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窦雁巍

作品数:26 被引量:78H指数:6
供职机构:黑龙江大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术文化科学化学工程更多>>

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 2篇专利

领域

  • 13篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇文化科学
  • 3篇化学工程
  • 3篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程

主题

  • 11篇多孔硅
  • 5篇溶胶
  • 4篇电路
  • 4篇微电子
  • 4篇微电子机械
  • 4篇微电子机械系...
  • 4篇集成电路
  • 3篇电路设计
  • 3篇溶胶-凝胶法
  • 3篇凝胶法制备
  • 3篇孔隙率
  • 3篇集成电路设计
  • 3篇教学
  • 2篇电化学腐蚀
  • 2篇氧化钛
  • 2篇氧化钛薄膜
  • 2篇溶胶-凝胶法...
  • 2篇酞菁
  • 2篇陶瓷
  • 2篇陶瓷薄膜

机构

  • 17篇天津大学
  • 9篇黑龙江大学
  • 2篇大连理工大学

作者

  • 26篇窦雁巍
  • 10篇胡明
  • 5篇徐明霞
  • 5篇宗杨
  • 5篇邱成军
  • 5篇徐廷献
  • 4篇崔梦
  • 4篇梁继然
  • 3篇卜丹
  • 3篇房振乾
  • 2篇孙艳美
  • 2篇雷振坤
  • 2篇亢一澜
  • 2篇王超
  • 2篇刘丽月
  • 2篇曹贝
  • 2篇刘军
  • 2篇石明
  • 1篇赵晓锋
  • 1篇郑嘹赢

