您的位置： 专家智库 > >

雷震霖

作品数：3 被引量：6H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇科技成果
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇导体
  • 1篇在线监控
  • 1篇气相沉积
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇高真空
  • 1篇硅片
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇RHEED
  • 1篇CVD
  • 1篇超高真空

机构

  • 3篇浙江大学

作者

  • 3篇雷震霖
  • 3篇叶志镇
  • 3篇赵炳辉
  • 2篇汪雷
  • 2篇黄靖云
  • 2篇赵科新
  • 1篇张银珠
  • 1篇汤建飞
  • 1篇曹青
  • 1篇吴贵斌
  • 1篇谢琪
  • 1篇谢琪
  • 1篇张振厚
  • 1篇张侃
  • 1篇吴光豪
  • 1篇李先杭
  • 1篇胡幸鸣
  • 1篇阙端麟
  • 1篇崔继峰
  • 1篇卢焕明

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2004
  • 1篇1996
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
先进高真空化学气相沉积系统研发及应用
叶志镇黄靖云雷震霖赵科新汪雷张振厚吴光豪汤建飞赵炳辉张银珠李先杭朱丽萍胡幸鸣
该项目属于薄膜材料先进制备技术领域。国内首先提出高真空技术和化学气相沉积相结合的概念，发展了一种高真空和超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）薄膜新技术。已授权专利4项，其中国家发明专利2项。1996年该项目自主设计、创...
关键词：
关键词：高真空化学气相沉积
高真空CVD低温外延技术及其应用
叶志镇赵炳辉黄靖云雷震霖谢琪赵科新汪雷吴贵斌崔继峰卢焕明
为了克服普通常压高温（＞1000℃）CVD外延技术基底杂质外扩散、自掺杂严重，不能生长亚微米、纳米薄层材料的缺点。我们于国内首先提出超高真空（UHV）CVD低温外延技术新思想，设计出第一个UHVCVD设备方案，建成了第一...
关键词：
关键词：半导体薄膜
具有RHEED在线监控功能的超高真空CVD系统及3＂硅片低温外延研究被引量：6
1996年
本文报道了自己研制的一台超高真空化学汽相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统，本底真空达１０－７Ｐａ．该系统配有反射高能电子衍射仪，可对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控．利用该设备进行了硅低温外延实验，生长温度为７８０℃，得到了表面平整、缺陷密度低、界面杂质分布陡峭的薄外延层．
叶志镇曹青张侃赵炳辉李剑光阙端麟谢琪雷震霖
关键词：硅片CVDRHEED在线监控
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0