许青
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Si_3N_4膜对MOS电容器存储时间影响的研究
- 2006年
- Si3N4薄膜淀积速率对MOS电容器存储时间影响很大。在850℃下,栅介质SiO2膜厚度100 nm,MOS电容器存储时间420 s。在50 Pa真空压力下,通过淀积70 nm厚Si3N4薄膜后,MOS电容器无存储时间。经900℃O2气氛退火40 min,MOS电容器的存储时间也不到2 s。采用7孔径降低气体流速,从而降低淀积速率,在840℃下,栅介质SiO2膜厚度100 nm,MOS电容器存储时间420 s;在60.71 Pa真空压力下,淀积70 nm厚Si3N4薄膜后,MOS电容器存储时间曲线不正常,经900℃O2气氛退火40 min,曲线恢复正常,MOS电容器存储时间达到400 s以上。
- 陈忠和许青高燕陈捷
- 关键词：退火
- CCD含氯氧化工艺仿真校准研究
- 2012年
- 通过对含氯氧化在线实验结果和工艺仿真结果进行对比,并进行仿真工艺校准,发现采用氯含量相同的仿真校准结果较之等物质量仿真校准结果与实际工艺实验结果相吻合。对氯含量相同氧化校准模型进行了不同温度、不同氧化方式的验证,仿真结果与在线实验结果相吻合,并利用该模型对CCD工艺制作中含氯氧化进行了仿真,仿真结果与CCD工艺制作测试数据相一致。
- 钟玉杰王小强许青程顺昌李睿智
- 关键词：仿真校准电荷耦合器件
- 不同源漏掺杂方式对CCD放大器的影响
- 2013年
- 通过对CCD片上放大器不同源漏掺杂条件、方块电阻、接触电阻、有效沟道长度的分析研究,确定了源漏工艺条件为磷离子注入能量100keV、剂量5×1015 cm-2。分析了扩散、离子注入源漏掺杂对放大器直流输出的影响,结果表明,当宽长比为4/1时,注入源漏掺杂制作的放大器直流输出与仿真值差异为0.28V,优于扩散工艺。
- 王晓强林海青许青韩恒利
- 关键词：放大器离子注入沟道长度直流输出
