尹志岗
- 作品数：95 被引量：15H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院战略性先导科技专项更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法
- 一种在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以硅单晶为衬底材料；2)采用磁控溅射方法，选择锰靶和硅靶两个靶；3)将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室；4)衬底为室温或加温，锰靶和硅靶共溅射制...
- 刘力锋陈诺夫尹志岗杨霏柴春林
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- 基于氮化硼中间层远程外延生长二硫化铪的方法
- 本发明公开了一种基于氮化硼中间层远程外延生长二硫化铪的方法，涉及纳米材料制备技术领域。该方法包括：将h‑BN晶畴或薄膜材料转移至目标衬底上；对所述h‑BN进行厚度减薄处理；对所述h‑BN进行退火处理；在所述h‑BN衬底表...
- 王登贵张兴旺尹志岗孟军华
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- 在SrTiO<Sub>3</Sub>衬底上调控多铁铁酸铋外延薄膜带隙的方法
- 一种在SrTiO<Sub>3</Sub>衬底上调控多铁铁酸铋外延薄膜带隙的方法，包括如下步骤：1)选择一钛酸锶衬底；2)在SrTiO<Sub>3</Sub>衬底上生长一种富Bi组分的BiFeO<Sub>3</Sub>外延...
- 付振尹志岗陈诺夫张兴旺吴金良张汉
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- InSb光学带隙的掺杂调控研究被引量：1
- 2016年
- 利用布里奇曼法进行了InAsSb半导体合金的生长,并对其结构、光学及电学特性进行了表征.研究发现,As替位掺杂造成X射线(111)衍射峰略微右移,同时其半高宽明显展宽.基于X射线衍射数据,利用Vegard定律计算出的As组分与能谱测量得到的结果基本吻合.此外,As的掺入使得材料背景载流子浓度略有上升.傅里叶变换红外光谱结果显示,As的替入使得材料带隙明显变小,拟合得到的光学带隙与通过Woolley-Warner经验公式得到的值定性一致.研究结果表明,As掺杂是减小InSb带隙,开拓其面向第二个大气窗口红外探测应用的有效途径.
- 张兴旺吴金良尹志岗
- 关键词：红外探测带隙布里奇曼法掺杂微重力
- 锑化物磁性半导体体材料研究
- 2016年
- 利用布里奇曼法进行GaMnSb磁性半导体生长,并对其结构、磁学及电学特性进行研究.在高Mn区域发现了室温铁磁性,而在低Mn区域只探测到抗磁信号.电学测量表明,两个区域的空穴浓度基本相当,说明观察到的磁学性能差异与载流子浓度无关.X射线能谱测试显示,高Mn区域的Mn组分分布不均匀,低Mn区域的Mn组分分布则相对更为均匀.此外,高Mn区域的饱和磁化强度仅为每Mn原子0.01.3μ_B,与理论值相差约两个数量级.X射线衍射谱的结果说明,高Mn区域有出现MnSb第二相的迹象.以上结果证实所观察到的室温铁磁性并不是GaMnSb的内禀特性.
- 尹志岗吴金良张兴旺
- 关键词：磁性半导体布里奇曼法MN掺杂
- 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法
- 一种在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以硅单晶为衬底材料；2)采用磁控溅射方法，选择锰靶和硅靶两个靶；3)将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室；4)衬底为室温或加温，锰靶和硅靶共溅射制...
- 刘力锋陈诺夫尹志岗杨霏柴春林
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- 二氧化钒柔性薄膜及其制备方法
- 一种二氧化钒柔性薄膜及其方法，其包括以下步骤：步骤1、在刚性衬底上外延生长氧化物缓冲层，在氧化物缓冲层上再外延生长二氧化钒薄膜；步骤2、在二氧化钒薄膜表面旋涂一层有机支撑保护薄膜，并干燥；步骤3、通过湿法腐蚀去除氧化物缓...
- 李星星尹志岗张兴旺吴金良
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- 基于钙钛矿电池和HIT电池的叠层太阳能电池及制作方法
- 一种基于钙钛矿电池和HIT电池的叠层太阳能电池，包括：一背金属电极；一HIT电池，其制作在背金属电极上；一ITO连接层，其制作在HIT电池上；一电子传输层，其制作在ITO连接层上；一钙钛矿活性吸收层，其制作在电子传输层上...
- 蒋琦张兴旺张留旗尹志岗
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- ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法
- 一种ZnO纳米棒发光二极管，包括：一衬底；一p-GaN层，该p-GaN层制作在衬底上；一ZnO纳米棒阵列，该ZnO纳米棒阵列制作在p-GaN层上面的一侧，另一侧为台面；一石墨烯层，该石墨烯层制作在ZnO纳米棒阵列上；一上...
- 施辉东张兴旺张曙光尹志岗董敬敬刘鑫
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- 介质衬底上直接生长二维六方氮化硼的方法
- 本发明公开了一种介质衬底上直接生长二维六方氮化硼的方法。该方法包括：准备一介质衬底；将所述介质衬底预置在一离子束溅射沉积腔室内，沉积腔室内包含氮化硼靶，以及辅助离子源和主离子源，并将该沉积腔室预抽至一背底真空度；该辅助离...
- 孟军华张兴旺高孟磊尹志岗吴金良
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