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应明炯

作品数：4 被引量：10H指数：2
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇探测器
  • 2篇红外
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇HGCDTE
  • 1篇湿法化学刻蚀
  • 1篇湿法刻蚀
  • 1篇锑化铟
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇碲镉汞
  • 1篇离子注入
  • 1篇刻蚀
  • 1篇快速热退火
  • 1篇焦平面
  • 1篇光导
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇铟
  • 1篇HGCDTE...

机构

  • 3篇华北光电技术...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇电子工业部

作者

  • 4篇应明炯
  • 1篇刘家璐
  • 1篇冯建华
  • 1篇张廷庆
  • 1篇贾宝军
  • 1篇吴人齐
  • 1篇林立
  • 1篇陈世达
  • 1篇周冠山
  • 1篇韦书领

传媒

  • 3篇激光与红外
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2002
  • 1篇1998
  • 1篇1995
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
B^+注入HgCdTe快速热退火的研究
1998年
借助二次离子质谱和俄歇电子能谱对Ｂ＋注入ＨｇＣｄＴｅ有无ＺｎＳ膜包封在快速热退火条件下表层的Ｈｇ损失进行了深入的分析．快速热退火温度为３００，３５０和４００℃，退火时间为１０ｓ．ＺｎＳ膜厚度为１６０ｎｍ．结果表明，３００℃，１０ｓ快速热退火后，有ＺｎＳ膜包封的ＨｇＣｄＴｅ表层没有Ｈｇ损失．对Ｂ＋注入ＨｇＣｄＴｅＮ＋Ｐ结快速热退火工艺流程进行了优化．结果表明，快速热退火放在光刻金属电极之后进行，可以改善结的特性．
刘家璐张廷庆冯建华周冠山应明炯
关键词：离子注入碲镉汞快速热退火
低温光导型InSb红外探测器研究被引量：2
2002年
文中讨论了决定光导型探测器性能的主要因素。在理论分析的基础上 ,对低温单元光导InSb探测器的主要工艺参数进行分析和估算。
贾宝军应明炯郑甦丹张健
关键词：红外探测器光导
InSb晶片湿法化学刻蚀研究被引量：8
2008年
随着大格式InSb FPA器件发展,像元间距越来越小,芯片总面积不断增加,对像元加工精度和均匀性都提出了极高的要求,原有的湿法刻蚀已越来越难于满足工艺要求,主要体现在湿法横向刻蚀导致原本设计很小的像元面积进一步缩小,严重降低InSb FPA的填充因子。通过实验,介绍一种湿法刻蚀工艺,可以较好解决上述问题。
韦书领应明炯
关键词：红外探测器焦平面湿法刻蚀锑化铟
HgCdTe分子束外延薄膜的研制
1995年
本文概要报导我们ＨｇＣｄＴｅＭＢＥ上作的最近进展。一批面积２．０－１６．６ｃｍ２，组份ｘ０．１８８－０．３０，载流子浓度７．８１×１０１４～１．０×１０１６ｃｍ－３，迁移率１．０×１０４～１．４５×１０５ｃｍ２ｖ－１．ｓ－１和ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）６４～１００ａｒｃｓｅｃ的Ｎ型原生ＨｇＣｄＴｅ外延膜已经得到，某些参数已接近或达到国外报导的典型值，并在国内首先研制了直径为５０ｍｍ的ＨｇＣｄＴｅ外延膜。为了评价材料的特性，用一块Ｘ＝０．２４３的外延膜经适当热处理后研制了光伏探测器试验阵列，其最好的一元探测率Ｄλ＊＝２．４４×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（λｃ＝７．９μｍ）。
陈世达林立何先忠应明炯吴人齐
关键词：分子束外延HGCDTE
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