何德湛
- 作品数：10 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 发射激光脉冲用的高速pnpn闸流管的设计与制造
- 1999年
- 介绍了发射激光脉冲用的高速ｐｎｐｎ闸流管的设计、制造方法及参数测试结果。该器件可用于激光通信、引信（引爆）、测距、小型雷达、模拟射击、游戏枪、车辆防碰撞等方面，也可用于各种脉冲电源及脉冲开关。
- 何德湛
- 关键词：激光脉冲闸流管
- 高速双极集成电路中的快速热退火被引量：2
- 1992年
- 本文介绍近年来发展较快的快速热退火(RTA)技术在高速双极IC(集成电路)的应用,文中给出RTA技术与普通热退火的比较,也给出了RTA技术在高速双极集成电路中应用的结果。
- 何德湛陈学良杨华丽刘晓岚
- 关键词：双极集成电路热退火
- 台面型半导体器件的制造方法
- 本发明是台面形半导体器件的制造方法。采用金刚砂轮刀在已形成半导体器件图形的基片上的管芯二边开槽形成井字形的台面。所开的槽与ｐ－ｎ结界面接近垂直。用这种台面制造方法特别适用于制造高压大功率晶体管，可提高制得器件的击穿电压，...
- 何德湛陈益清胡顺帆何启丁严光华徐元森朱菊珍朱菊珍
- 文献传递
- 原子力显微镜微探针制造及阳极键合技术被引量：3
- 1997年
- 首先简介原子力显微镜（ＡＦＭ）的特点，然后叙述阳极键合技术的原理，以及此技术在微探针制造中的应用。
- 何德湛郑宜波张敏
- 关键词：原子力显微镜FAM阳极键合技术
- 台面型半导体器件的制造方法
- 1992年
- 何德湛陈益清
- 关键词：半导体器件二次击穿
- PNPN管原理在分析CMOS寄生效应中的应用
- 1990年
- 本文从四层器件PNPN管原理,分析了CMOS电路中寄生PNPN管效应的现象,从原理上指出,(1)输出端较易触发此寄生管效应的原因。(2)触发导通是从共基极触发方式转为共发射极触发。触发时,n沟源区(或P沟源区)受反向偏置,只有触发过后,才有大电流流经此区。(3)版图没计中,输入端至地的保护两极管,为什么单独在一个小p阱上比与n沟源、漏区同在一个p阱上,能减少寄生效应。(4)在倒相器的I-V负阻闸流特性曲线中,输入端分别接V_(DD)和V_(ss)时,为什么会出现维持电流I_H数值会不相等现象,其相差值在10～50mA不等。在什么情况下才会相等。此外,文中还分析了其它一些问题。实验结果表明与分析是一致的。
- 何德湛
- 关键词：CMOS寄生效应可控硅
- 快速热处理技术在集成电路制造上的应用被引量：1
- 1997年
- 主要介绍快速热处理（ＲＴＰ）技术［１］，包括在高速双极ＩＣ的快速热退火（ＲＴＡ）［２］、Ｔｉ金属与Ｓｉ形成低阻的ＴｉＳｉ２接触同时，其上表面形成防止Ａｌ往Ｓｉ中渗透的阻挡层ＴｉＮ的ＲＴＰ。
- 何德湛陈学良朱培青李东宏
- 关键词：集成电路
- 台面型半导体器件的制造方法
- 本发明是台面型半导体器件的制造方法。采用金刚砂轮刀在已形成半导体器件图形的基片上的管芯二边开槽形成井字形的台面。所开的槽与p-n结界面接近垂直。用这种台面制造方法特别适用于制造高压大功率晶体管，可提高制得器件的击穿电压，...
- 何德湛陈益清胡顺帆何启丁严光华徐元森
- 文献传递
- 半导体工艺线上的C－t检测及其应用被引量：2
- 1994年
- 本文主要介绍在半导体工艺线上对有关工艺进行Ｃ－ｔ检测及应用，结果表明这对提高工艺质量及产品成品率是重要的。
- 何德湛闵靖曾庆光
- 关键词：半导体器件
- 超纯氢储氢合金瓶应用于亚毫微秒双极集成电路U型槽隔离多晶硅填槽工艺
- 1991年
- 谢明纲何德湛陈明琪吴佛春
- 关键词：储氢双极集成电路
