黄添懋
- 作品数：15 被引量：25H指数：3
- 供职机构：华北电力大学可再生能源学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信一般工业技术理学更多>>
- 基于表面组装技术的聚光光伏接收器设计与制造
- 2014年
- 21世纪以来,以GaAs太阳能电池为核心光电器件的高倍聚光光伏技术发展迅速。接收器作为GaAs太阳能电池在高倍聚光光伏系统中的重要基本载体,其设计和制造是该类系统量产关键流程之一。本文介绍了高倍聚光接收器的设计原理和以表面组装技术为基础并具备量产潜力的接收器制造方法。
- 黄添懋张小宾李愿杰
- 关键词：表面组装技术聚光光伏接收器
- 带导光筒的太阳能电池聚光装置
- 一种带导光筒的太阳能电池聚光装置，用于聚光光伏系统定向导光装置，其特征在于，包括：一热沉；一导光筒，该导光筒为锥形结构，该导光筒的小径端固定在热沉上；一太阳能电池，该太阳能电池固定在热沉上，位于导光筒的中间；一聚光透镜，...
- 陈诺夫白一鸣黄添懋
- 文献传递
- 聚光太阳电池单元
- 一种聚光太阳电池单元，其特征在于，包括：一散热片；一管座，该管座位于散热片的上面；一太阳电池芯片，该太阳电池芯片焊接在管座的上面；一导光筒，该导光筒为一锥形筒状，其端部有一开放口，该导光筒的开放口罩扣于电池芯片的上面，该...
- 陈诺夫黄添懋王晓晖陈晨龙吴金良董毅
- 文献传递
- 单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法
- 本发明一种单片集成的微型太阳电池阵列，其中包括：一衬底；掺杂层，该掺杂层生长在衬底的上面的两侧；一太阳电池功能层，生长在掺杂层的上面；一帽子层，生长在太阳电池功能层的上面，该帽子层的面积小于太阳电池功能层的面积，与太阳电...
- 王彦硕陈诺夫白一鸣黄添懋陈晓峰张汉
- 文献传递
- 铝诱导多晶硅薄膜籽晶层的电学性质被引量：1
- 2014年
- 利用磁控溅射系统在玻璃衬底上制备出具有玻璃∕铝∕非晶硅的多层膜结构样品,然后在管式退火炉中以一定的温度退火,使非晶硅晶化形成多晶硅薄膜籽晶层。扫描电子显微镜(SEM)及光学显微镜测试表明,铝诱导结晶后样品中的铝层已被完全置换为连续并且厚度均匀的多晶硅层,多晶硅晶粒的平均尺寸为23μm。喇曼光谱测试和X射线衍射(XRD)分析表明,多晶硅薄膜籽晶层具有良好的结晶质量,并且具有高度的(111)择优取向。霍尔测试结果表明,铝诱导多晶硅薄膜籽晶层属于高浓度p型掺杂,掺杂浓度达到了1018/cm3。分析认为铝在非晶硅晶化过程中不仅扮演了诱导金属的角色,还起到了掺杂的作用。
- 吴强陈诺夫辛雅焜黄添懋陈吉堃牟潇野杨博白一鸣
- 关键词：多晶硅薄膜掺杂
- 基于GaAs系高效叠层太阳能电池的聚光光伏系统技术被引量：3
- 2012年
- 以GaAs系高效叠层太阳能电池的技术背景和特点为基础,介绍了基于GaAs系高效叠层太阳能电池的聚光光伏(CPV)系统的基本结构、工作原理以及技术现状,并对聚光光伏系统的发展前景进行了论述。
- 黄添懋张小宾李愿杰
- 关键词：太阳能电池聚光光伏系统
- 石墨上多晶硅薄膜的制备及择优取向的调控
- 2010年
- 利用磁控溅射在石墨衬底上制备了非晶硅薄膜,并使用快速热退火对薄膜进行了晶化处理。XRD分析表明,直接溅射沉积在石墨衬底上的硅薄膜经过快速热退火后具有高度的(220)择优取向。通过在硅薄膜和石墨衬底界面处引入一定厚度的ZnO中间层,晶化后的多晶硅薄膜择优取向实现了从(220)向(400)的转变,从而非常有利于将成熟的制绒工艺应用于该材料体系的电池制备过程中。对于择优取向的转变提出了解释,认为Si(100)面和ZnO(001)面晶格匹配是主要原因。喇曼分析表明ZnO中间层的引入提高了多晶硅薄膜的晶体质量。
- 施辉伟陈诺夫黄添懋尹志岗汪宇张汉应杰
- 关键词：多晶硅薄膜石墨快速热退火氧化锌
- 单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法
- 本发明一种单片集成的微型太阳电池阵列，其中包括：一衬底；掺杂层，该掺杂层生长在衬底的上面的两侧；一太阳电池功能层，生长在掺杂层的上面；一帽子层，生长在太阳电池功能层的上面，该帽子层的面积小于太阳电池功能层的面积，与太阳电...
- 王彦硕陈诺夫白一鸣黄添懋陈晓峰张汉
- 一种组合式聚光器
- 本发明涉及聚光器技术领域，公开了一种组合式聚光器，该聚光器包括一级折射式聚光器和二级反射式聚光器两个子聚光器，所述二级反射式聚光器安装于所述一级折射式聚光器的下方，入射光线经过所述一级折射式聚光器折射后直接会聚到所述一级...
- 陈诺夫崔敏王彦硕白一鸣吴金良黄添懋
- 文献传递
- 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法
- 一种在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：在普通玻璃衬底上用磁控溅射沉积制作铝薄膜，形成样品；步骤2：将样品在空气中暴露以制作氧化膜；步骤3：将制作有氧化膜样品的表面利用磁控溅射沉积非晶硅...
- 黄添懋陈诺夫施辉伟尹志岗吴金良王彦硕汪宇张汉
- 文献传递
