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王佩

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学电子科学技术研究院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇抗辐射
  • 2篇抗辐射加固
  • 1篇单粒子
  • 1篇单粒子效应
  • 1篇电路设计
  • 1篇锁存
  • 1篇锁存器
  • 1篇航天
  • 1篇航天电子
  • 1篇航天电子设备
  • 1篇航天设备
  • 1篇CMOS
  • 1篇CMOS电路
  • 1篇DICE

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇李磊
  • 3篇王佩
  • 1篇何春
  • 1篇胡明浩

传媒

  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种基于Weibull函数的单粒子注入脉冲模型被引量：4
2010年
单粒子效应是当前集成电路抗辐射加固的研究重点之一.根据空间辐射粒子特点,提出一种基于Weibull函数的单粒子注入脉冲模型,该模型利用Weibull函数对瞬时脉冲直接进行电路级描述.实验证明,该模型与传统器件级电流注入脉冲模型的SER统计数据拟合度高达98.41%,同时可将电路模拟时间缩短3个数量级,在高速超大规模集成电路的单粒子效应研究中,具有明显的模拟速度优势,为深亚微米级的抗辐射加固研究提供了坚实的理论基础.
王佩李磊
关键词：单粒子效应抗辐射加固
基于电路设计的航天设备抗辐射加固技术
抗辐射是航天环境下电子设备最重要的性能指标，抗辐射加固技术也是当前航天电子技术的研究重点。本文从辐射环境的介绍出发，对辐射效应进行了阐述，并着重对基于电路设计的抗辐射加固技术进行了研究和总结，最后提出了几点关于抗辐射研究...
Pei Wang王佩Lei Li李磊Chun He何春
关键词：航天电子设备电路设计
CMOS抗辐射加固电路RHBD技术研究
本文主要是对CMOS电路的抗辐射加固RHBD技术进行了研究，介绍了基于RHBD技术的纠错码技术、保护门(Guard-gates)电路技术、双互锁存储单元(DICE)技术、三模冗余(TMR)技术等；并给出了基于DICE结构...
Minghao Hu胡明浩Lei Li李磊Pei Wang王佩
关键词：CMOS电路锁存器
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