刘春明
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- FeNi(Co)/SiO<,2>多层膜的微结构、层间耦合和TMR效应的研究
- 该论文采用射频磁控溅射方法成功地制备了连续Fe50Ni50(Co)/SiO2多层膜系列和不连续Co(Fe25Ni75)/SiO2多层膜系列.利用X射线光电子谱(XPS)、X射线能量色散谱(EDX)、中角X射线衍射(MXR...
- 刘春明
- 关键词：射频磁控溅射微结构
- 文献传递
- Co38(MgF2)62纳米颗粒膜的巨磁电阻效应研究
- 利用射频共溅射方法制备了Co<,38>(MgF<,2>)<,62>纳米颗粒膜,系统的研究了薄膜的微结构、磁性和隧道磁电阻(TMR)效应.X射线衍射结果显示,颗粒膜是由3nm左右的Co颗粒均匀地镶嵌在晶态的MgF<,2>绝...
- 池俊红刘春明李成贤葛世慧
- 关键词：纳米颗粒膜隧道磁电阻效应磁性
- 文献传递
- 不连续Fe25Ni75/SiO2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应
- 用射频磁控溅射技术制备了[SiO(t)/FeNi(t)]多层膜系列(其中t和t分别代表SiO层和FeNi层的厚度,N代表层数)。研究发现,对[SiO(3.3 nm)/FeNi(t)]系统,当FeNi层厚度小于2.4 nm...
- 刘春明葛世慧姜丽仙寇晓明李斌生池俊红王新伟李成贤
- 文献传递
- Co-Ta-O颗粒膜的磁电阻效应研究
- 2001年
- 利用射频共溅射方法制备了一系列 Co- Ta- O介质颗粒膜 ,用 X射线能量色散谱和 X射线光电子谱分析了薄膜的成分和元素价态 ,用 X射线衍射测量了薄膜的晶体结构 .结果表明 ,Co- Ta-O颗粒膜系是由 Co颗粒镶嵌在非晶的氧化钽绝缘介质中而形成 .通过改变制备条件 ,研究了溅射电压和 Co成分对颗粒膜隧道磁电阻效应的影响 .发现磁电阻比值先随 Co成分的增加而增加 ,在Co原子个数比为 2 6 %时达最大值 ,后随 Co成分的进一步增加而减小 ;在 Co成分一定的情况下 ,低的溅射电压有利于获得大的隧道磁电阻比值 .
- 池俊红刘春明葛世慧
- 关键词：磁电阻隧道效应
- 衬底温度对Co38(MgF2)62颗粒膜磁电阻效应的影响
- 利用射频共溅射的方法在不同的衬底温度下制备了一系列Co<,38>(MgF<,2>)<,62>颗粒膜,系统的研究了衬底温度对薄膜的微结构、电性和隧道磁电阻效应的影响.发现随衬底温度增加,膜中颗粒逐渐长大,颗粒间距也逐渐增大...
- 池俊红刘春明李成贤葛世慧
- 关键词：磁电阻效应衬底温度
- 文献传递
- 不连续Co/SiO_2多层膜的结构及其输运性质的研究被引量：1
- 2004年
- 用射频磁控溅射方法制备了系列Co SiO_2 不连续磁性金属绝缘体多层膜 (DMIM) .经研究发现 :对 [SiO_2 (2 4nm) Co(t) ]2 0 体系 ,在Co层厚度小于 2 5nm时 ,Co层由连续变为不连续 ;Co层不连续时 ,其导电机理为热激发的电子隧穿导电 ,lnR与T- 1 2 接近正比关系 ;隧道磁电阻 (TMR)在Co层厚度为 1 4nm时出现极大值 - 3% .DMIM的性质不仅与磁性金属层厚度密切相关 ,而且与绝缘层厚度有密切的关系 .在固定Co层厚度为 1 9nm的情况下 ,研究了TMR随SiO_2 层厚度的变化关系 ,并给出定性的解释 .对 [SiO_2 (2 4nm) Co(2 0nm) ]2 0 的样品研究了TMR随温度的变化关系 ,发现TMR随温度的变化有一极大值 ,结合Helman的理论 (Phys.Rev .Lett,37,14 2 9(1976 ) ) 。
- 葛世慧刘春明寇晓明姜丽仙李斌生李成贤
- 关键词：极大值多层膜SIO2输运性质TMR
- 不连续Fe_(25)Ni_(75)/SiO_2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应
- 2005年
- 用射频磁控溅射技术制备了[SiO2(t1)/Fe25Ni75(t2)]N多层膜系列(其中t1和t2分别代SiO2层和Fe25Ni75层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO2(3.3nm)/Fe25Ni75(t2)]10系统,当Fe25Ni75层厚度小于2.4nm时,Fe25Ni75层从连续变为不连续;当Fe25Ni75层不连续时,InR基本上正比于T-1/2,表明导电机制为热激发的隧穿导电;在t2=2.1nm时,隧道磁电阻(TMR)有极大值,为-0.64%.对[SiO2(1.8nm)/Fe25Ni75(1.6nm)]N系统,发现磁电阻先随着层数的增加而增加,然后趋于饱和.
- 刘春明葛世慧姜丽仙寇晓明李斌生池俊红王新伟李成贤
- 关键词：微结构
