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邱伟彬

作品数:52 被引量:57H指数:4
供职机构:华侨大学更多>>
发文基金:福建省自然科学基金国家自然科学基金福建省科技计划重点项目更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 25篇专利
  • 24篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 19篇电子电信
  • 10篇理学
  • 8篇机械工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇折射率
  • 10篇石墨
  • 10篇石墨烯
  • 8篇半导体
  • 8篇波导
  • 6篇传感
  • 5篇狄拉克
  • 5篇折射率传感
  • 5篇磷化铟
  • 5篇晶体
  • 5篇负折射
  • 5篇负折射率
  • 5篇感器
  • 5篇MOVPE
  • 5篇传感器
  • 4篇电子器件
  • 4篇折射率传感器
  • 4篇硫化锌
  • 4篇光电
  • 4篇光电子

机构

  • 34篇华侨大学
  • 15篇中国科学院
  • 5篇厦门大学
  • 2篇北京工业大学
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 51篇邱伟彬
  • 12篇王圩
  • 9篇董杰
  • 6篇王加贤
  • 6篇周帆
  • 4篇柳兆洪
  • 4篇李国刚
  • 4篇林志立
  • 4篇黄锐敏
  • 3篇马钰慧
  • 3篇杨骁
  • 2篇崔碧峰
  • 2篇孙书农
  • 2篇潘教青
  • 2篇陈振湘
  • 2篇王余姜
  • 2篇阚强
  • 2篇苏道军
  • 2篇王晓玲
  • 2篇李靖坤

传媒

  • 6篇华侨大学学报...
  • 6篇激光与光电子...
  • 4篇Journa...
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇电子学报
  • 1篇厦门大学学报...
  • 1篇电子器件
  • 1篇半导体光电
  • 1篇高教学刊
  • 1篇中国光学(中...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 3篇2024
  • 4篇2023
  • 4篇2022
  • 4篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 6篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2005
  • 3篇2004
  • 4篇2003
  • 3篇2002
  • 2篇2001
  • 3篇1997
  • 1篇1996
52 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
光电子器件和自对准模斑转换器集成的选区外延方法
本发明一种光电子器件和自对准模斑转换器集成的选区外延方法,该方法包括如下的生长步骤:(1)在衬底上平面生长缓冲层、下限制层和有源层;(2)在平面生长后,根据二氧化硅掩模形状,选择生长预定厚度的上限制层和垂直方向上的楔型波...
邱伟彬王圩董杰
文献传递
光谱分析仪及其G-T谐振腔阵列的制作方法
本发明公开一种光谱分析仪,包括一个二维的G-T谐振腔阵列和与之对应的二维CCD型探测器,该G-T谐振腔阵列前端反射率梯度变化,后端固定高反射率,调整G-T谐振腔阵列和CCD型探测器之间的相对位置,使得二维的G-T谐振腔阵...
邱伟彬王加贤
文献传递
Selective Area Growth InGaAsP by MOVPE
2003年
The wide stripe (15μm) selective area growth (SAG) of InGaAsP by low pressure MOVPE is systematically investigated.The characteristics of the growth ratios,thickness enhancement factors,bandgap modulation,and composition modulation vary with the growth conditions such as mask width,growth pressure.Flux of Ⅲ group precursors are outlined and the rational mechanism behind SAG MOVPE is explained.In addition,the surface spike of the SAG InGaAsP is shown and the course of it is given by the variation of Ⅴ/Ⅲ.
邱伟彬董杰王圩周帆
关键词:SAGMOVPEINGAASP
基于石墨烯七聚体法诺共振的折射率传感器
本实用新型公开的基于石墨烯七聚体法诺共振的折射率传感器,包括一Y型光纤环形器,其具有三个端口,分别为输入端、传感端和输出端;以及一设置在所述前述传感端的二氧化硅表面之上的石墨烯七聚体,该石墨烯七聚体可产生高品质的法诺共振...
任骏波邱伟彬陈厚波
文献传递
InGaAsP材料的厚度增强因子随选择外延MOVPE生长条件的变化
2001年
利用扫描电子显微镜(SEM)研究了在选择外延MOVPE生长InGaAsP材料中,厚度增强因子随SiO2掩模宽度的变化,生长条件(如生长压力、Ⅲ族源流量等)对厚度增强因子的影响.随着生长压力的增加,生长速率下降,选择性增强;随着In源流量的增加,生长速率上升,选择性下降.制备了最大厚度增强因子达3.4的InGaAsP体材料.通过扫描电镜观察,得到了较平坦的生长界面和表面形貌.为用选择生长法制备DFB激光器与模斑转换器集成器件提供有效的方法.(OH12)
邱伟彬董杰朱洪亮周帆王圩
关键词:MOVPE生长
一种紫外荧光滤光片及其制备方法
本发明提供一种紫外荧光滤光片,所述紫外荧光滤光片可用于皮肤损伤检测,所述紫外荧光滤光片包括一基片、一(G(0.5HL0.5H)<Sup>^s</Sup>A)膜系,所述(G(0.5HL0.5H)<Sup>^s</Sup>A...
马钰慧邱伟彬
文献传递
InGaAsP材料的厚度增强因子随选择外延MOVPE生长条件的变化
利用扫描电子显微镜(SEM)研究了在选择外延MOVPE生长InGaAsP材料中,厚度增强因子随SiO<,2>掩模宽度的变化,生长条件(如生长压力、Ⅲ族源流量等)对厚度增强因子的影响.随着生长压力的增加,生长速率下降,选择...
邱伟彬董杰周帆王圩
关键词:半导体材料
文献传递
偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器两用器件
一种偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器两用器件,该器件包括:一n型重掺杂的磷化铟衬垫;一n型掺杂的磷化铟缓冲层,该n型掺杂的磷化铟缓冲层制作在n型重掺杂的磷化铟衬垫上;一不掺杂下限制层,该下限制层制作在缓冲层上;一不...
邱伟彬王圩
文献传递
薄膜ZnS:Er^(3+)的近红外发光被引量:13
1997年
报道了用分舟热蒸发法研制的掺铒硫化锌薄膜器件的电致近红外发光特性,用X射线衍射技术对薄膜的微观结构进行研究,指出了掺铒薄膜发光与薄膜微结构的关系.
陈谋智柳兆洪王余姜邱伟彬刘瑞堂
关键词:硫化锌微观结构掺铒
基于Fano共振的石墨烯超材料传感特性研究被引量:4
2021年
提出了一种基于Fano共振的太赫兹生物传感器,该传感器由石墨烯微盘三聚体结构组成。使用有限元方法分析了该结构的传输特性。仿真结果表明:石墨烯三聚体结构可以激发Fano共振,该传感器在太赫兹波段的灵敏度可以达到2 THz/RIU,品质因数可达到8;利用石墨烯化学势可以调节谐振峰值,因此在太赫兹波段可实现对谐振峰值的主动调控。该结构为基于超材料的超灵敏太赫兹传感器提供了一种设计思路,在微纳米级厚度的物质传感与探测方面具有潜在的应用价值。
赵静王加贤邱伟彬赵泽阳
关键词:表面光学表面等离激元有限元方法
共6页<123456>
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