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陆秀洪

作品数：2 被引量：12H指数：1
供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇低功耗
  • 2篇功耗
  • 2篇IGBT
  • 1篇电路
  • 1篇损耗
  • 1篇晶体管
  • 1篇集成电路
  • 1篇功率
  • 1篇功率损耗
  • 1篇仿真
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇LPL
  • 1篇新结构

机构

  • 2篇北京工业大学

作者

  • 2篇陆秀洪
  • 1篇亢宝位
  • 1篇吴郁
  • 1篇王哲
  • 1篇程序
  • 1篇高琰

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 2篇2001
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
新结构低功耗IGBT研究
该文提出了一种新结构的IGBT,命名为低功耗IGBT(LPL-IGBT).它的设计基于这样一种思路:保留NPT-IGBT在n<'->单晶衬底上制造、离子注入形成超薄且轻掺杂的背p<'+>发射区的特点,从而保留了NPT-I...
陆秀洪
关键词：半导体器件集成电路IGBT功率损耗
文献传递
低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真被引量：12
2001年
提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT的优点 ;同时具有由衬底预扩散残留层构成的 n型缓冲层 ,又具有 PT- IGBT的优点 .计算机仿真结果证明 ,它的关断损耗比 PT- IGBT和 NPT- IGBT降低一倍左右 .它的结构比
吴郁陆秀洪亢宝位王哲程序高琰
关键词：仿真IGBT晶体管
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共1页<1>
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