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刘亚男

作品数：28 被引量：13H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 6篇电路
  • 6篇太赫兹
  • 6篇微波
  • 6篇校准
  • 6篇赫兹
  • 6篇测试夹具
  • 5篇散射参数
  • 5篇共面
  • 5篇波导
  • 4篇探针
  • 4篇微波功率器件
  • 4篇功率器件
  • 3篇共面波导
  • 3篇HEMT器件
  • 2篇单片
  • 2篇导体
  • 2篇电极
  • 2篇电路结构
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇定标

机构

  • 28篇中国电子科技...

作者

  • 28篇刘亚男
  • 21篇胡志富
  • 19篇曹健
  • 18篇何美林
  • 17篇冯彬
  • 17篇李静强
  • 15篇杜光伟
  • 7篇王亚冰
  • 3篇崔玉兴
  • 2篇付兴昌
  • 2篇潘宏菽
  • 2篇吴爱华
  • 2篇田秀伟
  • 2篇刘晨
  • 2篇马杰
  • 2篇梁法国
  • 2篇王一帮
  • 2篇何庆国
  • 2篇孙希国
  • 1篇吴洪江

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 2篇太赫兹科学与...

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 7篇2019
  • 4篇2018
  • 4篇2017
  • 2篇2016
  • 6篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2010
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
太赫兹InP HEMT器件的研究被引量：1
2016年
采用减小栅长的方法可以显著提高In P高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的直流和微波性能,并使器件的工作频率上升到太赫兹频段。分别制备了不同栅长的InP HEMT器件,采用T型栅工艺减小器件的寄生栅电阻,并通过减小栅极与漏极的间距进一步减小了漏极寄生电阻。比较了不同栅长尺寸器件的直流、微波和寄生电阻的性能差别。测试结果表明,栅长减小,器件的饱和电流、直流跨导、交流跨导和截止频率越大,相应地,器件的栅电容、延迟时间和寄生电阻越小。最后,对InP HEMT器件进行了建模,模型仿真与测试结果拟合良好。
刘亚男杜光伟胡志富孙希国崔玉兴
关键词：太赫兹INP
用于太赫兹有源器件的神经网络建模方法
本发明公开了一种用于太赫兹有源器件的神经网络建模方法，涉及太赫兹器件建模方法技术领域。所述方法在单纯神经网络建模的基础上加上空间映射的方法，将粗模型的输入电压通过神经网络映射到最终的精确模型的输入电压，由太赫兹有源器件的...
杜光伟胡志富刘亚男李静强冯彬彭志农何美林曹健
文献传递
新型在片S参数误差校准方法和装置
本发明适用于太赫兹在片测量技术领域，提供了一种新型在片S参数误差校准方法和装置。该方法包括：在测试系统未连接探针时，在波导端面进行二端口校准；在测试系统连接所述探针时，在两个探针端面分别进行一端口校准；在被测件的衬底上制...
吴爱华李冲刘晨王一帮付兴昌梁法国田秀伟刘亚男曹健
一种提取GaNHEMT器件电热模型参数的方法及夹具
本发明公开了一种提取GaN HEMT器件电热模型参数的方法，涉及GaN HEMT等效电路大信号建模技术领域；包括：将GaN HEMT器件安装到夹具上，夹具安装在红外热像仪上；对GaN HEMT器件施加偏置电压，使GaN ...
李静强胡志富刘亚男彭志农冯彬杜光伟曹健何美林
微波电路非线性模型建立方法、测量系统及终端设备
本发明适用于微波电路技术领域，提供了微波电路非线性模型建立方法、测量系统及终端设备。该方法包括：在输出端口的反射系数为第一固定值时，调节输入端口的入射功率波大小，获取输出端口的入射功率波和出射功率波，以及输出端口的入射功...
李静强曹健胡志富刘亚男彭志农冯彬杜光伟何美林王亚冰何锐聪
文献传递
基于线性叠加技术的0.38THz四倍频器设计
2017年
太赫兹倍频器是实现太赫兹源的重要途径之一。基于线性叠加技术,研制了0.38 THz单级无源四倍频单片。采用平面环形巴伦与正交混合网络级联的方式,设计了四路移相功分结构,通过零电长度合成,实现了单级四倍频,同时基波和其他无用谐波得到了很好的抑制。设计中先对无源结构进行三维电磁场仿真,然后与有源部分联合仿真优化,在370~410 GHz频率范围内,变频损耗小于25 d B。
王亚冰何庆国刘亚男胡志富
关键词：四倍频单片电路
一种耐高温的微波内匹配晶体管用MIM电容及其制造方法
本发明公开了一种耐高温的微波内匹配晶体管用MIM电容及其制造方法，涉及集成电路以及集成电路的制造方法技术领域。所述电容包括衬底、金属下电极、绝缘介质层和金属上电极，所述金属下电极固定在所述衬底的上表面，所述金属下电极的外...
潘宏菽马杰刘亚男
文献传递
太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法
本发明公开了一种太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法，涉及太赫兹器件散射参数测试装置技术领域。所述校准件包括衬底，所述衬底的上表面制作有一个直通标准件、一个反射标准件和至少一个传输线标准件，所述衬底的下表面制作有背面...
刘亚男胡志富杜光伟李静强冯彬彭志农何美林曹健
在片微波探针测试夹具
本实用新型公开了一种在片微波探针测试夹具，涉及微波在片测试方法技术领域。所述测试夹具包括第一测试PAD、第二测试PAD、第三测试PAD、第一对位标记、第二对位标记、第三对位标记和第四对位标记。通过测试夹具上的对位标记，在...
胡志富刘亚男杜光伟李静强何美林冯彬彭志农曹健
文献传递
一种测试夹具的散射参数提取方法
本发明适用于微波测量及校准技术领域，提供了一种测试夹具的散射参数提取方法，包括：根据被测微波功率器件的封装形式，制作不包括馈线的TRL校准件，并计算所述TRL校准件的传输矩阵参数；根据微波功率器件的封装形式及工作频段，制...
曹健李静强胡志富刘亚男冯彬彭志农何美林王亚冰何锐聪
文献传递
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