您的位置： 专家智库 > >

吴顶和

作品数：4 被引量：10H指数：2
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程

主题

  • 2篇芯片
  • 2篇芯片焊接
  • 1篇引线
  • 1篇引线键合
  • 1篇器件封装
  • 1篇最高温度
  • 1篇温度
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇键合
  • 1篇功率
  • 1篇功率MOSF...
  • 1篇功率器件
  • 1篇焊接工艺优化
  • 1篇焊料
  • 1篇封装
  • 1篇封装测试
  • 1篇高温
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体芯片

机构

  • 4篇复旦大学
  • 1篇快捷半导体(...

作者

  • 4篇吴顶和
  • 3篇俞宏坤
  • 2篇方强
  • 1篇彭雅芳
  • 1篇沈萌
  • 1篇邵雪峰

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 4篇2008
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
功率器件封装的失效分析技术及技术应用研究
随着功率MOSFET的工作电压和电流大幅度增加、芯片尺寸的不断减小,导致功率MOSFET器件芯片的内部电场进一步增大。这些因素对功率MOSFET的可靠性提出了挑战。不断提高器件的可靠性成为了人们关注的热点。通过失效分析寻...
吴顶和
关键词：功率MOSFET引线键合
文献传递
功率器件漏电流的PEM定位和分析被引量：3
2008年
光发射显微镜(PEM)系统是应用于微电子器件漏电流定位和分析的有效工具。利用PEM系统的激光光束诱导阻抗变化(OBIRCH)功能和光发射(EMMI)功能,从正面可直接对功率器件大的漏电流进行定位观察。利用PEM的EMMI功能,还可从背面对器件微弱的漏电流进行定位和分析。介绍了PEM系统对功率器件芯片不同量级的漏电流进行定位与分析的应用,为分析功率器件漏电流失效提供依据。
吴顶和方强邵雪峰俞宏坤
关键词：功率器件
芯片的EOS失效分析及焊接工艺优化被引量：6
2008年
为了研究电过应力对功率MOSFET可靠性的影响,分别对含有焊料空洞、栅极开路和芯片裂纹缺陷的器件进行失效分析与可靠性研究.利用有限元分析、电路模拟及可靠性加速实验,确定了器件发生EOS失效的根本原因.并通过优化芯片焊接温度-时间曲线和利用开式感应负载测试方法,比较了工艺优化前、后器件抗EOS的能力,结果表明优化后器件的焊料空洞含量显著减少,抗EOS能力得到明显提高.
吴顶和沈萌邵雪峰俞宏坤
关键词：MOSFET芯片焊接
一种提高芯片抗电过应力能力的方法
本发明属于半导体芯片封装测试技术领域，具体为一种提高芯片抗电过应力能力的方法。本发明采用优化的芯片焊接温度－时间曲线，具体而言是提高焊接最高温度到363－365℃，延长焊料熔融时间到38－40分钟，降低焊后降温速率到8....
俞宏坤吴顶和彭雅芳方强邵雪峰
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0