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陈世达

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 1篇电镜
  • 1篇射电
  • 1篇砷化镓
  • 1篇双晶
  • 1篇双晶衍射
  • 1篇透射电镜
  • 1篇碲化镉
  • 1篇CDTE
  • 1篇HGCDTE
  • 1篇HGCDTE...

机构

  • 2篇华北光电技术...

作者

  • 2篇林立
  • 2篇陈世达
  • 1篇吴人齐
  • 1篇应明炯

传媒

  • 1篇激光与红外
  • 1篇红外与激光技...

年份

  • 2篇1995
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
HgCdTe分子束外延薄膜的研制
1995年
本文概要报导我们ＨｇＣｄＴｅＭＢＥ上作的最近进展。一批面积２．０－１６．６ｃｍ２，组份ｘ０．１８８－０．３０，载流子浓度７．８１×１０１４～１．０×１０１６ｃｍ－３，迁移率１．０×１０４～１．４５×１０５ｃｍ２ｖ－１．ｓ－１和ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）６４～１００ａｒｃｓｅｃ的Ｎ型原生ＨｇＣｄＴｅ外延膜已经得到，某些参数已接近或达到国外报导的典型值，并在国内首先研制了直径为５０ｍｍ的ＨｇＣｄＴｅ外延膜。为了评价材料的特性，用一块Ｘ＝０．２４３的外延膜经适当热处理后研制了光伏探测器试验阵列，其最好的一元探测率Ｄλ＊＝２．４４×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（λｃ＝７．９μｍ）。
陈世达林立何先忠应明炯吴人齐
关键词：分子束外延HGCDTE
分子束外延CdTe（211）B／GaAs（211）B的特性研究被引量：2
1995年
ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ是ＨｇＣｄＴｅ分子束外延的重要替代衬底材料。用Ｘ双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ＧａＡｓ（２１１）Ｂ的晶体结构质量，表明外延膜晶体结构完整，具有很高的质量。用高分辨率的透射电镜研究其界面特性，观察到ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ相对于ＧａＡｓ（２１１）Ｂ向着［１１１］方向倾斜一个小角度（约３°），界面的四面体键网发生扭曲，由于晶格失配，在界面存在很高的失配位错密度。用二次离子质谱分析仪分析了ＧａＡｓ衬底中的Ｇａ和Ａｓ向ＣｄＴｅ外扩散的情况。结果表明：如果要在ＧａＡｓ衬底上生长ＨｇＣｄＴｅ外延膜，必须先生长一层具有一定厚度的ＣｄＴｅ来阻止Ｇａ和Ａｓ向ＨｇＣｄＴｅ的外扩散和失配位错的延伸。
陈世达林立何先忠
关键词：碲化镉砷化镓双晶衍射透射电镜
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