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荣延栋

作品数:11 被引量:2H指数:1
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇会议论文
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇理学
  • 5篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 10篇非晶硅
  • 10篇A-SI:H
  • 7篇氢化非晶硅
  • 7篇非晶
  • 6篇光敏性
  • 6篇A-SI:H...
  • 4篇氢含量
  • 4篇氢化非晶硅薄...
  • 4篇热丝
  • 4篇硅薄膜
  • 4篇非晶硅薄膜
  • 3篇电特性
  • 3篇光电
  • 3篇光电特性
  • 3篇红外
  • 3篇CVD法
  • 3篇ECR
  • 3篇ECR-CV...
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硼

机构

  • 11篇北京工业大学

作者

  • 11篇荣延栋
  • 10篇陈光华
  • 9篇胡跃辉
  • 9篇阴生毅
  • 6篇周怀恩
  • 6篇朱秀红
  • 4篇吴越颖
  • 4篇王青
  • 3篇宋雪梅
  • 3篇邓金祥
  • 3篇李瀛
  • 3篇张文理
  • 2篇高卓
  • 1篇冯贞健
  • 1篇邢光建
  • 1篇于春娜

传媒

  • 3篇功能材料
  • 3篇第五届中国功...
  • 3篇第五届中国功...
  • 1篇科技通讯(上...

年份

  • 1篇2005
  • 10篇2004
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜。应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导。通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备...
荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
关键词:非晶硅红外
文献传递
热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备...
荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
关键词:非晶硅红外ECR-CVD氢含量热丝
文献传递
热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜
我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变...
吴越颖胡跃辉阴生毅荣延栋王青高卓李瀛宋雪梅陈光华
关键词:A-SI:H薄膜热丝光敏性
文献传递
热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
2004年
采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.
荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
关键词:非晶硅红外
热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜
2004年
我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6~1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比.
吴越颖胡跃辉阴生毅荣延栋王青高卓李瀛宋雪梅陈光华
关键词:A-SI:H薄膜热丝光敏性
a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σ<,p>/σ<,d>)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅...
王青阴生毅胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华
关键词:氢化非晶硅氢含量光敏性
文献传递
a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
2004年
采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.
王青阴生毅胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华
关键词:氢化非晶硅氢含量光敏性
射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜被引量:2
2004年
冯贞健邢光建陈光华于春娜荣延栋
关键词:立方氮化硼薄膜射频溅射两步法
热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜
我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜。通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光...
吴越颖胡跃辉阴生毅荣延栋王青高卓李瀛宋雪梅陈光华
关键词:A-SI:H薄膜热丝光敏性
文献传递
a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp/σd)和光致衰退测试。对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的...
王青阴生毅胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华
关键词:氢化非晶硅氢含量光敏性
文献传递
共2页<12>
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