刘训春
- 作品数：105 被引量：93H指数：6
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信自然科学总论更多>>
- UHF宽带大功率放大器模块被引量：1
- 2007年
- 报道了自行设计并研制成功的UHF宽带大功率放大器模块，该模块在1．35～1．85GHz频带内增益高于44dB，输出功率大于10w，增益平坦度≤±0．7dB同时对射频功率放大器的稳定性进行了分析与讨论，提出了提高射频功率放大器稳定性的方法，即要设法排除带外不稳定因素以及设计合理的偏置网络，这对射频功率放大器的稳定性有明显的改善。
- 王宇晨刘训春郝明丽黄清华
- 关键词：功率放大器射频稳定性
- 一种太阳能电池刻边机反应室结构
- 本发明一种太阳能电池刻边机反应室结构，它的腔壁与太阳电池片形状相似，呈方形，四角处可呈切角状或弧形，并作为产生辉光放电的射频供电的一个电极接地，腔室中间有一个金属电极接射频输出，该金属射频电极上放置有一结构特殊的载片架。...
- 刘训春周宗义李兵王佳张育胜张永利
- 文献传递
- 新结构InGaP/GaAs HBT的研制
- 本文在U型发射极结构基础上，提出了一种新结构HBT.该器件工艺简单,可靠性好,成品率高,而且仍然具有U型发射极HBT良好的的击穿、直流和高频特性.
- 杨威刘训春朱晻王润梅申华军刘新宇
- 关键词：双极晶体管晶体管结构半导体材料
- 文献传递
- 一种制作晶体管T型纳米栅的方法
- 本发明公开了一种制作晶体管T型纳米栅的方法，包括：A、在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前烘；B、在第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C、在第二层电子束胶ZEP52...
- 刘亮张海英刘训春
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- 一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统
- 本发明公开了一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统，属于半导体加工制造领域。所述方法是：在反应离子刻蚀的反应室的两个电极间并联一个由电感线圈L和电容C组成的LC谐振回路，LC谐振回路的谐振频率与反应离子刻蚀的反应室的射频...
- 刘训春王佳周宗义李兵王建海黄清华
- 文献传递
- 自对准HBT T型发射极的制作
- 本文比较了SF<,6>对钨(W)和硅(Si)的刻蚀特性,并利用硅片和钨靶结合的办法来得到WSi薄膜,利用WSi的侧向腐蚀特性来制作T型发射极金属,在此基础上实现了HBT发射极和基极的自对准.实验结果表明这一方法具有很大的...
- 郑坚斌刘训春王润梅李无瑕钱永学杨雪莹
- 关键词：异质结双极晶体管自对准工艺
- 文献传递
- 带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析被引量：2
- 2006年
- 设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs/InPDHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响.结果表明,当n+-InP插入层掺杂浓度为3×1019cm-3、厚度为3nm时,可以获得较好的器件特性.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术成功地生长出InP/InGaAs/InPDHBT结构材料.器件研制结果表明,所设计的DHBT材料结构能有效降低集电结的导带势垒尖峰,显著改善器件的输出特性.
- 孙浩齐鸣徐安怀艾立鹍苏树兵刘新宇刘训春钱鹤
- 关键词：INP/INGAAS异质结双极晶体管
- 晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法
- 本发明晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法属于半导体集成电路工艺。本方法是先在衬底片上涂两层正性光刻胶,或者先淀积一层SiO<Sub>2</Sub>或SiN介质层后涂正性光刻胶,然后光刻出发射极或栅极窗口图形,再用等...
- 刘训春李无瑕王润梅钱永学吴德馨张龙海郑坚斌罗明雄
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- GaAs背面通孔刻蚀技术研究被引量：2
- 2004年
- 比较研究了GaAs背面通孔腐蚀中的湿法腐蚀和ICP干法刻蚀技术,并利用感应离子耦合(ICP)干法刻蚀技术,采用CCl_2F_2/Ar混合气体,对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究。通过优化气压、射频功率、CCl_2F_2/Ar混合气体组分配比,在CCl_2F_2流量为200sccm,Ar流量为10sccm,源功率P_s=400W,偏压功率P_b=14W,自偏压V_b=120V,真空度P=43Pa时,得到了表面平滑的通孔形貌和最大的通孔刻蚀速率(4.3μm/min)。
- 陈震魏珂王润梅刘新宇刘训春吴德馨
- 关键词：通孔干法刻蚀
- 制备深亚微米栅的方法
- 一种制备深亚微米栅的方法，其步骤为：1)在基片上淀积氮化硅和二氧化硅复合膜；光刻生成胶膜图形，使其一边位于器件源漏中间；腐蚀二氧化硅的暴露部分并使形成侧蚀；2)蒸发金属；通过剥离工艺，去除胶上的金属；3)采用等离子体刻蚀...
- 刘训春李无暇王润海罗明雄石华芬汪宁
- 文献传递
