王润梅
- 作品数：36 被引量：34H指数：4
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- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自然科学总论更多>>
- GaAs的ICP选择刻蚀研究被引量：6
- 2000年
- 选择刻蚀在GaAs工艺中是非常重要的一步。由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择性差,且精度难以控制，因此有必要进行干法刻蚀的研究。虽然采用反应离子刻蚀（RIE）、磁增强反应离子刻蚀（MERIE）可以进行选择刻蚀，但是这两种方法在挖槽时会对器件造成较大损伤，影响器件性能。感应耦合等离子刻蚀（ICP）是一种低损伤、高刻蚀速率高选择比的刻蚀方法,在GaAs器件的制造中有突出的优点。本工作进行了GaAs/AlGaAs的选择刻蚀研究，GaAs/AlGaAs的选择比达到840:1,取得较理想的刻蚀结果。
- 王惟林刘训春魏珂郭晓旭王润梅
- 关键词：GAAS/ALGAASICP干法刻蚀
- KrF准分子激光移相光刻在HEMT栅加工中的应用
- 1998年
- 将KrF准分子激光无铬接触式移相光刻应用于深亚微米HEMT栅图形加工，自行设计、组装了一套实验系统，很好地解决了这一器件制作的关键工艺问题。分别采用石英版移相和衬底移相方式，可重复可靠地得到剖面陡直的（0．30—0．35）μm和（0．2—0．25）μm胶阴线条，这一工艺技术完全与现有器件工艺技术兼容，为HEMT深亚微米栅加工提供了一个新的可供选择的方法，文中还从计算机模拟角度对上述两种移相光刻方式作了分析。
- 钱鹤刘训春王润梅欧文张学曹振亚吴德馨
- 关键词：深亚微米HEMT半导体制造工艺
- 一种X射线图形掩模
- 本实用新型公开了一种用于半导体器件与集成电路工艺的X射线图形掩模，它在掩模线条的侧边设有能够透过X射线的属侧向支撑体，基片可为氮化硅片，金属图形可以是金属线条形成的图形。这样的结构能够提高掩模的合格率、可靠性以及使用寿命...
- 刘训春陈梦真叶甜春钱鹤王润梅王玉玲孙宝银曹振亚欧文张学
- 文献传递
- 自对准GaInP/GaAs HBT器件被引量：8
- 2002年
- 利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准 In Ga P/Ga As异质结双极晶体管 ( HBT) ,其特征频率 ( ft)达到 5 4 GHz,最高振荡频率 ( fmax)达到 71GHz,并且 ,这种方法工艺简单 ,成品率高 .文中还对该结果进行了分析 。
- 钱永学刘训春王润梅石瑞英
- 关键词：异质结双极晶体管HBT
- 一种金属-半导体埸效应晶体管
- 本发明公开了一种利用侧壁自对准技术制造MESFET的结构，在金属栅电极与漏区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度大于与源区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度，这样的非对称结构能够提高MESFET的性能。
- 刘训春王润梅叶甜春曹振亚
- 文献传递
- 晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法
- 本发明晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法属于半导体集成电路工艺。本方法是先在衬底片上涂两层正性光刻胶，或者先淀积一层SiO<Sub>2</Sub>或SiN介质层后涂正性光刻胶，然后光刻出发射极或栅极窗口图形，再用等...
- 刘训春李无瑕王润梅钱永学吴德馨张龙海郑坚斌罗明雄
- InGaP/GaAs HBT 10Gb/s光调制器驱动电路的研制
- 我们采用微电子中心自行开发的4英寸InGaP/GaAs HBT技术,设计和制造了10Gb/s光调制器驱动电路.并在高频电信号测试上取得突破,该驱动电路的输出电压摆幅达到3Vpp,上升时间达34.2ps(20~80％),下...
- 刘洪民袁志鹏孙海锋和致经王素琴王润梅刘新宇吴德馨
- 关键词：光调制器驱动电路
- 文献传递
- 采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管的性能(英文)
- 2006年
- 研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件.该器件的共射直流增益达到170,残余电压约为0·2V,膝点电压仅为0·5V,而击穿电压超过了2V.器件的截止频率达到85GHz ,最大振荡频率为72GHz ,这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.
- 苏树兵刘训春刘新宇于进勇王润梅徐安怀齐鸣
- 关键词：自对准发射极磷化铟
- 基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT被引量：2
- 2006年
- 报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击穿电压BVceo超过10V,器件的基极和集电极电流理想因子分别为nb=1.16,nc=1.11,可应用于低功耗、高功率领域.
- 苏树兵徐安怀刘新宇齐鸣刘训春王润梅
- 关键词：MBE双异质结双极晶体管
- 162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文)
- 2006年
- 报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流IC=34·2 mA的条件下,发射极面积为0·8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz ,最大振荡频率fmax为52GHz ,最大直流增益为120,偏移电压为0·10V,击穿电压BVCEO达到3·8V(IC=0·1μA) .这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器.
- 于进勇严北平苏树兵刘训春王润梅徐安怀齐鸣刘新宇
- 关键词：磷化铟异质结双极型晶体管自对准
