宗杨
- 作品数：6 被引量：22H指数：3
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 多孔硅表面氧化钒热敏电阻薄膜的阻温特性被引量：2
- 2006年
- 用电化学腐蚀法制备了具有不同导热系数的多孔硅样品(孔隙率为80％±2、厚度为110μm时,导热系数可降低至0．20 W／m·K),并在其表面沉积了氧化钒热敏薄膜,研究了多孔硅样品的热绝缘性能对氧化钒热敏薄膜阻温特性的影响．结果表明:多孔硅良好的热绝缘性使在其表面制备的氧化钒热敏薄膜电阻的灵敏度远高于在硅基底上制备的热敏电阻的(多孔硅和硅片上的氧化钒薄膜电阻随功率变化斜率分别为120 kΩ／μW和2．1 kΩ／μW),且热敏电阻的灵敏度随着多孔硅孔隙率和厚度的增大而升高．
- 窦雁巍胡明崔梦宗杨
- 关键词：无机非金属材料多孔硅热绝缘氧化钒薄膜
- 采用原电池法制备纳米多孔硅被引量：4
- 2007年
- 利用原电池法在硅片表面制备了纳米多孔硅层；用扫描电镜SEM和原子力显微镜AFM观察了多孔硅表面形貌：原电池法与电化学法得到的多孔硅孔径均在10～20nm范围．研究结果表明：铂膜电极厚度的增大以及铂膜电极与暴露硅片面积比的增大，会导致多孔硅层的厚度增大．热学模拟结果表明：以纳米多孔硅作为绝热层可获得与悬浮结构相同的效果．
- 宗杨胡明窦雁巍刘志钢
- 关键词：绝热
- 电偶腐蚀法制备多孔硅的研究被引量：1
- 2006年
- 用电偶腐蚀法制备多孔硅,主要研究了铂电极的优化制备工艺以及腐蚀条件对多孔硅厚度的影响,并且结合SEM,AFM等测试手段对所制备的多孔硅的表面形貌进行了分析。实验发现,在相同的腐蚀条件下,多孔硅的厚度随铂电极的厚度以及铂电极与腐蚀硅片的面积比的增大而增大。
- 房振乾胡明窦雁巍宗杨梁继然
- 关键词：多孔硅厚度表面形貌
- MEMS中多孔硅绝热技术被引量：10
- 2005年
- 主要介绍了多孔硅的制备方法(化学法、电化学法及原电池法等)、多孔硅导热系数测试的几种常用手段(温度传感器法、显微拉曼散射法及光声法等)、导热系数的理论模型及影响因素.此外,采用不同方法制备了多孔硅样品,分析了其表面形貌并用显微拉曼光谱法测定了导热系数.结果发现,化学法制备的多孔硅孔径尺寸大于微米量级,而利用大孔硅电化学和原电池法得到的样品孔径尺寸小(约20nm),属于介孔硅.由于腐蚀条件的不同,多孔硅的孔隙率和厚度也不同,多孔硅的导热系数随孔隙率和厚度的增大而迅速减小.
- 窦雁巍胡明宗杨崔梦
- 关键词：多孔硅MEMS拉曼光谱法化学法制备显微拉曼散射法
- MEMS中多孔硅的原电池法制备及绝热性能模拟
- 多孔硅自出现以来，其应用领域不断的得到扩展。最初引起研究者关注的是多孔硅的发光特性。近年来，随着微电子机械系统(MEMS)技术的发展，多孔硅所具有的大的内表面积使其可以应用于微气体探测器、微湿度探测器和一些化学、生物微传...
- 宗杨
- 关键词：多孔硅绝热性能发光特性微电子机械系统
- 文献传递
- 多孔硅的电化学制备与研究被引量：8
- 2006年
- 以电化学方法制备了多孔硅材料并通过表面轮廓测试仪、原子力显微镜、显微拉曼光谱仪等设备对制备多孔硅的孔隙率、厚度、表面形貌、以及热导率进行了表征。结果发现，本实验制备的多孔硅属于介孔硅（15～20nm），其孔隙率随腐蚀时间和腐蚀电流的变化有先增大后减小的趋势。增加多孔硅的厚度和孔隙率，可以使得多孔硅的热导率显著降低（最低可低至0．62W／m·K）。
- 窦雁巍胡明崔梦宗杨
- 关键词：多孔硅孔隙率腐蚀速率导热率
