荣延栋
- 作品数:11 被引量:2H指数:1
- 供职机构:北京工业大学更多>>
- 发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
- 采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜。应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导。通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备...
- 荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
- 关键词:非晶硅红外
- 文献传递
- 热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
- 采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备...
- 荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
- 关键词:非晶硅红外ECR-CVD氢含量热丝
- 文献传递
- 热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜
- 我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变...
- 吴越颖胡跃辉阴生毅荣延栋王青高卓李瀛宋雪梅陈光华
- 关键词:A-SI:H薄膜热丝光敏性
- 文献传递
- 热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
- 2004年
- 采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.
- 荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
- 关键词:非晶硅红外
- 热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜
- 2004年
- 我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6~1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比.
- 吴越颖胡跃辉阴生毅荣延栋王青高卓李瀛宋雪梅陈光华
- 关键词:A-SI:H薄膜热丝光敏性
- a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
- 采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σ<,p>/σ<,d>)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅...
- 王青阴生毅胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华
- 关键词:氢化非晶硅氢含量光敏性
- 文献传递
- a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
- 2004年
- 采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.
- 王青阴生毅胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华
- 关键词:氢化非晶硅氢含量光敏性
- 射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜被引量:2
- 2004年
- 冯贞健邢光建陈光华于春娜荣延栋
- 关键词:立方氮化硼薄膜射频溅射两步法
- 热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜
- 我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜。通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光...
- 吴越颖胡跃辉阴生毅荣延栋王青高卓李瀛宋雪梅陈光华
- 关键词:A-SI:H薄膜热丝光敏性
- 文献传递
- a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
- 采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp/σd)和光致衰退测试。对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的...
- 王青阴生毅胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华
- 关键词:氢化非晶硅氢含量光敏性
- 文献传递