传媒

  • 3篇纳米技术与精...
  • 3篇黑龙江教育(...
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇压电与声光
  • 1篇黑龙江教育(...
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇材料工程
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇中国粉体技术
  • 1篇传感器与微系...
  • 1篇消费电子
  • 1篇第二届全国纳...
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇全国无机非金...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2007
  • 6篇2006
  • 2篇2005
  • 3篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇1998
26 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电偶腐蚀法制备多孔硅的研究被引量:1
2006年
用电偶腐蚀法制备多孔硅,主要研究了铂电极的优化制备工艺以及腐蚀条件对多孔硅厚度的影响,并且结合SEM,AFM等测试手段对所制备的多孔硅的表面形貌进行了分析。实验发现,在相同的腐蚀条件下,多孔硅的厚度随铂电极的厚度以及铂电极与腐蚀硅片的面积比的增大而增大。
房振乾胡明窦雁巍宗杨梁继然
关键词:多孔硅厚度表面形貌
电化学腐蚀多孔硅表面形貌的结构特性被引量:8
2006年
多孔硅作为微电子机械系统中重要的热绝缘层和牺牲层材料,其表面形貌结构特性是影响多孔硅上薄膜器件性能的重要因素.为此,利用双槽电化学腐蚀方法制备了多孔硅薄膜,并通过原子力显微镜和场发射扫描电子显微镜对制备多孔硅的表面形貌和孔径大小分布进行了观察.结果发现:腐蚀初期,在硅表面会有大量的硅柱形成,硅柱的直径、高度、分布密度与电流密度成正比关系;硅柱在进一步腐蚀过程中会消失,多孔硅的表面粗糙度随着腐蚀的进行,先减小再增大,最后达到稳定值0.52nm;多孔硅孔径大小分布区间随腐蚀时间增加变窄.
梁继然胡明窦雁巍
关键词:多孔硅微电子机械系统电化学腐蚀孔径
酞菁镍薄膜型NO2气体传感器的制备与性能研究
酞菁最初是由Braun和Tchemiac于1907发现。酞菁是一个大环化合物,环内有一个空穴,空穴的直径约为2.7x10-8cm,可以容纳多种金属和非金属元素。酞菁环本身是一个具有18个7π电子的大π体系,在此体系中,1...
窦雁巍邱成军孙艳美
关键词:气体传感器气敏特性
文献传递
多孔硅表面氧化钒热敏电阻薄膜的阻温特性被引量:2
2006年
用电化学腐蚀法制备了具有不同导热系数的多孔硅样品(孔隙率为80%±2、厚度为110μm时,导热系数可降低至0.20 W/m·K),并在其表面沉积了氧化钒热敏薄膜,研究了多孔硅样品的热绝缘性能对氧化钒热敏薄膜阻温特性的影响.结果表明:多孔硅良好的热绝缘性使在其表面制备的氧化钒热敏薄膜电阻的灵敏度远高于在硅基底上制备的热敏电阻的(多孔硅和硅片上的氧化钒薄膜电阻随功率变化斜率分别为120 kΩ/μW和2.1 kΩ/μW),且热敏电阻的灵敏度随着多孔硅孔隙率和厚度的增大而升高.
窦雁巍胡明崔梦宗杨
关键词:无机非金属材料多孔硅热绝缘氧化钒薄膜
显微拉曼光谱法对多孔硅热导率的研究被引量:3
2006年
多孔硅优良的热学性能使其成为MEMS领域新兴的热绝缘材料。文中采用一种简便且无损的多孔硅热导率测量技术——显微拉曼光谱技术对电化学腐蚀法制备的不同孔隙率和厚度的多孔硅试样热导率进行了测量,结果表明在多孔硅的拉曼谱峰位置与其温度间存在线性对应关系。在所有样品中,厚度为110μm空隙率为65%的多孔硅显示出最好的绝热性能,其热导率为0.624W/mK。且随多孔硅孔隙率和厚度的减小,其热导率有迅速增加的趋势(厚度和孔隙率为9μm和40%时,其热导率升至25.32W/mK)。
崔梦胡明窦雁巍宗扬
关键词:微电子机械系统多孔硅热导率显微拉曼
一种基于压电光电的柔性复合能量采集器及其制作方法
本发明涉及能量采集技术领域,具体公开了一种基于压电光电的柔性复合能量采集器及其制作方法。该柔性能量采集器包括导电衬底以及分别设置于导电衬底上的压电模块与光电模块,其中压电模块包括由下向上依次设置的氧化锌纳米棒阵列以及第一...
刘红梅王杰平宋佳明赵晓锋窦雁巍艾春鹏
多孔硅残余应力的研究被引量:2
2007年
利用电化学腐蚀的方法在p型单晶硅(100)衬底上制备了多孔硅薄膜。利用微拉曼光谱法分别测量了处于湿化—干燥—再湿化3个阶段的多孔硅薄膜的拉曼频移,对多孔硅内应变引起的频移改变量和纳米硅晶粒因声子限制效应引起的频移改变量进行分离,找到多孔硅薄膜残余应力与拉曼频移之间的关系式。利用这一关系式,对不同孔隙率的多孔硅薄膜的残余应力进行了计算,获得了和声子模型拟合方法相一致的结果。研究中发现,多孔硅表面残余应力随孔隙率的增加而线性增大,其原因为随着孔隙率的增加,多孔硅晶格常数增大,且干燥过程中残液的蒸发产生的毛细应力使多孔硅薄膜与基体硅间晶格错配程度增大造成的。
梁继然胡明亢一澜雷振坤窦雁巍
关键词:多孔硅残余应力
基于嵌入式系统人员计数统计的方法及设备
基于嵌入式系统人员计数统计的方法及设备,现有的采集人体信息的方式所采集的信息都是杂乱的。本发明方法:信号采集:将信号采集装置的探测器放置在人体通过区域的顶部,经过改造的光学系统,红外热释电传感器只对限定探测区域内的人体信...
邱成军窦雁巍卜丹邓舸古力
文献传递
采用原电池法制备纳米多孔硅被引量:4
2007年
利用原电池法在硅片表面制备了纳米多孔硅层;用扫描电镜SEM和原子力显微镜AFM观察了多孔硅表面形貌:原电池法与电化学法得到的多孔硅孔径均在10~20nm范围.研究结果表明:铂膜电极厚度的增大以及铂膜电极与暴露硅片面积比的增大,会导致多孔硅层的厚度增大.热学模拟结果表明:以纳米多孔硅作为绝热层可获得与悬浮结构相同的效果.
宗杨胡明窦雁巍刘志钢
关键词:绝热
MEMS中多孔硅绝热技术被引量:10
2005年
主要介绍了多孔硅的制备方法(化学法、电化学法及原电池法等)、多孔硅导热系数测试的几种常用手段(温度传感器法、显微拉曼散射法及光声法等)、导热系数的理论模型及影响因素.此外,采用不同方法制备了多孔硅样品,分析了其表面形貌并用显微拉曼光谱法测定了导热系数.结果发现,化学法制备的多孔硅孔径尺寸大于微米量级,而利用大孔硅电化学和原电池法得到的样品孔径尺寸小(约20nm),属于介孔硅.由于腐蚀条件的不同,多孔硅的孔隙率和厚度也不同,多孔硅的导热系数随孔隙率和厚度的增大而迅速减小.
窦雁巍胡明宗杨崔梦
关键词:多孔硅MEMS拉曼光谱法化学法制备显微拉曼散射法
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