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王金义

作品数:14 被引量:21H指数:3
供职机构:华北光电技术研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 5篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇碲镉汞
  • 6篇晶体
  • 6篇红外
  • 3篇液相外延
  • 3篇探测器
  • 3篇晶体生长
  • 3篇红外探测
  • 3篇红外探测器
  • 2篇大直径
  • 2篇碲锌镉
  • 2篇碲镉汞晶体
  • 2篇均匀性
  • 2篇红外光
  • 2篇CDZNTE
  • 2篇HGCDTE
  • 1篇低温退火
  • 1篇液相外延技术
  • 1篇速率
  • 1篇退火
  • 1篇区熔

机构

  • 13篇华北光电技术...
  • 1篇信息产业部

作者

  • 14篇王金义
  • 8篇刘克岳
  • 3篇张学仁
  • 3篇赵宏
  • 3篇周立庆
  • 3篇郎维和
  • 2篇侯清润
  • 2篇常米
  • 2篇朱建慧
  • 2篇吴人齐
  • 1篇刘兴新
  • 1篇张友
  • 1篇张华山
  • 1篇张建平
  • 1篇赵振香
  • 1篇王迎
  • 1篇杜冰
  • 1篇胡增辉
  • 1篇董瑞清

传媒

  • 3篇激光与红外
  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇2002年全...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇分析测试学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇全国光电技术...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 2篇2002
  • 1篇2001
  • 3篇2000
  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 2篇1995
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
碲镉汞晶体组分及其均匀性控制研究
2001年
本文利用碲镉汞膺二元固液T -X相图对碲镉汞晶体生长方法进行了分类研究 ;分析了影响碲镉汞晶体组分及其均匀性的因素 ,提出了存在的问题和改善的措施 ;认为在特定组分的固相线温度 (相图中的B点 )生长碲镉汞晶体是一种比较有效的方法 ,并报道了采用双相复合维持液相成份生长大直径4 0mm碲镉汞晶体组分控制研究的结果 (在S≈ 12cm2 的晶片面积上 ,x =0 .2 18±0 .0 0 3)。
刘克岳王金义吴人齐
关键词:均匀性晶体结构半导体材料
双相复合生长大直径(Φ40)碲镉汞晶体
介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法(即双相复合生长法),详细阐述了该方法的生长机理和生长过程:分析了该方法生长过程中影响晶体生长的因素(生长温度、温度梯度、生长速率、固液界面等):总结了该方法晶体生长的优点,并提出了晶体生...
王金义刘克岳
关键词:碲镉汞
双相复合生长大直径(Φ40)碲镉汞晶体
该文介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法(即双相复合生长法),详细阐述了该方法的生长机理和生长过程:分析了该方法生长过程中影响晶体生长的因素(生长温度、温度梯度、生长速率、固液界面等):总结了该方法晶体生长的优点,并提出了晶...
刘克岳王金义
关键词:碲镉汞晶体晶体生长
单温区碲镉汞液相外延技术的研究
采用单温区碲化汞补偿相外延法,通过液相延舟的设计、温度参数和氢气流量的选择,在碲锌镉衬义上成功外延出碲匐汞液相外延膜.液相外延膜的组份均匀性、表面形貌、X光形貌和电性能参数均较好.
周立庆刘兴新王金义董瑞清王迎胡增辉
关键词:碲镉汞薄膜液相外延红外探测器
文献传递
HgCdTe外延用的CdZnTe衬底研制被引量:9
2000年
阐述了 Cd Zn Te衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性 ;概括了 Cd Zn Te晶体生长的方法、原理和工艺步骤 ;分析了影响晶体质量 (单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性 )的因素 ,并提出了与质量相关的控制技术 ;介绍了 Cd Zn Te衬底制备过程中 ,晶片处理的工艺和步骤 (晶锭的定向切割、单晶划片、极性鉴别、磨抛、腐蚀 ) ;报道了目前 Cd Zn Te晶体的性能水平、晶片处理结果和 Cd Zn Te的应用情况。
刘克岳王金义张学仁赵宏张健平
关键词:CDZNTE红外探测器
外延衬底用CdZnTe晶体进展被引量:4
1997年
文中简要介绍了CdZnTe晶体用作HgCdTe外延衬底的优点和国内外研究的现状,概括了CdZnTe晶体的生长方法及其特点,总结了影响CdZnTe晶体生长和晶体质量的因素,提出CdZnTe晶体生长中存在的问题和改善晶体质量的措施。
刘克岳王金义郎维和
关键词:晶体生长碲锌镉
液相外延法生长Hg<,1-X>Cd<,X>Te薄膜的研究
将相平衡形成母液法和碲化汞补偿合成母液法结合起来,探索出一种液相外延生长碲镉汞薄膜的新方法.利用该方法,生长出来的碲镉汞外延膜,表面形貌好,组分均匀,电学性能良好,制备出一定性能的器件.
周立庆王金义朱建慧
关键词:碲镉汞液相外延
文献传递
MCT晶体退火压力─温度关系及其分析
1997年
采用热重法对组分不同(x=0.15~0.26、y=0.50~0.54)的(Hg1-xCdx)1-yTey晶体s-g平衡体系进行了P-T关系测量(T<560℃、P=2~76kPa);发现x值不同的样品对P-T的影响不明显;y值偏离(y≥0.504)的样品在420±5℃有PHg降,并对此进行了分析,提出了利用此现象可以减少MCT晶体中的富Te量和改善Te组分均匀性;补充了51kPa以下的P-T数据,通过与传统相图的比较发现MCT的相存在区缩小,特别是在10kPa以下,Te饱和线逐渐向Hg饱和线靠拢,并对本征线的可能位置进行了分析。通过该研究为MCT晶体造火条件提供了精确的选择范围。
刘克岳赵振香王金义郎维和
关键词:碲镉汞晶体退火红外光学材料
Te溶剂垂直区熔法生长φ20MCT晶体组分控制研究被引量:2
1996年
采用Te作溶剂在特制的垂直区熔炉上开展了φ20MCT晶体的生长研究;详细阐述了该方法MCT晶体的生长过程和生长机理;总结和分析了晶体生长过程中影响组分的因素;提出了生长过程中组分控制存在的问题和改善组分控制的措施。通过该研究,优化了生长条件,采取了适当的温度分布(窄的高温区、大的温度梯度)和降低液区高度等有效措施,获得了φ20、轴向组分波动小(长波段可利用率高达70%)、径向组分均匀(△x=±0.0015)的MCT晶体,并利用此材料作出了一系列性能良好的多元光导、光伏红外探测器件。
刘克岳郎维和王金义张学仁李美荣常米赵宏
关键词:HGCDTE晶体生长红外材料
碲锌镉晶体材料的研究
采用垂直布里奇曼法生长出直径45mm的碲锌镉晶体,经过切割、磨抛工艺制备出晶片厚度1.0mm、(111)面碲锌镉晶片.经过测量,碲锌镉晶体材料的性能为:成晶率≥60﹪(2.5-25μ m),为红外焦平面技术中的碲镉汞液相...
张华山王金义张学仁张建平张友赵宏
关键词:温度梯度红外探测器
文献传递
共2页<12>
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