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周宝霞

作品数：8 被引量：20H指数：3
供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院更多>>
发文基金：“八五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇晶闸管
  • 4篇MCT
  • 4篇MOS控制
  • 3篇PSPICE
  • 2篇等效
  • 2篇等效电路
  • 2篇功率MOSF...
  • 2篇场效应
  • 1篇调度
  • 1篇新型功率器件
  • 1篇事务
  • 1篇数据库
  • 1篇晶体管
  • 1篇扩散法
  • 1篇功率
  • 1篇功率器件
  • 1篇硅片
  • 1篇发射极
  • 1篇发射区
  • 1篇N^+

机构

  • 7篇西安理工大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇北京航空航天...

作者

  • 8篇周宝霞
  • 7篇陈治明
  • 3篇周如培
  • 2篇王守觉
  • 1篇张发生
  • 1篇严开涛

传媒

  • 4篇西安理工大学...
  • 3篇Journa...
  • 1篇电力电子技术

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 4篇1997
  • 2篇1996
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
大功率复合器件的 PSPICE 模拟被引量：5
1997年
在ＰＳＰＩＣＥ电路模拟软件中，采用简单易行的等效电路模拟法，建立了改进型等效电路模型，实现了对功率开关器件特性的模拟。通过与实验结果比较，证实了改进模型的可靠性。
周宝霞陈治明周如培
关键词：场效应晶体管晶体管
用全扩散法制作MCT
1996年
使用普通Ｐ型硅片，用全扩散工艺制作ＭＣＴ．除开通与关断ＭＯＳ外，全部器件用常规晶闸管工艺制造．试制品主要电特性达到设计要求，说明了利用全扩散工艺制造ＭＣＴ的可行性．文中讨论了适合于全扩散工艺的器件结构设计思路，报道了样品的测试结果，并对试制工作进行了简单分析．
张发生周如培周宝霞陈治明
关键词：MOS控制晶闸管硅片MCT
MCT特性的PSPICE模拟
1997年
通过使用等效电路法，利用国际通用电路模拟软件包PSPICE对新型的电力电子器件MCT进行特性模拟和分析，并对Harris公司的器件MCTV75P60E1进行计算。结果表明该方法简单易行，模拟结果可靠。
周宝霞陈治明夏蔚
关键词：PSPICEMOS控制晶闸管MCT等效电路
新型功率器件MCT的模拟与制造
1997年
介绍了新型功率器件MCT的基本特点与结构。利用开发出的MCT计算机辅助设计软件，模拟MCT的静态、动态特性，优化了MCT的结构参数。根据工艺模拟结果，编制MCT的制造工艺流程，研制出2．7A／5OOV的样片，其开通时间为200ns，关断时间为4μs。
周如培周宝霞陈治明
关键词：功率器件MOS控制晶闸管MCTCAD
分布数据管理的一种并发控制算法
1998年
提出一种用于分布数据管理的基于锁定的并发控制算法。该算法对冲突处理无需在全部分布站点程序调度器间进行通讯，仅需在冲突初始站点和所有参予站点间进行信息交换；又由于在冲突发生时通过使用时间戳来建立一个执行顺序，从而避免死锁。该算法在应用中维护方便且表现出较好性能。
严开涛周宝霞
关键词：并发控制事务数据库
具有双n^+发射区的MCT
1999年
提出一种新型的ＭＯＳ控制晶闸管结构ＤＮＭＣＴ器件。该器件同ＭＣＴ相比减弱了寄生ＪＦＥＴ效应， 并利用ＰＩＳＣＥＳ－ＩＩＢ器件模拟软件验证ＤＮＭＣＴ具有较好的正向导通电流－电压特性。该结构在一定程度上可缓解器件开关速度与导通压降之间的矛盾。
周宝霞陈治明
关键词：发射极MOS控制晶闸管MCT
功率MOSFET反向特性的分析模拟被引量：5
1997年
本文对功率MOSFET的反向特性进行了模拟，着重分析了N沟功率MOSFET体内集成二极管的独特的作用，并对P沟器件在特性模拟时由于PSPICE模型参数的限制而表现出来的误差进行了分析，提出了改善措施，并得到了与实际相符合的结论．
周宝霞陈治明王守觉
关键词：功率MOSFET场效应器件
适合于PSPICE的一种精确的功率MOSFET等效电路被引量：10
1996年
建立了一种新的功率ＭＯＳＦＥＴ等效电路，以便利用先进的电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ对功率ＭＯＳＦＥＴ所有特性进行模拟和分析．对ＩＲ公司的各类ＨＥＸＦＥＴ进行的模拟结果与其数据手册中的实验曲线十分吻合，表明该模型具有较高的精确性．
周宝霞陈治明王守觉
关键词：功率MOSFETPSPICE
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