陈义川
- 作品数：36 被引量：62H指数：5
- 供职机构：景德镇陶瓷大学机械电子工程学院更多>>
- 发文基金：江西省自然科学基金国家自然科学基金江西省科技支撑计划项目更多>>
- 相关领域：化学工程理学一般工业技术电子电信更多>>
- 溶胶-凝胶法制备ZnO:Sn薄膜的微观结构及光电特性被引量：6
- 2013年
- 利用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备Sn掺杂ZnO薄膜(ZnO:Sn),研究了不同Sn掺杂量对薄膜结晶性、表面形貌和光电特性的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光度计(UV-VIS)和四探针测试仪对ZnO:Sn薄膜进行表征,结果表明:Sn掺杂2at.%时,薄膜具有良好的c轴择优取向,表面簇拥生长并呈现六角形结构,薄膜的平均透光率大约为90%,电阻率最小仅为19.6Ω.cm。
- 马德福胡跃辉胡鸿豪张效华陈义川陈新华
- 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶法
- Mg,Sn共掺对ZnO薄膜光电性能的影响被引量：1
- 2014年
- 采用溶胶-凝胶旋涂法在石英衬底上制备了不同Mg,Sn掺杂比例的ZnO薄膜,研究了不同Mg,Sn比例对ZnO薄膜微观结构、表面形貌和光电性能的影响及其内在机制。结果表明:Mg,Sn掺杂后薄膜仍保持六方纤锌矿结构并沿(002)方向择优生长,掺入2%的Mg后,晶粒有所长大,保持2%Mg不变,随着Sn的掺入,薄膜晶粒减小,但薄膜的致密度、表面平整度以及薄膜晶粒均匀性却有明显的改善;适量Mg,Sn掺杂,一方面,因Mg,Zn离子的金属性差异和Sn4+替位Zn2+晶格位置提供两个自由电子使薄膜载流子浓度增加产生Burstein-Moss效应,另一方面,因晶粒尺寸变小产生量子限域效应,薄膜禁带宽度增大,同时可见光透过率也有着明显提高;Mg,Sn共掺杂使薄膜结晶变好,载流子迁移率增大,同时载流子浓度上升,ZnO薄膜电阻率呈现较大幅度的下降。
- 马德福胡跃辉陈义川刘细妹张志明徐斌
- 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶法光电性能
- 热处理温度对溶胶凝胶法制备ZnO:Sn薄膜性能的影响被引量：8
- 2013年
- 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备掺锡氧化锌(ZnO:Sn)透明导电薄膜,研究了干燥温度和退火温度对薄膜结晶度、微观结构、光电特性的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光度计(UV-VIS)和四探针法等分析方法对ZnO:Sn薄膜进行分析表征,结果表明:在300℃温度下干燥10min后,在700℃空气中退火1h制备出的ZnO:Sn薄膜表面平整,具有c轴择优取向,平均透过率达到92%以上,电阻率仅为13.6Ω.cm。
- 陈俊胡跃辉胡鸿豪张效华陈义川陈新华
- 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶法
- 氢化处理对Li-W共掺杂ZnO薄膜性能的影响
- 2014年
- 不同H2气氛中通过RF磁控溅射在石英衬底上制备Li-W共掺杂ZnO(LWZO)薄膜。对样品进行X射线衍射、扫描电镜(SEM)、X射线光电子(XPS)、透过率以及室温光致发光(PL)谱分析。结果表明:适当氢化处理形成LWZO∶H薄膜,有助于提高薄膜的结晶质量;SEM结果显示LWZO∶H薄膜表面晶粒生长更均匀,表面更平整;薄膜的透光率保持在85%左右。从XPS分析可知,在H2气氛中,H可以有效地提高沉积粒子的活性,使W6+的掺杂效率提高。同时H+进入LWZO薄膜内部可以钝化薄膜的内部缺陷,提高载流子浓度,增加薄膜的禁带宽度。室温PL谱结果表明:LWZO的PL由本征发光及缺陷发光组成,经过氢化处理的薄膜的缺陷发光减少,本征发光强度增强。
- 陈义川胡跃辉张效华马德福刘细妹徐斌张志明
- 关键词：X射线光电子谱光致发光
- 热处理温度对溶胶凝胶法制备ZnO:Sn薄膜性能的影响
- 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备掺锡氧化锌(ZnO:Sn)透明导电薄膜,研究了干燥温度和退火温度对薄膜结晶度、微观结构、光电特性的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光度计(UV-VI...
