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连续自对准半导体光电子器件与模斑转换器的集成: 一种连续自对准半导体光电子器件与模斑转换器的集成方法，包括如下步骤：利用金属有机气相化学沉积技术在铟磷衬底上生长铟磷缓冲层、铟镓砷磷下波导限制层、铟磷隔离层、有源区结构、薄层铟镓砷磷上限制层和铟磷保护层；光刻腐蚀出模斑转...; 张瑞英王圩董杰; 文献传递

光电子器件和自对准模斑转换器集成的选区外延方法: 本发明一种光电子器件和自对准模斑转换器集成的选区外延方法，该方法包括如下的生长步骤：(1)在衬底上平面生长缓冲层、下限制层和有源层；(2)在平面生长后，根据二氧化硅掩模形状，选择生长预定厚度的上限制层和垂直方向上的楔型波...; 邱伟彬王圩董杰; 文献传递

Selective Area Growth InGaAsP by MOVPE: 2003年; The wide stripe (15μm) selective area growth (SAG) of InGaAsP by low pressure MOVPE is systematically investigated.The characteristics of the growth ratios,thickness enhancement factors,bandgap modulation,and composition modulation vary with the growth conditions such as mask width,growth pressure.Flux of Ⅲ group precursors are outlined and the rational mechanism behind SAG MOVPE is explained.In addition,the surface spike of the SAG InGaAsP is shown and the course of it is given by the variation of Ⅴ/Ⅲ.; 邱伟彬董杰王圩周帆; 关键词：SAG MOVPE INGAASP

InGaAsP材料的厚度增强因子随选择外延MOVPE生长条件的变化: 2001年; 利用扫描电子显微镜(SEM)研究了在选择外延MOVPE生长InGaAsP材料中,厚度增强因子随SiO2掩模宽度的变化,生长条件(如生长压力、Ⅲ族源流量等)对厚度增强因子的影响.随着生长压力的增加,生长速率下降,选择性增强;随着In源流量的增加,生长速率上升,选择性下降.制备了最大厚度增强因子达3.4的InGaAsP体材料.通过扫描电镜观察,得到了较平坦的生长界面和表面形貌.为用选择生长法制备DFB激光器与模斑转换器集成器件提供有效的方法.(OH12); 邱伟彬董杰朱洪亮周帆王圩; 关键词：MOVPE生长

大带宽半导体光学放大器的理论分析: 2002年; 提出一种新型的半导体光学放大器结构 ,并从增益谱和能带结构等角度分析其特征 ,得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律 .通过剖析该结构中有源区各部分的作用 ,得出大的张应变的引入主要是用于提高 TM模的材料增益 ,获得偏振不灵敏和大的 TE模带宽 ,减小制备难度 .厚的无应变层的引入主要是为了改善有源层晶体质量 ,获得大的偏振不灵敏模式增益 .; 张瑞英董杰张靖冯志伟王圩; 关键词：半导体光学放大器偏振不灵敏 3DB带宽 SOA 增益谱

选择外延MOVPE的表面迁移: 2002年; 研究了采用选择外延MOVPE生长InGaAsP的组分随掩模宽度的变化规律 ,以及InGaAsP表面边缘尖角随Ⅴ /Ⅲ比的变化。结果表明 ,随着掩模宽度的增大 ,In组分增大 ,Ga组分减少 ;随着Ⅴ /Ⅲ比的增大 ,InGaAsP材料表面趋向平坦。对材料边缘尖角的变化规律作出了合理解释 ,研制出表面平坦的外延材料。; 邱伟彬董杰周帆王圩; 关键词：INGAASP

光电子器件和自对准模斑转换器集成的选区外延方法: 本发明一种光电子器件和自对准模斑转换器集成的选区外延方法，该方法包括如下的生长步骤：(1)在衬底上平面生长缓冲层、下限制层和有源层；(2)在平面生长后，根据二氧化硅掩模形状，选择生长预定厚度的上限制层和垂直方向上的楔型波...; 邱伟彬王圩董杰; 文献传递

窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究被引量：1: 2002年; 采用窄条宽选区生长化学气相沉积(NSAG-MOCVD)技术在掩膜宽度0～40μm范围内,获得波长漂移达177.5nm的高质量的InGaAsP材料,经推导,获得各个生长区域的组份、应变和In,Ga的气相浓度增加因子的比值随掩膜条宽的变化关系,并且认为该比值在阈值掩膜宽度范围内,与Ⅲ族分压比相关,大于阈值掩膜宽度范围内,与Ⅲ族源无关。此外,对材料富In现象作了合理解释。; 张瑞英董杰周帆李国华边静冯志伟王圩; 关键词：化学气相沉积 INGAASP 波长调制

偏振不灵敏半导体光学放大器的制备方法: 一种偏振不灵敏半导体光学放大器的制备方法，包括如下步骤：1)利用等离子体化学气相沉积技术在铟磷衬底上生长介质膜；2)利用普通的光刻腐蚀技术刻出半导体光学放大器所需的掩膜图形；3)采用窄条宽选择生长金属有机化学气相沉积技术...; 张瑞英董杰王圩; 文献传递

偏振可控光电子器件的制备方法: 本发明一种新型偏振可控光电子器件的制备方法,是利用波长为1.3μm－1.63μm的铟镓砷(磷)/铟磷材料,同时引进不同厚度的张应变、压应变或晶格匹配层,随意改变各应变层的位置,从而获得对TE模和TM模具有相同放大增益效果...; 董杰张瑞英王圩; 文献传递

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董杰