- 利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法
- 一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；步骤2：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝...
- 刘文宝孙苋赵德刚刘宗顺张书明朱建军杨辉
- 文献传递
- Schottky结构与p-i-n结构GaN紫外探测器的制作、测量和特性比较
- 本文研究了Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器的结构特点和器件特性。制作了可比较的Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器,对它们的I-V特性曲线和光谱响应度曲线进行了测量和分析.经过比较发现...
- 张爽杨辉赵德刚刘宗顺朱建军张书明段俐宏刘文宝孙苋江德生
- 关键词：紫外探测器光谱响应特性
- 文献传递
- 生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响被引量：2
- 2007年
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分、结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提高,但结晶品质显著下降.X射线衍射(XRD)联动扫描的结果显示即使在In组分增大至0.57时也没有发现相分离现象,光致发光(PL)谱测量的结果表明InGaN薄膜的PL峰位随着In组分升高而向低能方向移动,半高宽随着In组分增加而增加.
- 王莉莉王辉孙苋王海朱建军杨辉梁骏吾
- 关键词：INGANX射线衍射光致发光
- 氮化镓基多波段探测器及其制作方法
- 一种氮化镓基多波段探测器，包括：一衬底；一短波段探测单元，包括：一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处；一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上；一中波段探测单元，包括：一第二宽带隙材料层生长在衬底上面...
- 刘文宝孙苋赵德刚刘宗顺张书明朱建军杨辉
- Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法
- 一种III族氮化物纳米材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次外延生长GaN模板、SiO<Sub>2</Sub>层和Ni金属膜；步骤2：采用两步快速热退火方法，使Ni金属膜形成自组织的纳米尺寸Ni颗粒；步骤3：...
- 孙苋刘文宝朱建军江德生王辉张书明刘宗顺杨辉
- 利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法
- 一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；步骤2：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝...
- 刘文宝孙苋赵德刚刘宗顺张书明朱建军杨辉
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- InN的光学性质研究
- 本文对用MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition)技术生长在GaN/Saphire衬底上的InN薄膜进行Hall、吸收谱以及光致发光(PL:Photoluminescenc...
- 孙苋王辉王莉莉江德生杨辉
- 关键词：INN薄膜MOCVD生长吸收谱PL谱HALL
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- 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器
- 一种基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器，包括：一衬底；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一I型有源层，该I型有源层制作在N型欧姆接触层上面的中间，该I型有源层的面积小于N型欧姆接触层的面积，使N型欧姆接...
- 张爽赵德刚刘文宝孙苋刘宗顺张书明朱建军王辉段俐宏杨辉
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- 生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分,结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提...
- 王莉莉王辉孙苋王海朱建军杨辉梁骏吾
- 关键词：INGAN薄膜MOCVDX射线衍射光致发光生长温度
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- InGaN肖特基接触的研究
- 采用MOCVD方法生长出非故意掺杂InGaN薄膜,在此外延层上制作Ni/Au金属接触。通过测量器件的I-V曲线发现存在明显的整流特性,表明Ni/Au和n-InGaN之间形成了Schottky接触。为了进一步确认Schot...
- 孙苋刘文宝江德生赵德刚刘宗顺朱建军张书明段俐宏杨辉
- 关键词：INGAN薄膜肖特基接触MOCVD法
- 文献传递
