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张发生
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西安理工大学
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陈治明
西安理工大学
周宝霞
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周如培
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1996
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用全扩散法制作MCT
1996年
使用普通P型硅片,用全扩散工艺制作MCT.除开通与关断MOS外,全部器件用常规晶闸管工艺制造.试制品主要电特性达到设计要求,说明了利用全扩散工艺制造MCT的可行性.文中讨论了适合于全扩散工艺的器件结构设计思路,报道了样品的测试结果,并对试制工作进行了简单分析.
张发生
周如培
周宝霞
陈治明
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MOS控制
晶闸管
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