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姜建东

作品数：3 被引量：12H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇机械工程

主题

  • 3篇深刻蚀
  • 3篇刻蚀
  • 3篇反应离子
  • 3篇反应离子深刻...
  • 3篇硅
  • 2篇蚀刻
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇反应离子刻蚀
  • 1篇微机械
  • 1篇微型机器人
  • 1篇机器人
  • 1篇RIE
  • 1篇CCL

机构

  • 3篇复旦大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 3篇姜建东
  • 1篇孙承龙
  • 1篇王渭源
  • 1篇戈肖鸿

传媒

  • 1篇传感器世界
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
反应离子深刻蚀硅的研究被引量：1
1995年
利用ＳＦ６／Ｃ２ＣｌＦ５，ＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２，ＳＦ６／ＣＣＬ２Ｆ２／Ｏ２等氟氯族混合气体，在普通的平板型反应离子刻蚀系统上，进行了反应离子深刻蚀硅的研究。在Ｃｒ膜的掩护下，ＳＦ６／Ｃ２ＣｌＦ５刻蚀硅的速度，但刻蚀的方向性差；ＳＦ６／ＣＣ１２Ｆ２和ＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２／Ｏ２都可获得各向异性的刻蚀工艺，刻蚀速率在２００－５００ｎｍ／ｍｉｎ之间。
姜建东孙承龙王渭源王德宁
关键词：反应离子刻蚀硅刻蚀
反应离子深刻蚀(RIE)技术的研究被引量：11
1996年
本文概述了微机械的发展前景和反应离子刻蚀技术在微机械研究中的应用.采用NF_3T SF_6/CCI_2F_2混合气体,在平板型反应离子刻蚀仪上,对硅进行了反应离子深刻蚀的研究,获得了一批经验数据.研制出了直径500μm,厚度为24.7μm的微型硅齿轮,刻蚀出厚度为50μm,侧向腐蚀为2μm的硅微细圆形.
孙承龙戈肖鸿王渭源姜建东
关键词：反应离子深刻蚀微机械硅蚀刻微型机器人
SF_6／CCl_2F_2反应离子深刻蚀硅中加O_2的研究
1994年
用ＳＦ＿６／ＣＣｌ＿２Ｆ＿２加Ｏ＿２混合气体，在普通的平板型反应离子刻蚀机上，进行了深刻蚀硅的研究。当掩膜厚度约１２０ｎｍ－１５０ｎｍ的Ｃｒ薄膜时，研究了Ｏ＿２在混合气体中的比例对刻蚀形貌和刻蚀速率的影响。用获得的各向异性刻蚀工艺，己刻蚀出高度为１０μｍ的硅台阶，台阶倾角小于５°，横向腐蚀约为０．５μｍ，刻蚀表面粗糙度约１０％。
姜建东孙承龙王渭源王德宁
关键词：反应离子刻蚀蚀刻
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