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冯彬

作品数：24 被引量：23H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇测试夹具
  • 5篇散射参数
  • 5篇功率器件
  • 5篇共面
  • 4篇电路
  • 4篇微波
  • 4篇微波功率器件
  • 4篇校准
  • 3篇太赫兹
  • 3篇共面波导
  • 3篇赫兹
  • 3篇波导
  • 2篇导体
  • 2篇电路结构
  • 2篇定标
  • 2篇信号
  • 2篇信号模型
  • 2篇映射
  • 2篇有源
  • 2篇有源器件

机构

  • 24篇中国电子科技...
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇廊坊广播电视...

作者

  • 24篇冯彬
  • 17篇李静强
  • 17篇胡志富
  • 17篇刘亚男
  • 17篇曹健
  • 17篇何美林
  • 13篇杜光伟
  • 6篇王亚冰
  • 5篇刘英坤
  • 5篇董四华
  • 4篇孙艳玲
  • 3篇段雪
  • 3篇邓建国
  • 3篇胡顺欣
  • 1篇韩东
  • 1篇田秀伟
  • 1篇郎秀兰
  • 1篇王胜福
  • 1篇苏延芬
  • 1篇刘忠山

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 2篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2021
  • 6篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 5篇2015
  • 1篇2012
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
功率VDMOSFET单粒子效应研究被引量：4
2008年
阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过对所研制的漏源击穿电压分别为65V和112V两种n沟功率VDMOS-FET器件样品进行锎源252Cf单粒子模拟辐射实验,研究了新技术VDMOSFET的单粒子辐射敏感性。实验结果表明,两种器件样品在锎源单粒子模拟辐射实验中的漏源安全电压分别达到61V和110V,验证了新结构和新工艺在提高功率VDMOSFET抗单粒子效应方面的有效性。
段雪郎秀兰刘英坤董四华崔占东刘忠山孙艳玲胡顺欣冯彬
关键词：单粒子烧毁
微波电路非线性模型建立方法、测量系统及终端设备
本发明适用于微波电路技术领域，提供了微波电路非线性模型建立方法、测量系统及终端设备。该方法包括：在输出端口的反射系数为第一固定值时，调节输入端口的入射功率波大小，获取输出端口的入射功率波和出射功率波，以及输出端口的入射功...
李静强曹健胡志富刘亚男彭志农冯彬杜光伟何美林王亚冰何锐聪
文献传递
太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法
本发明公开了一种太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法，涉及太赫兹器件散射参数测试装置技术领域。所述校准件包括衬底，所述衬底的上表面制作有一个直通标准件、一个反射标准件和至少一个传输线标准件，所述衬底的下表面制作有背面...
刘亚男胡志富杜光伟李静强冯彬彭志农何美林曹健
用于太赫兹有源器件的神经网络建模方法
本发明公开了一种用于太赫兹有源器件的神经网络建模方法，涉及太赫兹器件建模方法技术领域。所述方法在单纯神经网络建模的基础上加上空间映射的方法，将粗模型的输入电压通过神经网络映射到最终的精确模型的输入电压，由太赫兹有源器件的...
杜光伟胡志富刘亚男李静强冯彬彭志农何美林曹健
文献传递
重掺杂多晶硅栅功率VDMOSFET辐射效应研究
开展了不同工艺制作的重掺杂多晶硅栅n沟增强型功率VDMOSFET电离辐照效应实验研究,从n型重掺杂多晶硅制作工艺引起晶粒间复杂结构变化的角度分析解释了辐照实验中出现的阈值电压正漂和负漂两种不同趋势的辐射效应,提出了利用改...
段雪董四华刘英坤田秀伟邓建国孙艳玲冯彬
关键词：VDMOSFET电离辐射阈值电压
文献传递
一种提取GaNHEMT器件电热模型参数的方法及夹具
本发明公开了一种提取GaN HEMT器件电热模型参数的方法，涉及GaN HEMT等效电路大信号建模技术领域；包括：将GaN HEMT器件安装到夹具上，夹具安装在红外热像仪上；对GaN HEMT器件施加偏置电压，使GaN ...
李静强胡志富刘亚男彭志农冯彬杜光伟曹健何美林
在片微波探针测试夹具
本实用新型公开了一种在片微波探针测试夹具，涉及微波在片测试方法技术领域。所述测试夹具包括第一测试PAD、第二测试PAD、第三测试PAD、第一对位标记、第二对位标记、第三对位标记和第四对位标记。通过测试夹具上的对位标记，在...
胡志富刘亚男杜光伟李静强何美林冯彬彭志农曹健
文献传递
射频功率Trench MOSFET研制被引量：1
2008年
在国内首次研制出了一种采用条状元胞结构、特殊的栅槽刻蚀条件、特殊的栅介质生长前处理工艺及多晶硅栅的射频功率Trench MOSFET器件。该器件漏源击穿电压大于62V、漏极电流大于3．0A、跨导大于0．8S、阂值电压2～3V、导通电阻比同样条件的VDMOS降低了19％～43％，在175MHz、VDS=12VTN出功率Po为7W、漏极效率ηD为44％、功率增益GP为10dB。
苏延芬刘英坤邓建国胡顺欣冯彬董四华
关键词：TRENCHMOSFET导通电阻饱和压降
一种测试夹具的散射参数提取方法
本发明适用于微波测量及校准技术领域，提供了一种测试夹具的散射参数提取方法，包括：根据被测微波功率器件的封装形式，制作不包括馈线的TRL校准件，并计算所述TRL校准件的传输矩阵参数；根据微波功率器件的封装形式及工作频段，制...
曹健李静强胡志富刘亚男冯彬彭志农何美林王亚冰何锐聪
文献传递
太赫兹在片散射参数测量校准件
本实用新型公开了一种太赫兹在片散射参数测量校准件，涉及太赫兹器件散射参数测试装置技术领域。所述校准件包括衬底，所述衬底的上表面制作有一个直通标准件、一个反射标准件和至少一个传输线标准件，所述衬底的下表面制作有背面金属层，...
刘亚男胡志富杜光伟李静强冯彬彭志农何美林曹健
文献传递
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