应杰
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 原位Si掺杂c-BN薄膜的制备及电学性质研究
- 2010年
- 采用双离子束辅助沉积技术制备了原位Si掺杂的c-BN薄膜。系统研究了辅源轰击束流大小、辅源气体组分比以及衬底温度对制备薄膜的影响。结果表明,在掺入Si杂质后,要保持高立方相含量,必须增强辅源离子的轰击强度;随着辅源混合气体中Ar含量的增加,立方相含量也逐步增加;中等衬底生长温度既可以保持薄膜中高立方相含量以及较好的晶体质量,又不会导致薄膜中应力过大。电学测试则显现掺杂薄膜具有明显的半导体特性和非晶态半导体的电学输运性质。
- 应杰范亚明谭海仁施辉伟
- 关键词：立方氮化硼薄膜掺杂硅
- 一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法
- 本发明公开了一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，该方法包括；选用Si(001)单晶作为衬底；用B靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，在该B靶上覆盖有一位置可调的Si靶作为Si掺杂立方氮化硼薄膜生长的掺杂源；采用两个考夫...
- 应杰张兴旺范亚明
- 文献传递
- 石墨上多晶硅薄膜的制备及择优取向的调控
- 2010年
- 利用磁控溅射在石墨衬底上制备了非晶硅薄膜,并使用快速热退火对薄膜进行了晶化处理。XRD分析表明,直接溅射沉积在石墨衬底上的硅薄膜经过快速热退火后具有高度的(220)择优取向。通过在硅薄膜和石墨衬底界面处引入一定厚度的ZnO中间层,晶化后的多晶硅薄膜择优取向实现了从(220)向(400)的转变,从而非常有利于将成熟的制绒工艺应用于该材料体系的电池制备过程中。对于择优取向的转变提出了解释,认为Si(100)面和ZnO(001)面晶格匹配是主要原因。喇曼分析表明ZnO中间层的引入提高了多晶硅薄膜的晶体质量。
- 施辉伟陈诺夫黄添懋尹志岗汪宇张汉应杰
- 关键词：多晶硅薄膜石墨快速热退火氧化锌
