姜丽仙
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 不连续Fe25Ni75/SiO2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应
- 用射频磁控溅射技术制备了[SiO(t)/FeNi(t)]多层膜系列(其中t和t分别代表SiO层和FeNi层的厚度,N代表层数)。研究发现,对[SiO(3.3 nm)/FeNi(t)]系统,当FeNi层厚度小于2.4 nm...
- 刘春明葛世慧姜丽仙寇晓明李斌生池俊红王新伟李成贤
- 文献传递
- Fe-Co合金纳米线阵列的制备、结构和磁性研究
- 该文的主要工作和结果有:1、成功地在摄氏零度下制备出孔径为10nm-50nm的AAO模板,并且利用电化学沉积的方法制备出不同直径、不同成分和不同长度的Fe-Co合金纳米线阵列膜.2、利用原子力显微镜观察AAO模板的表面形...
- 姜丽仙
- 关键词：磁记录纳米材料
- 文献传递
- 不连续Co/SiO_2多层膜的结构及其输运性质的研究被引量：1
- 2004年
- 用射频磁控溅射方法制备了系列Co SiO_2 不连续磁性金属绝缘体多层膜 (DMIM) .经研究发现 :对 [SiO_2 (2 4nm) Co(t) ]2 0 体系 ,在Co层厚度小于 2 5nm时 ,Co层由连续变为不连续 ;Co层不连续时 ,其导电机理为热激发的电子隧穿导电 ,lnR与T- 1 2 接近正比关系 ;隧道磁电阻 (TMR)在Co层厚度为 1 4nm时出现极大值 - 3% .DMIM的性质不仅与磁性金属层厚度密切相关 ,而且与绝缘层厚度有密切的关系 .在固定Co层厚度为 1 9nm的情况下 ,研究了TMR随SiO_2 层厚度的变化关系 ,并给出定性的解释 .对 [SiO_2 (2 4nm) Co(2 0nm) ]2 0 的样品研究了TMR随温度的变化关系 ,发现TMR随温度的变化有一极大值 ,结合Helman的理论 (Phys.Rev .Lett,37,14 2 9(1976 ) ) 。
- 葛世慧刘春明寇晓明姜丽仙李斌生李成贤
- 关键词：极大值多层膜SIO2输运性质TMR
- 不连续Fe_(25)Ni_(75)/SiO_2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应
- 2005年
- 用射频磁控溅射技术制备了[SiO2(t1)/Fe25Ni75(t2)]N多层膜系列(其中t1和t2分别代SiO2层和Fe25Ni75层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO2(3.3nm)/Fe25Ni75(t2)]10系统,当Fe25Ni75层厚度小于2.4nm时,Fe25Ni75层从连续变为不连续;当Fe25Ni75层不连续时,InR基本上正比于T-1/2,表明导电机制为热激发的隧穿导电;在t2=2.1nm时,隧道磁电阻(TMR)有极大值,为-0.64%.对[SiO2(1.8nm)/Fe25Ni75(1.6nm)]N系统,发现磁电阻先随着层数的增加而增加,然后趋于饱和.
- 刘春明葛世慧姜丽仙寇晓明李斌生池俊红王新伟李成贤
- 关键词：微结构
