陈治明
- 作品数：185 被引量：378H指数：10
- 供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省重大科技创新专项计划项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
- SiC晶体PVT生长系统的流体力学模型及其有限元分析被引量：10
- 2005年
- 本文根据S iC晶体PVT生长炉的实际提出了生长系统温度场计算的流体力学模型,采用有限元法分析了生长腔内的热传导、辐射和对流对生长腔内和生长晶体中温度空间分布的影响。通过对生长腔内及生长晶体中温度瞬态和稳态分布的分析,得出在加热的初始阶段腔内气体对流对坩埚内的温度分布有较大影响,在系统热平衡后辐射对腔内温度分布起决定作用的结论。
- 张群社陈治明蒲红斌李留臣封先锋巩泽龙
- 关键词：SIC晶体温度场
- 用升华法生长SiC晶体的一种新颖的坩埚设计(英文)
- 2006年
- 本文提出一个用PVT法生长S iC晶体的坩埚的新颖设计。分析了生长腔中有无锥形档板对腔内及籽晶温度场的影响;比较了档板取不同厚度时S iC粉源升华面和籽晶表面的温度分布。得出了在腔内增设档板后晶体生长面的温度更趋均匀的结论;获取了随着档板厚度的增加,腔内的轴向温度梯度随之增加,但同时晶体生长面的温度也会降低的设计原则。根据计算结果,选取档板厚度等于2mm为优化参数。
- 张群社陈治明蒲红斌李留臣封先锋
- 关键词：SIC温度场
- 开关电容变换器功率限制及单片集成设计被引量：1
- 1999年
- 开关电容ＤＣＤＣ变换器的输出功率受电容网络中电容取值及开关频率的限制，电容器的集成是开关电容ＤＣＤＣ变换器集成的关键。提出一种并联单元电路的方法，获得了较大的输出功率，并避免了大面积电容的集成。它为其他类型的开关电容变换器的单片集成问题的研究提供了一个基本思路。
- 耿莉刘健高勇陈治明
- 关键词：开关电容变换器单片集成功率限制变换器
- 一种带保护电路的低功耗LDO被引量：4
- 2011年
- 为了保护芯片不受电源电压起伏的影响,设计了一种应用于移动多媒体广播(CMMB)的带保护电路的低功耗低压降线性调节器(LDO);为了保证LDO的反馈环路在所有负载电流下均稳定,采用低增益、低输出阻抗的buffer来驱动输出管,使环路的相位裕度都高于40°;为了避免输出管在过流和过热时损坏,设计了过流保护电路和过热保护电路:过流保护电路将过载的电流限制在150 mA;过热保护电路包含滞回功能,在温度高于145℃时,过热保护电路将LDO关断,当温度低于125℃时,LDO重新打开。LDO的输入电压范围为1.5～3.3 V,输出电压为1.2 V。LDO采用0.35μm CMOS工艺设计,共消耗30μA的静态电流,最大负载电流为80 mA。芯片面积为380.2μm×198μm。
- 杨利君陈治明龚正石寅
- 关键词：过流保护电路过热保护电路相位裕度
- 一种改变晶片取向的研磨夹具
- 本发明公开了一种改变晶片取向的研磨夹具，包括与固定配重杆连接的载荷盘，载荷盘的下方是定位座，定位座是一个中空的开口朝下的圆凹槽，载荷盘和定位座分别开有对应的两个通孔，穿过每对通孔分别设置有调节支撑杆和固定支撑杆，调节支撑...
- 陈治明赵树峰蒋东李言
- 文献传递
- 用碳饱和硅熔体制备的3C-SiC薄片及其光致发光被引量：3
- 2001年
- 将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化 ,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体 ,在石墨表面形成SiC多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约 0 5mm的SiC多晶薄片 .X射线衍射 (XRD)、Raman散射等分析表明所制备样品为 3C SiC多晶体 .采用He Cd激光 3 2 5nm线在不同温度下对实现样品进行了光致发光 (PL)测试分析 .PL实验结果表明随着温度的变化 ,PL发光中心发生蓝移 ,其中心由 2 13eV移至 2 .3 9eV .
- 马剑平卢刚陈治明杭联茂雷天民封先锋
- 关键词：熔体3C-SIC薄片光致发光半导体薄膜
- 6H-SiC的晶型可控生长
- 异晶型夹杂是影响SiC晶体品质的关键因素之一.在分析耔晶、杂质、生长温度、生长初期工艺、籽晶装配工艺等影响SiC晶型可控生长主要因素的基础上,制定了实现6H-SiC晶型可控生长的工艺,采用该工艺进行了晶体生长实验,结果表...
- 封先锋陈治明林生晃蒲红斌
- 关键词：6H-SIC
- 碳化硅电力电子器件及其制造工艺新进展被引量：20
- 2002年
- 评述了各种碳化硅电力电子器件研究开发的最新进展及其发展前景 ,指出碳化硅的优势不仅仅限于能提高功率开关器件的电压承受能力、高温承受能力和兼顾频率与功率的能力 ,还在于能大幅度降低器件的功率损耗 ,使电力电子技术的节能优势得以更加充分地发挥 .针对碳化硅材料的特殊性和实现碳化硅器件卓越性能的需要 ,分析了器件工艺当前亟待解决的问题 .
- 陈治明
- 关键词：碳化硅电力电子器件开关器件功率
- 一种新颖的PFC无损吸收方法被引量：2
- 2003年
- 提出了一种新颖的无损吸收方法。利用BoostPFC输入电感的辅助绕组回路,将续流二极管反向恢复能量进行有效转移,从而使BoostPFC电路的效率明显提高。详细分析了提出电路的6种工作状态和工作时序,分别给出了各个状态的等效电路。实验结果证明,在相同开关频率下效率明显高于传统的PFC电路,功耗降低使电路体积显著减小。
- 杜忠陈治明
- 关键词：功率因数
- 一种用曲面籽晶进行物理气相输运的晶体生长的方法
- 本发明公开的一种用曲面籽晶进行物理气相输运的晶体生长的方法，其特点是将圆片籽晶的生长表面设计成曲面，并使晶面倾角θ为6°～10°。本发明的方法采用曲面作为籽晶的生长表面，实现了多层并行生长，晶体的生长速度加快，而且，这种...
- 陈治明
- 文献传递
