胡明浩
- 作品数：4 被引量：17H指数：2
- 供职机构：电子科技大学电子科学技术研究院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于DICE结构的抗辐射SRAM设计被引量：7
- 2011年
- 空间应用的SRAM必须具备抗辐射加固能力。介绍了SRAM工作原理与双互锁存储单元(DICE)技术,给出了基于DICE结构的SRAM存储单元的电路设计、版图设计及其功能仿真。在SMIC 0.13μm工艺下,应用HSPICE进行单粒子效应模拟,与传统6T CMOS SRAM相比,基于DICE结构的SRAM在相同工艺条件下抗辐照能力有显著的提高。
- 章凌宇贾宇明李磊胡明浩
- 关键词：SRAM存储器
- CMOS抗辐射加固电路RHBD技术研究
- 本文主要是对CMOS电路的抗辐射加固RHBD技术进行了研究，介绍了基于RHBD技术的纠错码技术、保护门(Guard-gates)电路技术、双互锁存储单元(DICE)技术、三模冗余(TMR)技术等；并给出了基于DICE结构...
- Minghao Hu胡明浩Lei Li李磊Pei Wang王佩
- 关键词：CMOS电路锁存器
- 抗辐照4K×32bit SRAM的研究与设计
- SRAM作为超大规模集成电路的重要组成部分,由于其功耗低、速度快而被广泛应用于高速存储系统中,同时,随着航空航天技术的不断发展及进步,SRAM器件被越来越多的应用到各类航天器及其卫星的控制系统中,由于空间复杂的辐射环境,...
- 胡明浩
- 关键词：SRAM抗辐照DICE低功耗单粒子效应
- 文献传递
- 基于RHBD技术CMOS锁存器加固电路的研究被引量：8
- 2010年
- 对基于RHBD技术CMOSD锁存器抗辐射加固电路设计技术进行了研究,并对其抗单粒子效应进行了模拟仿真.首先介绍了基于RHBD技术的双互锁存储单元(DICE)技术,然后给出了基于DICE结构的D锁存器的电路设计及其提取版图寄生参数后的功能仿真,并对其抗单粒子效应给出了模拟仿真,得出了此设计下的阈值LET,仿真结果表明:基于DICE结构的D锁存器具有抗单粒子效应的能力.
- 胡明浩李磊饶全林
- 关键词：CMOS抗辐射加固DICE
