谢自立
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 立式HVPE反应器生长GaN模拟研究
- 利用有限元法对新设计的HVPE系统工艺参数进行了优化,发现衬底与气体入口距离为5厘米时,沉积的均匀性较好。在此基础上,模拟得到了优化的生长参数。模拟的结果还表明重力和浮力对GaN沉积均有影响。
- 赵传阵张荣修向前谢自立刘斌刘占辉颜怀跃郑有炓
- 关键词：氮化镓气相外延流体动力学有限元法
- 文献传递
- AlGaN纳米柱光场强度的计算及其影响机制被引量：1
- 2018年
- 使用时域有限差分法（FDTD）研究了AlGaN纳米柱的光学性质。通过仿真分析了铝组分的变化对纳米柱内外光场强度的影响。结果表明，在固定纳米柱尺寸条件下，纳米柱内部场强随铝组分显著变化，最大相差一倍，外部场强同样强烈依赖于铝组分。研究分析了纳米柱直径和高度对内部电场强度的影响。结果表明，纳米柱的内部场强受直径的影响比受高度的影响更为显著，在450nm波长下，直径大于120nm的纳米柱才能形成柱内模式分布。此外，在AlGaN纳米柱结构基础上引入铝金属薄膜，研究了不同波长下铝薄膜厚度对纳米柱电场分布的影响。研究发现，随着铝薄膜厚度的增加，在280和380nm波长下，纳米柱内外电场强度逐渐降低，而在450nm波长下，纳米柱内外场强增强倍数先逐渐减小再缓慢增大。
- 高鹏方华杰蒋府龙刘梦涵徐儒周婧张熬陈鹏刘斌修向前谢自立韩平施毅张荣郑有炓
- 关键词：电场强度
- 在化合物半导体表面制作纳米图形的方法
- 本发明公开了一种在化合物半导体表面制作纳米图形的方法，其步骤包括：在化合物半导体表面上制备金属薄膜，然后对基片进行高温退火处理，利用金属薄膜在高温时由于表面张力引起的自组织现象，在基片上制作金属薄膜的纳米图形，然后把金属...
- 陈鹏蒋府龙刘亚莹张荣刘斌谢自立陈敦军
- 文献传递
- GaN微盘模式分布与强度研究
- 2018年
- 使用时域有限差分方法系统地研究了直径从2μm到50μm的GaN基微盘在蓝光波段的模式强度和分布。设计了一种可以比拟微盘内高密度激子分布的偶极子排布方式,使其能够激发盘内所有光学模式。研究了盘内最大激发强度和有效共振频率数量随微盘直径的变化关系,揭示了盘内模式间的竞争关系,并给出了微盘内三种典型的激发后的光场分布。
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- 关键词：回音壁模式时域有限差分法光学微腔氮化镓
- GaN纳米柱的量子效率研究
- 2014年
- 主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光功率为0.5mW时,GaN纳米柱的积分PL强度是薄膜的12.2倍,这表明GaN纳米柱具有比薄膜更高的内量子效率和光引出效率.另外,依据高低温积分PL强度比的方法计算得到激发光功率0.5mW时,GaN纳米柱的内量子效率低于薄膜,该计算结果违背由实验现象得到的结果,这表明该内量子效率的计算方法是不合适的,因而建立了一种新模型,得到GaN纳米柱和薄膜的内量子效率比随激发光功率的变化规律,结果表明GaN纳米柱的内量子效率表现显著优于薄膜.
- 李扬扬陈鹏蒋府龙杨国锋刘斌谢自立修向前韩平赵红华雪梅施毅张荣郑有炓
- 关键词：量子效率
- 界面极化效应对Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结pin探测器光电响应的影响被引量：1
- 2007年
- 设计了正面入射的探测波长范围限制在326～365nm的AlxGa1-xN/GaN异质结pin光电探测器.利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了AlxGa1-xN/GaN异质结在无极化、完全极化和部分极化的能带图,结合光电响应谱的模拟,分析了界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin紫外光电探测器响应特性的影响并提出了改善方法.
- 周建军江若琏姬小利谢自立韩平张荣郑有炓
- 关键词：极化效应ALGAN/GAN异质结PIN探测器
