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纳米多晶La_(0．7)Sr_(0．3)MnO_(3-δ)的输运性质被引量：1: 2008年; 利用溶胶—凝胶法制备了纳米多晶La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_(3-δ)(简称LSM)块体样品.详细研究了在不同烧结温度下的LSM样品电阻率随测量温度的变化关系.随着温度从室温降低,电阻率(ρ)在250 K附近存在最大值,低于该温度后,样品表现为金属导电特性,随后在50 K左右存在一极小值.通过对输运性质的研究表明在低温下(<50 K),ρ随温度降低而升高的现象与隧穿效应的理论模型(lnραT^(-1/2))符合得很好,表明这种现象是由于传导电子在通过邻近LSM晶粒间表面/界面层时的隧道效应所导致的.利用自旋回波法测量了样品中^(55)Mn的核磁共振谱图,结果表明样品中存在这种绝缘性的势垒.; 席力刘杰田航寇晓明周雪云李成贤葛世慧; 关键词：隧道效应核磁共振

磁性材料微结构的核磁共振研究: 本文首先论述了核磁共振的一般原理和磁性材料中核磁共振的特殊性，然后详细介绍了兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室从美国引进的Apollo自旋回波核磁共振仪的原理、组成与使用，并讲述了磁性材料核磁共振谱和弛豫时间T1、T...; 寇晓明; 关键词：磁性材料核磁共振微结构溶胶凝胶法磁性半导体; 文献传递

不连续Fe25Ni75/SiO2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应: 用射频磁控溅射技术制备了[SiO(t)/FeNi(t)]多层膜系列(其中t和t分别代表SiO层和FeNi层的厚度,N代表层数)。研究发现,对[SiO(3.3 nm)/FeNi(t)]系统,当FeNi层厚度小于2.4 nm...; 刘春明葛世慧姜丽仙寇晓明李斌生池俊红王新伟李成贤; 文献传递

用于高频的纳米磁性颗粒膜的制备及研究: ＜正＞由尺寸在纳米量级的磁性金属颗粒弥散分布在绝缘介质中而形成的纳米颗粒膜,是一种新型的高频软磁材料。它兼备了铁磁性金属的高饱和磁感应强度（Bs）和绝缘介质的高电阻率（ρ）。如果颗粒间存在交换偶合,则颗粒的各项异性将被平...; 葛世慧杨啸林席力李斌生寇晓明姚东升王新伟李成贤; 关键词：颗粒膜软磁材料高频

溶胶-凝胶法制备室温铁磁性半导体Ti1-xCoxO2: ＜正＞磁性半导体在自旋电子学中有很好的应用前景。在目前报道的各种磁性半导体中,将磁性元素掺入氧化物半导体中而得到的氧化物磁性半导体的居里温度可高于室温,有实用价值。这类材料多数是外延薄膜,其制备设备昂贵、成本高。虽有少数...; 葛世慧王新伟寇晓明周雪云席力杨啸林李成贤; 关键词：溶胶-凝胶法磁性半导体

不连续Fe_(25)Ni_(75)/SiO_2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应: 2005年; 用射频磁控溅射技术制备了[SiO2(t1)/Fe25Ni75(t2)]N多层膜系列(其中t1和t2分别代SiO2层和Fe25Ni75层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO2(3.3nm)/Fe25Ni75(t2)]10系统,当Fe25Ni75层厚度小于2.4nm时,Fe25Ni75层从连续变为不连续;当Fe25Ni75层不连续时,InR基本上正比于T-1/2,表明导电机制为热激发的隧穿导电;在t2=2.1nm时,隧道磁电阻(TMR)有极大值,为-0.64%.对[SiO2(1.8nm)/Fe25Ni75(1.6nm)]N系统,发现磁电阻先随着层数的增加而增加,然后趋于饱和.; 刘春明葛世慧姜丽仙寇晓明李斌生池俊红王新伟李成贤; 关键词：微结构

不连续Co/SiO_2多层膜的结构及其输运性质的研究被引量：1: 2004年; 用射频磁控溅射方法制备了系列Co SiO_2 不连续磁性金属绝缘体多层膜 (DMIM) .经研究发现 :对 [SiO_2 (2 4nm) Co(t) ]2 0 体系 ,在Co层厚度小于 2 5nm时 ,Co层由连续变为不连续 ;Co层不连续时 ,其导电机理为热激发的电子隧穿导电 ,lnR与T- 1 2 接近正比关系 ;隧道磁电阻 (TMR)在Co层厚度为 1 4nm时出现极大值 - 3% .DMIM的性质不仅与磁性金属层厚度密切相关 ,而且与绝缘层厚度有密切的关系 .在固定Co层厚度为 1 9nm的情况下 ,研究了TMR随SiO_2 层厚度的变化关系 ,并给出定性的解释 .对 [SiO_2 (2 4nm) Co(2 0nm) ]2 0 的样品研究了TMR随温度的变化关系 ,发现TMR随温度的变化有一极大值 ,结合Helman的理论 (Phys.Rev .Lett,37,14 2 9(1976 ) ) 。; 葛世慧刘春明寇晓明姜丽仙李斌生李成贤; 关键词：极大值多层膜 SIO2 输运性质 TMR

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寇晓明