- 陈俊胡跃辉胡鸿豪张效华陈义川陈新华
- 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶法
- 文献传递
- Na-Mg共掺对ZnO薄膜的微观结构及光学特性的影响
- 利用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了Na-Mg共掺的ZnO薄膜,研究在定量Na,不同Mg掺杂量下对ZnO薄膜的晶体微观结构、表面形貌和光学特性的影响。样品采用x射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外一可见光光...
- 刘细妹胡跃辉张效华陈义川马德福张志明
- 关键词：溶胶-凝胶法ZNO薄膜微观结构光学特性
- 缓冲层对溶胶凝胶制备ZnO∶Sn薄膜性能的影响
- 2016年
- 采用溶胶凝胶旋涂法,在石英衬底上引入缓冲层制备ZnO∶Sn薄膜。利用四探针电阻率测试仪、X射线衍射仪(XRD)、光致发光(PL)谱仪、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)等测试手段对薄膜的微观结构和光电性能进行表征。结果表明:所制样品均呈现六角纤锌矿晶体结构并沿C轴择优生长,薄膜的结晶质量和光电性能达到改善,适当厚度的缓冲层可以有效缓解薄膜和衬底间的晶格失配。随着缓冲层厚度的增加,薄膜的电导率以及在可见光范围的透过率先增大后减小。制备两层缓冲层薄膜性能最优,电阻率达到9.5×10-3Ω·cm,可见光波段的平均透过率为91%。
- 范建彬胡跃辉陈义川胡克艳
- 关键词：溶胶凝胶缓冲层光电性能
- 脉冲激光沉积法制备立方焦绿石结构的Bi_(1.5)ZnNb_(1.5)O_7薄膜被引量：4
- 2012年
- 采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5ZnNb1.507（BZN）陶瓷靶材，采用脉冲激光沉积法在Pt／SiO2／si（100）基片制备立方BZN薄膜。研究了随衬底温度的变化，薄膜的结晶性能，微观形貌以及介电性能的差异。结果表明当衬底温度在550-650℃时，薄膜具有纯的立方BZN结构，并且在600℃时薄膜的晶粒发育比较完整，此时薄膜具有较高的介电常数和较低的损耗。
- 张效华辛凤胡跃辉杨丰陈义川范跃农曾庆明
- 用MWECR CVD系统制备具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜研究
- 2010年
- 用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)系统制备了具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜,研究了沉积温度和沉积压力等对制备微晶硅薄膜的结构和电学特性的影响。结果表明:较低的反应压和较高的衬底温度有利于获得非晶/微晶两相结构的硅薄膜,当反应压为0.7 Pa、衬底温度为170℃时,得到非晶/微晶两相结构的硅薄膜晶相体积比约为30%;具有这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜,μτ乘积值约为10-5量级左右,比不含微晶成分的氢化非晶硅样品的μτ乘积值大约2个量级,同时这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜的光敏性在103～104左右,其兼具很好的光电导稳定性和优良的光电特性,是制备非晶硅太阳电池的器件级本征层材料。
- 谢耀江胡跃辉肖仁贤陈光华徐海军陈义川王立富
- Bi_(1.65)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_(7.225)陶瓷和薄膜的结构和介电性能对比被引量：1
- 2012年
- 以立方焦绿石Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN)为配方基础,通过掺入过量10%的Bi2O3,形成Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225非化学计量比分子式。采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225陶瓷,并采用脉冲激光沉积法在Pt/SiO2/Si(100)基片上制备其薄膜。对比研究了非化学计量比Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225陶瓷和薄膜的结晶性能,微观形貌以及介电性能的差异。结果表明烧结的Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225陶瓷和沉积的BZN薄膜都保持立方焦绿石单相结构,但是薄膜展现出较强的(222)晶面择优取向。陶瓷和薄膜的晶格常数,微观形貌都体现出差异。对比二者的介电特性后发现,Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225薄膜的介电常数明显高于陶瓷的介电常数,这归因于薄膜和块体材料之间的差异,例如厚度,致密度,择优取向等。
- 张效华辛凤胡跃辉杨丰陈义川
- 关键词：介电性能
