韦书领
- 作品数：3 被引量：14H指数：2
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 红外探测器杜瓦冷头的低温可靠性研究被引量：1
- 2022年
- 红外探测器杜瓦冷头结构受温度冲击时容易损伤,甚至会导致探测器组件失效。这是红外探测器组件产品研制中不可避免的可靠性问题之一。针对红外探测器杜瓦冷头的低温可靠性问题展开了相关研究。结合粘接失效原理和有限元仿真,讨论了粘接胶厚度、溢胶等情况对杜瓦冷头低温应力、冷头--冷指粘接面积与探测器温度关系的影响。结果表明,胶层状态是影响杜瓦冷头低温损伤和温度传导的重要原因。产品研制过程中可通过控制粘接胶层来降低大面阵探测器粘接结构的低温应力,从而提高冷头结构的低温可靠性。
- 付志凯王冠韦书领孟令伟宁提
- 关键词：红外探测器热应力
- 正/负双层光刻胶厚膜剥离技术被引量：5
- 2006年
- 首次介绍一种正/负双层光刻胶厚膜剥离技术,采用在厚层正型光刻胶上涂薄层负型光刻胶的方法,在光刻胶的边缘形成顶层外悬的屋檐式结构,实现了10μm蒸发膜层的无高沿边缘剥离。对不同的剥离膜厚,选取合适的胶厚,可控制剥离膜的横向尺寸精度。10μm厚蒸发膜层的横向尺寸差可控制在5μm内。
- 林立韦书领杨春莉刘理天程绍椿
- 关键词：光刻
- InSb晶片湿法化学刻蚀研究被引量：8
- 2008年
- 随着大格式InSb FPA器件发展,像元间距越来越小,芯片总面积不断增加,对像元加工精度和均匀性都提出了极高的要求,原有的湿法刻蚀已越来越难于满足工艺要求,主要体现在湿法横向刻蚀导致原本设计很小的像元面积进一步缩小,严重降低InSb FPA的填充因子。通过实验,介绍一种湿法刻蚀工艺,可以较好解决上述问题。
- 韦书领应明炯
- 关键词：红外探测器焦平面湿法刻蚀锑化铟
