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周怀恩

作品数:11 被引量:3H指数:1
供职机构:北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇理学
  • 3篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程

主题

  • 10篇非晶硅
  • 7篇氢化非晶硅
  • 7篇光敏性
  • 7篇非晶
  • 7篇A-SI:H
  • 5篇光电
  • 4篇氢含量
  • 4篇氢化非晶硅薄...
  • 4篇硅薄膜
  • 4篇红外
  • 4篇非晶硅薄膜
  • 4篇A-SI:H...
  • 3篇电特性
  • 3篇光电特性
  • 3篇ECR-CV...
  • 1篇退火
  • 1篇气相沉积
  • 1篇桥键
  • 1篇氢扩散
  • 1篇热丝

机构

  • 11篇北京工业大学

作者

  • 11篇周怀恩
  • 10篇陈光华
  • 10篇胡跃辉
  • 10篇朱秀红
  • 7篇阴生毅
  • 6篇荣延栋
  • 4篇张文理
  • 3篇邓金祥
  • 3篇马占杰
  • 2篇吴越颖
  • 2篇王青
  • 1篇李瀛
  • 1篇高卓

传媒

  • 4篇功能材料
  • 3篇第五届中国功...
  • 2篇第五届中国功...
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 3篇2005
  • 8篇2004
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究
通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(Ea),并研究了Ea与a-Si:H薄膜光敏性(σph/σd)的关系;发现随着...
高卓胡跃辉朱秀红马占杰周怀恩陈光华
关键词:氢化非晶硅薄膜光敏性
文献传递
热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备...
荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
关键词:非晶硅红外ECR-CVD氢含量热丝
文献传递
热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜。应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导。通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备...
荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
关键词:非晶硅红外
文献传递
热丝辅助MW ECR CVD技术高速沉积高质量氢化非晶硅薄膜(英文)被引量:3
2005年
氢化非晶硅薄膜具有优异的光电特性,在制备薄膜太阳能电池中有重要的应用。本文采用热丝辅助MW ECRCVD技术,通过调整各种工艺参数,制备了高沉积速率(DR>2.5nm/s)及高光敏性(σph/σD>105)的氢化非晶硅薄膜。实验表明,在衬底表面温度的分布中,热丝辐射和离子轰击引起的温度对薄膜的光敏性影响较大;在薄膜沉积的最后几分钟适当加大H稀释率,有利于薄膜光电特性的改善。
周怀恩陈光华朱秀红阴生毅胡跃辉
关键词:氢化非晶硅光敏性
热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
2004年
采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.
荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
关键词:非晶硅红外
a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σ<,p>/σ<,d>)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅...
王青阴生毅胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华
关键词:氢化非晶硅氢含量光敏性
文献传递
a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
2004年
采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.
王青阴生毅胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华
关键词:氢化非晶硅氢含量光敏性
MWECR CVD高速沉积a-Si:H薄膜及热退火微观机理研究
环境污染和能源短缺一直影响着各国的持续发展,在众多可再生清洁能源中,光伏组件最有可能取代传统能源而成为新的能源。a-Si:H薄膜电池以其低廉的制造成本及容易实现大面积沉积,在光伏市场中有着广泛的应用前景。 微波...
周怀恩
关键词:A-SI:H化学气相沉积光敏性
文献传递
氢化非晶硅薄膜的红外光谱分析和桥键氢扩散假设(英文)
2005年
通过红外透射光谱研究了在光诱导退火中退火条件对氢化非晶硅薄膜的结构和光电特性的影响,实验所用样品采用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备。我们用桥键氢扩散模型来解释退火中的不同现象。样品的红外光谱在630和2000cm-1处的吸收系数有所增加,说明了原先的成键氢发生了移动和溢出,我们认为通过光诱导产生载流子的非辐射复合以及桥键氢和深俘获氢原子的交换,产生了大量的桥键氢原子,它们相互结合形成分子氢,氢溢出要优于氢团聚。
周怀恩朱秀红胡跃辉马占杰张文理李瀛陈光华
关键词:氢化非晶硅薄膜傅立叶变换红外光谱
a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp/σd)和光致衰退测试。对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的...
王青阴生毅胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华
关键词:氢化非晶硅氢含量光敏性
文献传递
共2页<12>
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