方强
- 作品数:7 被引量:14H指数:3
- 供职机构:复旦大学材料科学系更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家科技基础条件平台建设计划更多>>
- 相关领域:电子电信金属学及工艺医药卫生经济管理更多>>
- 功率器件漏电流的PEM定位和分析被引量:3
- 2008年
- 光发射显微镜(PEM)系统是应用于微电子器件漏电流定位和分析的有效工具。利用PEM系统的激光光束诱导阻抗变化(OBIRCH)功能和光发射(EMMI)功能,从正面可直接对功率器件大的漏电流进行定位观察。利用PEM的EMMI功能,还可从背面对器件微弱的漏电流进行定位和分析。介绍了PEM系统对功率器件芯片不同量级的漏电流进行定位与分析的应用,为分析功率器件漏电流失效提供依据。
- 吴顶和方强邵雪峰俞宏坤
- 关键词:功率器件
- 塑封功率器件分层失效机理研究与工艺改进
- 功率半导体器件是电力电子技术的基础和核心,近年来功率半导体技术发展迅速,但功率半导体器件的封装发展相对滞后,一定程度上已经制约了功率器件性能的进一步提高。塑料封装是功率半导体器件主要的封装形式,但塑料封装的非气密性会带来...
- 方强
- 关键词:功率器件塑料封装粘接强度
- 文献传递
- 塑封功率器件在湿热老化试验中分层导致的电化学腐蚀的分析被引量:1
- 2009年
- 某种TO252封装形式的塑料封装功率器件在85℃/85 RH条件下湿热老化后发生分层失效,具体过程为环氧塑封料-铜基板界面产生分层裂纹,铜在湿热环境下发生缝隙腐蚀,裂纹不断向封装体内扩展,当分层扩展至Sn-Pb焊料时,发生Cu-Sn63Pb37电偶腐蚀.对分层断面产物的分析表明,铜基板表面存在含铅的腐蚀产物.测定了器件Sn-Cu-Sn63Pb37体系的电化学极化曲线,并对发生电偶腐蚀后的Cu-Sn63Pb37进行了形貌及成分分析,发现SnPb共晶钎料中的富铅相优先发生腐蚀,铅离子发生迁移并在铜的表面沉积.在此基础上提出了湿热老化条件下封装分层导致的电化学腐蚀的机理,与实验现象吻合得很好.湿热老化条件下的电化学腐蚀可以加速分层裂纹的扩展,使塑封器件的预期可靠性寿命下降,在湿热环境下服役的塑封器件的寿命预测中必须将其作为一个考虑的因素.
- 方强蒋益明李劲邵雪峰俞宏坤
- 关键词:塑料封装湿热老化电化学腐蚀
- Cu引线框架氧化对功率器件中Cu/EMC界面的影响被引量:3
- 2010年
- 按照实际制作器件的工艺条件和方法,采用不同的Cu引线框架氧化时间,制备了多组无芯片的封装器件,并打磨Cu/EMC界面的样品。然后对样品进行了剪切实验和界面微观结构观察。剪切实验发现,适当的Cu预氧化时间能有效提高Cu/EMC界面强度。Cu/EMC界面的SEM照片显示。150rain的氧化时间使界面产生了大量不同形状的氧化物颗粒,断裂沿Cu氧化层或EMC过渡层发生,导致界面剪切强度离散。考虑到Cu氧化对Cu/EMC界面的影响及工艺成本,氧化时间范围为165℃下8~12min。
- 方行方强王珺俞宏坤邵雪峰
- 关键词:功率器件剪切强度
- 论证券公司的个人金融服务营销
- 随着国内经济社会的发展,我国居民的个人金融投资意识已有很大的提高,对个人金融服务需要日益增强,并朝着多样化的方向发展。因此,拓展个人金融服务领域有着非常大的空间,个人金融服务业务发展的好坏也决定着金融机构未来的竞争地位。...
- 方强
- 关键词:证券公司个人金融服务市场营销金融市场
- 文献传递
- 一种提高芯片抗电过应力能力的方法
- 本发明属于半导体芯片封装测试技术领域,具体为一种提高芯片抗电过应力能力的方法。本发明采用优化的芯片焊接温度-时间曲线,具体而言是提高焊接最高温度到363-365℃,延长焊料熔融时间到38-40分钟,降低焊后降温速率到8....
- 俞宏坤吴顶和彭雅芳方强邵雪峰
- 文献传递
- 我国部分医疗设备服务价格制定及相关因素研究
- 该课题根据在全国10个城市31所医院的现场成本调查及Delphi专家咨询,对B超、彩超、CT、磁共振、SPECT、动态心电图机和血气分析等7种较大型医疗设备的实际成本和标准成本进行了研究,并以此为依据,探讨了中国医疗设备...
- 方强
- 关键词:价格政策