闵靖
- 作品数：30 被引量：48H指数：4
- 供职机构：上海市计量测试技术研究院更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 高温氢气退火提高硅片质量的研究被引量：1
- 2004年
- 研究了硅片高温氢气退火的工艺技术,实验显示,在高温1150℃,在高纯氢气氛中退火处理至少60min,在硅片表面产生约50μm以上的洁净层。测试了退火后硅片中氧的深度分布,发现硅片表面有一层低氧区,能提高硅片的质量,使氧化层错的密度降低一个数量级,测试数据还表明高温氢退火对降低COP缺陷的密度和提高氧化层的质量也有一定的效果。
- 邹子英闵靖
- 关键词：氧沉淀
- Φ4-6英寸集成电路生产线上工艺硅片的缺陷研究
- 1999年
- 我们调研了上海的Φ4－6英寸现代集成电路（IC）生产线上工艺流程中的硅片引入的诱生缺陷，并与原小直径地生产线上硅片的诱生缺陷作了比较，依据缺陷理论和利用择优腐蚀技术，研究了诱生缺陷的种类。缺陷的密度和引起的原因。研究结果表明在现代IC生产线上存在三种主要的诱生缺陷。它们是MOS电路中因离子注入而产生的弗兰克不全位错，因薄膜应力和高浓度替位杂质产生的压缩应力而诱生的位错以及在双极型电路中薄膜应力和杂质压缩应力所产生的位错。
- 邹子英闵靖
- 关键词：IC生产线诱生缺陷
- 外吸除用硅片背面加工技术的研究被引量：2
- 2001年
- 用SEM、TEM和光学显微镜研究了硅片背面的机械损伤 (包括软损伤 )和多晶硅的晶格结构 ,以及热处理过程中晶格结构和缺陷的演化 ,探索了吸杂的机理。实验结果表明 ,用本技术能减少S坑密度 ,提高硅片产生寿命 ,对金。
- 闵靖邹子英李积和周子美陈青松陈一
- 关键词：机械损伤氧化诱生层错硅片
- 硅中的点缺陷的控制和利用
- 2003年
- 介绍依靠拉晶速度和固液界面处的轴向温度梯度之比,影响空位和自间隙原子在直拉硅单晶中的分布。合理设计热场分布,减少直拉硅单晶中的缺陷。低剂量氧离子注入能降低SIMOX硅片顶层硅中的间隙原子浓度,从而降低穿透位错的密度。最近开发了一种称为MDZ的内吸除新技术,通过快速热退火控制硅片中空位浓度的分布,从而得到理想的氧沉淀行为,实现了可靠、可重复的内吸除。
- 闵靖
- 关键词：硅点缺陷氧沉淀快速热退火半导体器件
- 半导体工艺线上的C－t检测及其应用被引量：2
- 1994年
- 本文主要介绍在半导体工艺线上对有关工艺进行Ｃ－ｔ检测及应用，结果表明这对提高工艺质量及产品成品率是重要的。
- 何德湛闵靖曾庆光
- 关键词：半导体器件
- 硅片表面机械损伤层厚度的测试方法研究被引量：2
- 2000年
- 本文介绍了用磨角、择优腐蚀的方法显示和测试硅片表面的机械损伤层厚度的测试方法。原理和实验结果。
- 邹子英闵靖
- 关键词：单晶硅片半导体材料
- 淀积在硅片上起杂质吸除用的多晶硅的研究被引量：3
- 2001年
- 在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽。在多晶硅层完全去除后在硅衬底中诱生出高密度的氧化层错起吸除中心作用。多晶硅能促进硅片内的氧沉淀成核和生长,起内吸杂作用。本文提出了多晶硅持续吸杂的机理。
- 闵靖邹子英李积和陈青松周子美陈一
- 关键词：内吸杂氧沉淀
- 扩展电阻探针在材料测试和器件工艺中的应用被引量：1
- 1999年
- 本文介绍了使用扩展电阻探针，通过测试材料的电阻率分布和工艺芯片的杂质浓度分布，从而用以材料和器件工艺参数的测试分析。
- 吴晓虹闵靖
- 关键词：电阻探针电阻率半导体器件
- 硅外延层中的杂质被引量：1
- 2003年
- 主掺杂质、固态外扩散杂质、气相自掺杂质、系统自掺杂质和金属杂质等五类杂质源是外延层中的常见杂质。主掺杂质决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。金属杂质在外延层中对器件有害。本文系统地介绍了掺杂源的掺杂过程也给出了控制的方法。
- 闵靖
- 关键词：硅外延层金属杂质
- 形成SIMOX结构的PIII新技术的研究被引量：4
- 1995年
- 本文报道了一种形成ＳＩＭＯＸ结构的等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）的新技术．与传统的离子注入相比，这种新技术具有高离子束流，大面积离子注入，极短的注入时间和低成本等优点．实验中，衬底硅片浸没在高离子密度的氧的等离子体中．在衬底所加的负高压的作用下，氧离子直接注入硅片之中．我们研究了ＰＩＩＩ的工艺条件，用ＰＩＩＩ制得了具有２０到５０ｎｍ厚的顶层硅层和２０到５０ｎｍ厚的氧化硅埋层的超薄ＳＩＭＯＸ硅片，并用ＲＢＳ、ＸＴＥＭ等技术对样品进行了测试．
- 闵靖Chu,PK
- 关键词：PIIISOI
