胡跃辉
- 作品数：80 被引量：119H指数：6
- 供职机构：景德镇陶瓷大学机械电子工程学院更多>>
- 发文基金：江西省自然科学基金江西省科技支撑计划项目江西省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>
- 热丝辅助MW ECR CVD技术高速沉积高质量氢化非晶硅薄膜(英文)被引量：3
- 2005年
- 氢化非晶硅薄膜具有优异的光电特性,在制备薄膜太阳能电池中有重要的应用。本文采用热丝辅助MW ECRCVD技术,通过调整各种工艺参数,制备了高沉积速率(DR>2.5nm/s)及高光敏性(σph/σD>105)的氢化非晶硅薄膜。实验表明,在衬底表面温度的分布中,热丝辐射和离子轰击引起的温度对薄膜的光敏性影响较大;在薄膜沉积的最后几分钟适当加大H稀释率,有利于薄膜光电特性的改善。
- 周怀恩陈光华朱秀红阴生毅胡跃辉
- 关键词：氢化非晶硅光敏性
- 衬底温度调制生长GZO薄膜的性能研究
- 2017年
- 利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备ZnO∶Ga透明导电氧化物薄膜,主要研究了一种类调制掺杂工艺对GZO薄膜的薄膜形貌结构和光电性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-VIS-NIR)和四探针测试仪对GZO薄膜进行表征。结果表明:不同的衬底温度调制下生长的GZO薄膜都具有明显的c轴择优取向,对于衬底温度调制条件下,在150℃/RT条件下的薄膜结晶最好,且在可见近红外波段(480~1600 nm)平均透过率达到85.4%左右,薄膜最低方阻达到60Ω/□。
- 童帆胡跃辉陈义川胡克艳劳子轩帅伟强
- 关键词：光电性能
- 用弯曲模型推导二组元复合材料杨氏模量新公式被引量：1
- 2002年
- 用弯曲模型推导了适用于悬丝耦合弯曲共振法检测金属第二组元的杨氏模量的理论公式 ,通过实验数据计算 ,结果表明在两组元h2 h1 ≈ 1时与文献〔2〕的计算结果几乎接近 ,为用悬丝耦合弯曲共振法检测各种减振材料、陶瓷材料杨氏模量提供了理论公式 ;同时用改进后的弯曲模型推导出了适用于纤维复合材料横向杨氏模量的预测公式。
- 胡跃辉胡鸿豪周小明陈光华
- 关键词：杨氏模量金属基复合材料纤维复合材料陶瓷材料
- MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究
- 2004年
- 通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(Ea),并研究了Ea与a-Si:H薄膜光敏性(σph/σ d)的关系;发现随着Ea的增大,费米能级位置下移,缺陷态密度减少,薄膜的光敏性变好.
- 高卓胡跃辉朱秀红马占杰周怀恩陈光华
- 关键词：氢化非晶硅薄膜光敏性
- Na-Mg共掺杂ZnO薄膜的溶胶凝胶法制备及性能研究被引量：7
- 2014年
- 在石英玻璃衬底上,利用溶胶-凝胶法制备了Na-Mg共掺的ZnO薄膜,研究改变Na掺杂量对ZnO薄膜的微观结构、表面形貌和光学性能的影响。样品采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外—可见光分光光度计UV-VIS进行了表征。结果表明:随着Na掺杂增加,ZnO薄膜的结晶度提高,有利于(002)晶面择优生长,其中Na-Mg掺杂比为1:1时效果最佳,表面更平整,颗粒生长更致密,薄膜的透过率达88%,带隙宽度3.31 eV。
- 刘细妹胡跃辉陈义川马德福徐斌张志明
- 关键词：溶胶-凝胶法共掺杂ZNO薄膜表面形貌光学性能
- 脉冲电流占空比对Ni-SiC_p复合镀层电沉积行为的影响被引量：8
- 2010年
- 利用不同占空比的脉冲电流电沉积法制备了Ni-SiCp复合镀层,结果表明,随着占空比的增大,镍基晶粒尺寸和嵌入SiC沉积含量也随之增加,当占空比为50%时复合镀层达到最大显微硬度值。采用基于电化学阻抗谱结果建立的等效电路模型模拟了不同占空比下电沉积过程的电荷传递电流。模拟结果发现,随着占空比的增大,电荷传递峰电流减小,同时模拟了复合镀层中嵌入SiC颗粒的体积分数。模拟计算结果与试验结果相似。
- 胡飞胡跃辉
- 关键词：占空比电沉积
- 低In电解液电沉积制备CuInSe2吸收层被引量：1
- 2012年
- 通过线性电位扫描分析了低In电解液中的阴极电化学反应,结果表明柠檬酸钠可以降低Cu2+的活性,而H2SeO3的加入可导致阴极上Se元素与Cu2+和In3+发生复杂的协同反应。低In电解液中恒电位沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,分段电位的恒电位沉积得到的薄膜更接近于CuInSe2(CIS)化学计量比。薄膜在N2气氛上退火处理,得到了黄铜矿结构CIS薄膜,禁带宽度为1.06eV。
- 胡飞陈镜昌付梦乾文思逸胡跃辉
- 关键词：柠檬酸钠
- 热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
- 2004年
- 采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.
- 荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
- 关键词：非晶硅红外
- 热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜
- 2004年
- 我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6～1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比.
- 吴越颖胡跃辉阴生毅荣延栋王青高卓李瀛宋雪梅陈光华
- 关键词：A-SI:H薄膜热丝光敏性
- a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
- 采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σ<,p>/σ<,d>)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅...
- 王青阴生毅胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华
- 关键词：氢化非晶硅氢含量光敏性
- 文献传递
