孙艳玲
- 作品数：7 被引量：26H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 重掺杂多晶硅栅功率VDMOSFET辐射效应研究
- 开展了不同工艺制作的重掺杂多晶硅栅n沟增强型功率VDMOSFET电离辐照效应实验研究,从n型重掺杂多晶硅制作工艺引起晶粒间复杂结构变化的角度分析解释了辐照实验中出现的阈值电压正漂和负漂两种不同趋势的辐射效应,提出了利用改...
- 段雪董四华刘英坤田秀伟邓建国孙艳玲冯彬
- 关键词：VDMOSFET电离辐射阈值电压
- 文献传递
- 2～4 GHz MMIC低噪声放大器被引量：7
- 2014年
- 采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器（MMIC LNA）。该低噪声放大器采用两级级联的电路结构,第一级折中考虑了低噪声放大器的最佳噪声和最大增益,采用源极串联负反馈和输入匹配电路,实现噪声匹配和输入匹配。第二级采用串联、并联负反馈,提高电路的增益平坦度和稳定性。每一级采用自偏电路设计,实现单电源供电。MMIC芯片测试结果为：工作频率为2~4 GHz,噪声系数小于1.0 dB,增益大于27.5 dB,1 dB压缩点输出功率大于18 dBm,输入、输出回波损耗小于-10 dB,芯片面积为2.2 mm×1.2 mm。
- 孙艳玲许春良樊渝魏碧华
- 关键词：负反馈
- 功率VDMOSFET单粒子效应研究被引量：4
- 2008年
- 阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过对所研制的漏源击穿电压分别为65V和112V两种n沟功率VDMOS-FET器件样品进行锎源252Cf单粒子模拟辐射实验,研究了新技术VDMOSFET的单粒子辐射敏感性。实验结果表明,两种器件样品在锎源单粒子模拟辐射实验中的漏源安全电压分别达到61V和110V,验证了新结构和新工艺在提高功率VDMOSFET抗单粒子效应方面的有效性。
- 段雪郎秀兰刘英坤董四华崔占东刘忠山孙艳玲胡顺欣冯彬
- 关键词：单粒子烧毁
- 微波功率LDMOS的工艺仿真及研制被引量：1
- 2007年
- 利用工艺仿真软件Tsuprem 4,针对氧化、退火等工艺进行仿真及校准,并据此对LDMOSFET进行了设计及工艺仿真。结合Medici得到LDMOSFET的结构参数以及相应电学参数,与研制结果进行了比较,仿真结果与实际研制结果吻合较好,实现了在工作频率1 GHz,VDD=28 V条件下,输出功率Po=10 W,Gp=10 dB,η=55%的良好性能。
- 冯彬刘英坤孙艳玲段雪董四华
- 50～75MHz550W脉冲功率LDMOSFET器件研制被引量：7
- 2014年
- 介绍了射频功率横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）器件的设计原理，分析了影响器件输出功率、增益、效率和可靠性的关键因素。报道了采用扩散通源结构实现源极到衬底的低阻导通，采用TiSi，／多晶硅复合栅结构降低栅电阻以及采用单层屏蔽栅场板结构和双层金属布线工艺成功研制出一种甚高频（VHF），大功率LDMOSFET器件。器件在工作频率50-75MHz、工作电压36V、工作脉宽10ms和占空比30％的工作条件下带内输出功率大于550W、功率增益大于20dB、漏极效率大于60％和抗驻波比大于5：1，表现出了良好的微波性能。器件经过高温反偏、高温存储和高低温循环等可靠性筛选，性能稳定，具备工程化实用能力。
- 邓建国张晓帆刘英坤胡顺欣孙艳玲郎秀兰
- 关键词：LDMOSFET长脉冲
- 杂质分布的红外光谱椭偏分析方法
- 2014年
- 在半导体工艺中,掺杂杂质类型、浓度及结深的改变都会引起不同频率的红外光谱,介绍了一种通过红外椭偏仪测量浅结杂质分布的方法。利用Drude方程将Si中不同掺杂与其引起的光学常量的变化对应起来,通过红外椭偏分量Ψ和Δ的测量及模型拟合来测定半导体中载流子的浓度分布。并建立高斯渐变层模型,即将离子注入退火后的非均匀掺杂层分成n小层,各层载流子浓度之间符合高斯分布,且每一层载流子浓度可以用Drude方程来描述。测量采用了可变角度的红外光谱椭偏仪,该测量方法具有非接触性、非破坏性的优点,测量快捷方便。
- 孙艳玲王于辉邓建国
- 关键词：红外椭偏仪结深高斯
- 通过TRL校准提取管芯S参数的技术被引量：7
- 2007年
- 介绍了一种基于TRL法的提取管芯S参数的方法。该方法从TRL校准出发,实际测量得到封装器件的S参数;管芯以外的参量(管壳及键和线)用等效电路表示,最后用微波仿真软件模拟得到管芯S参数。此方法在没有精确的测试夹具条件下,仍可以得到较理想的器件和管芯S参数。实验证明该方法简便、实用性强,可推广应用于不宜直接测量管芯S参数的器件。
- 董四华刘英坤冯彬孙艳玲
- 关键词：仿真
