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林海青

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电荷耦合
  • 1篇电荷耦合器
  • 1篇电荷耦合器件
  • 1篇沾污
  • 1篇直流输出
  • 1篇铁离子
  • 1篇离子注入
  • 1篇沟道
  • 1篇沟道长度
  • 1篇光电
  • 1篇放大器
  • 1篇CCD
  • 1篇表面光电压
  • 1篇表面光电压法

机构

  • 2篇重庆光电技术...

作者

  • 2篇林海青
  • 1篇许青
  • 1篇李仁豪
  • 1篇廖乃镘
  • 1篇韩恒利
  • 1篇向华兵
  • 1篇王晓强
  • 1篇李贝

传媒

  • 2篇半导体光电

年份

  • 2篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
表面光电压法研究氧化工艺铁离子沾污
2013年
表面光电压法(SPV)能精确测量硅片的Fe离子浓度,是一种快速、非破坏性的高灵敏度测试方法。采用表面光电压技术研究了氧化工艺中的Fe离子沾污。研究表明,氧气、氮气、三氯乙烯中含有的微量杂质是氧化工艺中Fe离子沾污的主要来源。通过对氧气、氮气进行进一步纯化处理、减少三氯乙烯杂质质量分数到1.0×10-8、更换传输气体的不锈钢管路等措施,将氧化工艺Fe离子沾污减少了一个数量级。
廖乃镘林海青向华兵李贝李仁豪
关键词：电荷耦合器件表面光电压
不同源漏掺杂方式对CCD放大器的影响
2013年
通过对CCD片上放大器不同源漏掺杂条件、方块电阻、接触电阻、有效沟道长度的分析研究,确定了源漏工艺条件为磷离子注入能量100keV、剂量5×1015 cm-2。分析了扩散、离子注入源漏掺杂对放大器直流输出的影响,结果表明,当宽长比为4/1时,注入源漏掺杂制作的放大器直流输出与仿真值差异为0.28V,优于扩散工艺。
王晓强林海青许青韩恒利
关键词：放大器离子注入沟道长度直流输出
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共1页<1>
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