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吴人齐

作品数:6 被引量:4H指数:1
供职机构:华北光电技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 4篇碲镉汞
  • 2篇误差分析
  • 2篇差分
  • 1篇液相外延
  • 1篇阵列
  • 1篇砷化镓
  • 1篇探测器
  • 1篇线阵
  • 1篇线阵列
  • 1篇相平衡
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇均匀性
  • 1篇红外
  • 1篇红外探测
  • 1篇红外探测器
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料

机构

  • 6篇华北光电技术...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 6篇吴人齐
  • 2篇王金义
  • 1篇尹洁
  • 1篇江潮
  • 1篇黄绮
  • 1篇吕惠宾
  • 1篇周均铭
  • 1篇蔡丽红
  • 1篇杨国桢
  • 1篇陈正豪
  • 1篇常米
  • 1篇朱建慧
  • 1篇刘克岳
  • 1篇林立
  • 1篇周立庆
  • 1篇胡强
  • 1篇陈世达
  • 1篇崔大复
  • 1篇应明炯

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇激光与红外
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1995
  • 1篇1993
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
碲镉汞晶体组分及其均匀性控制研究
2001年
本文利用碲镉汞膺二元固液T -X相图对碲镉汞晶体生长方法进行了分类研究 ;分析了影响碲镉汞晶体组分及其均匀性的因素 ,提出了存在的问题和改善的措施 ;认为在特定组分的固相线温度 (相图中的B点 )生长碲镉汞晶体是一种比较有效的方法 ,并报道了采用双相复合维持液相成份生长大直径4 0mm碲镉汞晶体组分控制研究的结果 (在S≈ 12cm2 的晶片面积上 ,x =0 .2 18±0 .0 0 3)。
刘克岳王金义吴人齐
关键词:均匀性晶体结构半导体材料
HgCdTe分子束外延薄膜的研制
1995年
本文概要报导我们HgCdTeMBE上作的最近进展。一批面积2.0-16.6cm2,组份x0.188-0.30,载流子浓度7.81×1014~1.0×1016cm-3,迁移率1.0×104~1.45×105cm2v-1.s-1和x射线双晶衍射半峰宽(FWHM)64~100arcsec的N型原生HgCdTe外延膜已经得到,某些参数已接近或达到国外报导的典型值,并在国内首先研制了直径为50mm的HgCdTe外延膜。为了评价材料的特性,用一块X=0.243的外延膜经适当热处理后研制了光伏探测器试验阵列,其最好的一元探测率Dλ*=2.44×1010cmHz1/2W-1(λc=7.9μm)。
陈世达林立何先忠应明炯吴人齐
关键词:分子束外延HGCDTE
相平衡形成母液法生长碲镉汞液相外延膜被引量:4
1999年
根据相律探索出相平衡形成母液法生长碲镉汞液相外延膜新的工艺方法。该方法工艺简单,外延膜组份易于调整和控制。利用此种方法,成功地生长出x = 0-21 ~0-23,表面光亮,结构完整的碲镉汞液相外延膜。
王金义常米陈万熙周立庆朱建慧吴人齐
关键词:碲镉汞液相外延相平衡
用FTIR测量碲镉汞晶片组份X值的误差分析
九个碲镉汞标准组份样品(组份分别从0.195~0.230)进行不同条件的测量。根据统计分布理论分别计算出了它们的平均偏差和均方根偏差。并计算出用FTIR测量碲镉汞晶片组份X值的总误差δ∑=11.05cm<'...
P.维克多吴人齐
关键词:误差分析碲镉汞FTIR
用FTIR测量碲镉汞晶片组份X值的误差分析
该文九个碲镉汞标准组份样品(组份分别从0.195~0.230)进行不同条件的测量。根据统计分布理论分别计算出了它们的平均偏差和均方根偏差。并计算出用FTIR测量碲镉汞晶片组份X值的总误差δ∑=11.05cm<'-1>。
吴人齐P.维克多
关键词:碲镉汞误差分析
8—12μm GaAs量子阱红外探测器及其线阵列
1993年
由于量子尺寸受限效应和超周期性的存在,超晶格量子阱的导带中形成了量子化的子能带.这些子能带可以由控制垒宽、垒高和阱宽,以及由设计阱的形状而得到剪裁,使导带中子能带间光跃迁的红外共振吸收峰在相当宽的范围得到调节.所谓量子阱红外探测器,就是利用半导体超晶格量子阱材料子带间光跃迁的红外吸收特性研制而成的一种新颖、快速。
陈正豪周均铭崔大复胡强蔡丽红江潮吕惠宾黄绮杨国桢尹洁吴人齐周文娟徐元林郑炳洪
关键词:红外探测器线阵列砷化镓
共1页<1>
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