施辉伟
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：华北电力大学可再生能源学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 石墨上多晶硅薄膜的制备及择优取向的调控
- 2010年
- 利用磁控溅射在石墨衬底上制备了非晶硅薄膜,并使用快速热退火对薄膜进行了晶化处理。XRD分析表明,直接溅射沉积在石墨衬底上的硅薄膜经过快速热退火后具有高度的(220)择优取向。通过在硅薄膜和石墨衬底界面处引入一定厚度的ZnO中间层,晶化后的多晶硅薄膜择优取向实现了从(220)向(400)的转变,从而非常有利于将成熟的制绒工艺应用于该材料体系的电池制备过程中。对于择优取向的转变提出了解释,认为Si(100)面和ZnO(001)面晶格匹配是主要原因。喇曼分析表明ZnO中间层的引入提高了多晶硅薄膜的晶体质量。
- 施辉伟陈诺夫黄添懋尹志岗汪宇张汉应杰
- 关键词：多晶硅薄膜石墨快速热退火氧化锌
- 石墨衬底上具有(220)/(400)择优取向多晶硅薄膜的制备及性质（英文）被引量：3
- 2015年
- 在石墨衬底上分别制备了具有(220)和(400)择优取向的多晶硅薄膜。首先利用磁控溅射技术直接在石墨衬底上制备非晶硅薄膜层,以及先制备Zn O过渡层,再在Zn O过渡层上制备非晶硅薄膜层;然后采用快速退火法对非晶硅薄膜晶化,使其形成多晶硅薄膜籽晶层。XRD测试表明,未引入Zn O过渡层的多晶硅薄膜籽晶层具有高度(220)择优取向,而引入Zn O过渡层的多晶硅薄膜籽晶层具有高度(400)择优取向;最后在多晶硅籽晶层上通过对流辅助化学气相沉积(Co CVD)制备多晶硅薄膜。根据SEM、XRD、拉曼测试表明,多晶硅薄膜的性质延续了多晶硅籽晶层的性质,未引入Zn O过渡层的样品,具有高度(220)择优取向。引入Zn O过渡层后的样品,具有高度(400)择优取向,(400)择优取向的转变有利于后续多晶硅薄膜太阳电池的制作。同时对Si(220)和Si(400)择优取向的形成原因做了初步分析。
- 辛雅焜陈诺夫吴强白一鸣陈吉堃何海洋李宁黄添懋施辉伟
- 关键词：多晶硅薄膜氧化锌
- 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法
- 一种利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一石墨衬底，将石墨衬底抛光；步骤2：在磁控溅射室里，将抛光的石墨衬底磁控溅射多晶硅薄膜；步骤3：溅射结束后自然降温，形成样品；步骤4：将样品置于...
- 施辉伟陈诺夫黄添懋尹志岗吴金良张汉
- 文献传递
- 铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析被引量：1
- 2010年
- 采用铝诱导结晶法在玻璃衬底上制备了具有高度(111)择优取向的多晶硅薄膜.首先通过磁控溅射在玻璃衬底上先后沉积铝层和非晶硅层,然后在480℃下退火1h以完成铝诱导结晶.退火后硅层与铝层发生置换,形成了具有高度(111)择优取向以及良好结晶质量的多晶硅层.通过对Al2O3氧化膜结构变化及晶格匹配进行分析,阐明了铝诱导结晶过程中(111)择优取向的铝层间接促使多晶硅(111)择优取向成核的作用机制.
- 黄添懋陈诺夫张兴旺白一鸣尹志岗施辉伟张汉汪宇王彦硕杨晓丽
- 关键词：多晶硅薄膜
- 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法
- 一种在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：在普通玻璃衬底上用磁控溅射沉积制作铝薄膜，形成样品；步骤2：将样品在空气中暴露以制作氧化膜；步骤3：将制作有氧化膜样品的表面利用磁控溅射沉积非晶硅...
- 黄添懋陈诺夫施辉伟尹志岗吴金良王彦硕汪宇张汉
- 文献传递
- 原位Si掺杂c-BN薄膜的制备及电学性质研究
- 2010年
- 采用双离子束辅助沉积技术制备了原位Si掺杂的c-BN薄膜。系统研究了辅源轰击束流大小、辅源气体组分比以及衬底温度对制备薄膜的影响。结果表明,在掺入Si杂质后,要保持高立方相含量,必须增强辅源离子的轰击强度;随着辅源混合气体中Ar含量的增加,立方相含量也逐步增加;中等衬底生长温度既可以保持薄膜中高立方相含量以及较好的晶体质量,又不会导致薄膜中应力过大。电学测试则显现掺杂薄膜具有明显的半导体特性和非晶态半导体的电学输运性质。
- 应杰范亚明谭海仁施辉伟
- 关键词：立方氮化硼薄膜掺杂硅
