002年
- 随着波分复用技术的发展，成本低廉，易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构，吸收系数小，SiGe探测器的应用受到限制。由于（heterojunction phototransistor异质结光敏晶体管）HPT具有内部增益，SiGeHPT有望得到广泛应用。本文在国内首次报道了利用自己研制的UHV-CVD生长的SiGeHPT。在该结衍射和TEM进行表征，并且制作了原型器件，器件的光电流谱表明器件在5V偏压下在1.3μm波段响应度达1mA/W，光增益约为10。同时我们设计了SOR上面的RCEHPT，并进行光电响应模拟，模拟表明RCE HPT的量子效率可达8%，增加吸收区材料Ge组分到0.5，量子效率可提高到30%，半高度为1.5nm，适应光通讯的要求。
- 毛容伟李成成步文黄昌俊左玉华李传波罗丽萍滕学恭余金中王启明
- 关键词：锗化硅半导体光电探测器光通信
- HF/CrO_3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备被引量：2
- 2002年
- 利用动态掩膜腐蚀技术 ,研究了 HF/ Cr O3腐蚀液对各种不同组分的 Alx Ga1 - x As(x =0 .3,0 .5 ,0 .6 5 )的腐蚀速率及腐蚀表面形貌 .随着 HF(48wt% ) / Cr O3(33wt% )的体积比由 0 .0 1变化到 0 .138,相应的腐蚀液对 Al0 .8-Ga0 .2 As/ Al0 .3Ga0 .7As的选择性由 179降到 8.6 ;通过调节腐蚀液的选择性 ,在 Al0 .3Ga0 .7As外延层上制备出了倾角从 0 .32°到 6 .6 1°的各种斜面 .当 HF(48wt% ) / Cr O3(33wt% )的体积比为 0 .0 2 8时 ,Al组分分别为 0 .3、0 .5和 0 .6 5时 ,相应的腐蚀表面的均方根粗糙度为 1.8、9.1和 19.3nm.另外 。
- 黄辉黄永清任晓敏高俊华罗丽萍马骁宇
- 关键词：选择性湿法刻蚀
- 硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法
- 一种硅基高量子效率共振腔增强型探测器，其特征在于，其结构包括：一个硅基片；一个探测器的有源区部分；一第一反射镜；一第二反射镜，该两个反射镜把探测器的有源区部分夹在中间，构成探测器的共振腔；一个键合界面层，该键合界面层的材...
- 毛容伟滕学公李传波左玉华罗丽萍成步文于金中王启明
- 文献传递
- Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长被引量：3
- 2009年
- 采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×105cm-2。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si与Ge的界面处形成失配位错来实现的。
- 成步文薛春来罗丽萍韩根全曾玉刚薛海韵王启明
- 关键词：硅基
- 155μm非晶硅热光F-P腔可调谐滤波器(英文)
- 2003年
- 介绍了一种Si基热光Fabry Perot (F P)腔可调谐滤波器 .F P腔由电子束蒸发的非晶硅构成 .利用非晶硅的热光效应 ,通过对Si腔加热 ,改变F P腔的折射率 ,从而引起透射峰位的红移 .该原型器件调谐范围为 1 2nm ,透射峰的FWHM (峰值半高宽 )为 9nm ,加热效率约为 0 1K/mW .精确控制DBR(分布式Bragg反射镜 )生长获得高反射率镜面是减小带宽的有效途径 ;通过改进加热器所处位置及增强散热能力 。
- 左玉华蔡晓毛容伟黄昌俊成步文李传波罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华王良臣余金中王启明
- 关键词：热光效应FABRY-PEROT可调谐滤波器非晶硅
- 硅基1.55μm可调谐共振腔窄带光电探测器的研究被引量：3
- 2005年
- 制作了一种低成本硅基1.55μm可调谐共振腔增强型探测器.首次获得硅基长波长可调谐共振腔探测器的窄带响应,共振峰量子效率达44%,峰值半高宽为12.5nm,调谐范围14.5nm,并且获得1.8GHz的高频响应.本制作工艺不复杂,成本低,有望用于工业生产.
- 毛容伟成步文李传波左玉华滕学公罗丽萍余金中王启明
- 关键词：INGAAS可调谐高频响应
- 500℃下利用UHV/CVD在Si衬底上直接生长近平面Si_(0.5)Ge_(0.5)层(英文)
- 2006年
- 利用UHV/CVD系统,在一个相对较低的温度500℃下,研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系,此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态。并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3.0 nm-Si0.5Ge0.5/3.4 nm-Si多量子阱。拉曼谱、高分辨显微电镜和光荧光谱对其结构和光学性能进行的表征表明这种相对较厚的Si0.5Ge0.5/Si多量子阱结构基本上仍是近平面生长的,内部没有位错,其在电学和光学器件上具有潜在的应用。
- 赵雷左玉华李传波成步文罗丽萍余金中王启明
- 关键词：UHV/CVD光荧光
- GaAs／GaAlAs低阈值垂直腔面发射激光器被引量：4
- 1994年
- 通过对增益波导型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ垂直腔面发射激光器的材料生长和工艺制作的研究，实现了在室温下的脉冲激射。其激射阈值电流低达１０ｍＡ，输出光功率不低于０．３ｍｗ，有的可达０．７ｍｗ以上，器件单横模、单纵模工作，线宽小于４人。
- 林世鸣吴荣汉黄永箴潘钟高洪海王启明段海龙高文智罗丽萍王立轩
- 关键词：垂直腔面发射激光器分子束外延
- 硅基1.55μm共振腔增强型探测器(英文)被引量：3
- 2005年
- 报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术 .高反射率的SiO2 /Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上 ,然后键合到InGaAs有源区上 ,键合温度为 35 0℃ ,无需特殊表面处理 ,反射镜的反射率可以高达 99 9%以上 ,制作工艺简单 ,价格便宜 .并获得硅基峰值响应波长为 1 5 4 μm ,量子效率达 2 2 6 %的窄带响应 ,峰值半高宽为 2 7nm .本方法有望用于工业生产 .
- 毛容伟左玉华李传波成步文滕学公罗丽萍张合顺于金中王启明
- 关键词：RCE探测器直接键合INGAAS
- 空间生长GaAs单晶做衬底的GaAs/AlGaAs DH激光器
- 1990年
- 我们首次用在中国返地卫星上生长的Si-GaAs单晶做衬底,成功地研制出室温CW工作的GaAs/AlGaAs质子轰击条形DH激光器,DH外延片是用LPE法生长的。激光器的最低阈电流20mA,激射波长857nm,输出功率可达30mW。
- 石志文罗丽萍林兰英
- 关键词：激光器GAAS单晶
