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柳兆洪
作品数:
26
被引量:76
H指数:7
供职机构:
厦门大学物理与机电工程学院物理学系
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合作作者
陈谋智
厦门大学物理与机电工程学院物理...
孙书农
物理学系
王余姜
厦门大学物理与机电工程学院物理...
陈振湘
厦门大学物理与机电工程学院物理...
邱伟彬
厦门大学物理与机电工程学院物理...
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2篇
2000
5篇
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1998
9篇
1997
1篇
1996
1篇
1995
2篇
1993
1篇
1991
1篇
1985
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硫化锌的光电子发射结构
被引量:5
1997年
对硫化锌粉料、硫化锌半导体微晶薄膜进行了X射线光电子发射谱剖析。获得粉料、薄膜表层及表层下的电子态信息,揭示了硫化锌粉料。
柳兆洪
王余姜
陈谋智
林爱清
关键词:
化合物半导体
室温射频磁控溅射沉积ITO薄膜的研究
被引量:9
1997年
报道透明导电膜不加衬底温度、无需沉积后的退火工艺、用射频磁控溅射沉积氧化铟、锡(ITO)薄膜获得电阻率3×10-4Ω·cm,在可见光区平均透光率84%的优良性能.
纪安妮
孙书农
柳兆洪
刘瑞堂
关键词:
磁控溅射
ITO薄膜
晶体结构
扫描电镜
铒近红外发光的瞬态特性
被引量:1
1999年
报道了用分舟热蒸发研制的掺铒硫化锌薄膜器件的电致近红外发光的瞬态特性,首次运用多段式指数衰减公式与高斯函数复合,描述薄膜发光的瞬态过程,理论结果与实验数据十分接近,证实薄膜的定域能级对器件的弛豫发光产生了影响.
柳兆洪
林凡丝
王余姜
刘瑞堂
江炳熙
关键词:
硫化锌薄膜
瞬态特性
铒
硫化锌薄膜直流场致发光中多声子跃迁
了掺铒硫化锌薄膜中,温度对直流场致发光发射谱半宽强度、峰值位置及激发态寿命的影响,探讨了多声子过程在这种材料EL中的重要性。实验结果表明:⒈场致发光谱线强度,在80°K—250°K间,温度上升,谱线强...
柳兆洪
洪良基
关键词:
硫化锌
声子
发光光谱
激发态
谱线宽度
硫化锌薄膜的制备和结构分析
被引量:5
1997年
用常规分舟热蒸发法在玻璃衬底上制备硫化锌薄膜,用X射线衍射和透射电子显微镜研究该薄膜的晶体结构,发现硫化锌薄膜与流化锌粉末在晶体结构上存在差异,实验证实硫化锌晶体是具有高于性的共价键晶体。
柳兆洪
刘瑞堂
孙书农
陈振湘
胡启富
邱伟彬
纪安妮
林爱清
关键词:
硫化锌薄膜
化合物半导体
硫化锌发光薄膜中铒发光中心
被引量:2
1991年
观察硫化锌发光薄膜中铒离子各激发态发射光谱的瞬态特性,测量时间常数随外加电压的变化规律,分析硫化锌薄膜中铒发光中心的能量状态。
柳兆洪
洪良基
关键词:
硫化锌
场致发光
半导体
铒
铜浓度对硫化锌DCEL的影响
1993年
通过对所制掺有不同铜浓度的ZnS:Cu,Cl,Er直流电致发光薄膜器件的光谱特性及光伏特性的研究,寻找ZnS:Cu,Cl,Er DCEL器件的最佳铜浓度.
柳兆洪
连伟
关键词:
光谱特性
光伏特性
硫化锌薄膜的微结构和表面特性研究
被引量:8
1998年
对射频磁控溅射法制备的掺铒硫化锌薄膜,运用X射线衍射和X射线光电子能谱技术,获得微晶薄膜的微结构和表面构态信息,揭示了电致发光薄膜的表面构态对激发态的影响。
陈谋智
陈朋
柳兆洪
陈振湘
孙书农
刘瑞堂
关键词:
电致发光
激发态
硫化锌
溅射法制备硫化锌薄膜的探索
被引量:15
1997年
利用射频磁控溅射法制备硫化锌薄膜,用X射线衍射、透射电镜、研究薄膜的结构相变,揭示了硫化锌薄膜的微观结构和相变特征.
柳兆洪
孙书农
王余姜
陈振湘
刘瑞堂
关键词:
射频磁控溅射
硫化锌
溅射法
溅射法制备硫化锌薄膜的XPS剖析
被引量:5
1997年
用X射线光电子能谱(XPS)技术,测量了射频磁控溅射法(RFMS)制备的硫化锌薄膜(ZnS:Er3+)的表面及内部构态,认为氧吸附形成的表面构态是产生薄膜界面态和界面陷阱能级的主要原因,对研究器件的激发过程有参考意义。
陈谋智
柳兆洪
孙书农
邱伟彬
刘瑞堂
关键词:
半导体薄膜
硫化锌
射频磁控溅射
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