崔梦
- 作品数：13 被引量：46H指数：4
- 供职机构：天水华天科技股份有限公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 多圈FCQFN封装技术研发
- 朱文辉谌世广李习周刘卫东王虎王希有徐召明马晓波谢天禹李涛涛钟环清王永忠慕蔚马利李万霞石宏钰崔梦魏娟娟
- 本项目的创新点是：1、研发了适合倒装上芯的具有自主知识产权的多圈QFN引线框架优化设计技术（获得了:多圈排列无载体双IC芯片封装件专利，专利号：ZL201120228061.5）；2、研发了用于倒装芯片封装的电、热性能及...
- 关键词：
- 关键词：芯片封装倒装芯片
- SiC薄膜材料在MEMS中应用的研究进展被引量：9
- 2004年
- SiC材料具有极为优良的物理化学性能,以SiC材料替代传统Si材料制成的SiC微电子机械系统(MEMS),克服了SiMEMS本身性能的局限性,可满足在高温、高腐蚀等极端条件下的应用。文章综述了近几年SiC薄膜在MEMS中应用的研究进展,详细讨论了薄膜的性能、主要制备方法及微机械加工技术在SiCMEMS的应用。最后,分别举例说明SiC薄膜材料在MEMS中作为保护层和结构层应用的研究现状。
- 崔梦胡明严如岳
- 关键词：SIC保护层
- 应用于微电子机械系统中多孔硅的研究
- 针对多孔硅在MEMS中作为牺牲层和绝热层的应用,主要研究了电化学腐蚀法制备多孔硅的实验条件与多孔硅深度及其孔隙率间的关系,实验发现电化学腐蚀法制备多孔硅的腐蚀速率在腐蚀前期阶段基本是一定值(电流密度为80mA/cm2时为...
- 崔梦胡明雷振坤窦雁威田斌
- 关键词：多孔硅微电子机械系统腐蚀速率孔隙率残余应力
- 文献传递
- CMOS MEMS技术的现状及展望被引量：4
- 2004年
- 简要介绍了MEMS的发展状况及CMOS工艺在MEMS中的地位。主要介绍了pre-CMOS,interme-diate-CMOS和post-CMOS三种不同的CMOSMEMS工艺。详细讨论了CMOSMEMS今后将面临的挑战及其未来应用领域,最后,根据国内情况对我国CMOSMEMS的发展提出了建议。
- 胡明崔梦田斌窦燕巍
- 关键词：CMOSMEMS技术
- MEMS中多孔硅绝热技术被引量：10
- 2005年
- 主要介绍了多孔硅的制备方法(化学法、电化学法及原电池法等)、多孔硅导热系数测试的几种常用手段(温度传感器法、显微拉曼散射法及光声法等)、导热系数的理论模型及影响因素.此外,采用不同方法制备了多孔硅样品,分析了其表面形貌并用显微拉曼光谱法测定了导热系数.结果发现,化学法制备的多孔硅孔径尺寸大于微米量级,而利用大孔硅电化学和原电池法得到的样品孔径尺寸小(约20nm),属于介孔硅.由于腐蚀条件的不同,多孔硅的孔隙率和厚度也不同,多孔硅的导热系数随孔隙率和厚度的增大而迅速减小.
- 窦雁巍胡明宗杨崔梦
- 关键词：多孔硅MEMS拉曼光谱法化学法制备显微拉曼散射法
- 多孔硅内部残余应力的研究被引量：1
- 2005年
- 多孔硅在形成过程中由于内部产生巨大的拉伸应力,在裂纹的中心部位拉伸应力可达到0.92GPa,导致在硅晶体内部较脆弱的部位(如晶界附近)形成微裂纹,多孔硅沿着硅表面缺陷和裂纹区生长。随着刻蚀时间的增加,多孔硅孔隙率增加,拉伸应力进一步增加。正是由于这种残余应力的存在导致了多孔硅发生龟裂现象。
- 田斌胡明崔梦雷振坤亢一澜
- 关键词：多孔硅孔隙率残余应力微裂纹
- 应用于MEMS的多孔硅的制备方法研究被引量：9
- 2004年
- 采用化学腐蚀法、单槽电化学腐蚀法和双槽电化学腐蚀法来进行多孔硅的制备,通过对比这三种方法所制备多孔硅的表面形貌特征,发现双槽电化学腐蚀法与其它两种方法相比,具有孔径尺寸小(可达5～10 am)、均匀性好、腐蚀深度大(可达几百nm)等优点,其制备的多孔硅更符合在MEMS中应用的要求.最后对双槽电化学腐蚀法中腐蚀时间及电流密度对腐蚀速率的影响进行了研究.
- 韩建忠倪国强崔梦胡明田斌
- 关键词：多孔硅MEMS微电子机械系统
- 多孔硅表面氧化钒热敏电阻薄膜的阻温特性被引量：2
- 2006年
- 用电化学腐蚀法制备了具有不同导热系数的多孔硅样品(孔隙率为80％±2、厚度为110μm时,导热系数可降低至0．20 W／m·K),并在其表面沉积了氧化钒热敏薄膜,研究了多孔硅样品的热绝缘性能对氧化钒热敏薄膜阻温特性的影响．结果表明:多孔硅良好的热绝缘性使在其表面制备的氧化钒热敏薄膜电阻的灵敏度远高于在硅基底上制备的热敏电阻的(多孔硅和硅片上的氧化钒薄膜电阻随功率变化斜率分别为120 kΩ／μW和2．1 kΩ／μW),且热敏电阻的灵敏度随着多孔硅孔隙率和厚度的增大而升高．
- 窦雁巍胡明崔梦宗杨
- 关键词：无机非金属材料多孔硅热绝缘氧化钒薄膜
- 显微拉曼光谱法对多孔硅热导率的研究被引量：4
- 2006年
- 多孔硅优良的热学性能使其成为MEMS领域新兴的热绝缘材料。文中采用一种简便且无损的多孔硅热导率测量技术——显微拉曼光谱技术对电化学腐蚀法制备的不同孔隙率和厚度的多孔硅试样热导率进行了测量,结果表明在多孔硅的拉曼谱峰位置与其温度间存在线性对应关系。在所有样品中,厚度为110μm空隙率为65%的多孔硅显示出最好的绝热性能,其热导率为0.624W/mK。且随多孔硅孔隙率和厚度的减小,其热导率有迅速增加的趋势(厚度和孔隙率为9μm和40%时,其热导率升至25.32W/mK)。
- 崔梦胡明窦雁巍宗扬
- 关键词：微电子机械系统多孔硅热导率显微拉曼
- 多孔硅层孔隙率对其热绝缘性能的影响
- 2008年
- 研究了多孔硅层孔隙率对其热绝缘性能的影响机制。以p+型硅片为基底,通过双槽电化学腐蚀法制备多孔硅。采用微拉曼光谱法对多孔硅的热导系数进行了测量,结果表明,多孔硅的热导系数随其孔隙率的增大而明显下降,实验中热导系数最低可达到0.624W/(m.K),从而通过降低热导系数使多孔硅的绝热性能得到了增强。
- 李东海胡明张伟崔梦
- 关键词：多孔硅孔隙率电化学腐蚀显微拉曼光谱绝热层
